SIC
close

Vыprahytegeli (74344)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
SR1050HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1050HC0G -
RFQ
 ECAD 5320 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SR1050 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 5 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов -
VT10200C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT10200C-E3/4W 1.2100
RFQ
 ECAD 662 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay TMBS® Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 VT10200 ШOTKIй 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 5A 1,6 В @ 5 a 150 мкр. -40 ° С ~ 150 ° С.
APT2X60D20J Microsemi Corporation Apt2x60d20j -
RFQ
 ECAD 2292 0,00000000 Microsemi Corporation - Трубка Управо ШASCI SOT-227-4, Minibloc Apt2x60 Станода Isotop® СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 2 neзaviymый 200 60A 1,3 V @ 60 A 31 м 250 мкр.
SF23G-AP Micro Commercial Co SF23G-AP 0,0535
RFQ
 ECAD 2924 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй SF23 Станода ДО-15 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 2 a 35 м 5 мк -прри 150 -65 ° С ~ 150 ° С. 2A 60pf @ 4V, 1 мгест
SL43HE3_B/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SL43HE3_B/H. 0,4125
RFQ
 ECAD 8702 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC SL43 ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 470 мВ @ 8 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 8. -
ES3BHM6G Taiwan Semiconductor Corporation ES3BHM6G -
RFQ
 ECAD 4194 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC ES3B Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 950 мВ @ 3 a 35 м 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 45pf @ 4V, 1 мгест
MB10H90HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division MB10H90HE3_A/p -
RFQ
 ECAD 8509 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Управо Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MB10H90 ШOTKIй DO-263AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 770 мВ @ 10 a 4,5 мк -при 90 -65 ° C ~ 175 ° C. 10 часов -
JANS1N6761-1/TR Microchip Technology Jans1n6761-1/tr -
RFQ
 ECAD 9319 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/586 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй ШOTKIй DO-41 - Rohs3 DOSTISH 150-Jans1n6761-1/tr Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 690 мВ @ 1 a 100 мк -пки 100 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 70pf @ 5V, 1 мгха
1N486B onsemi 1n486b -
RFQ
 ECAD 4445 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n486 Станода DO-35 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 2000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 250 1 V @ 100 май 50 Na @ 225 V 175 ° C (MMAKS) 200 май -
1N3142 Solid State Inc. 1N3142 15,5000
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - Коробка Актифен Стало DO-205AA, DO-8, Stud Станода Дол - Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-1N3142 Ear99 8541.10.0080 10 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1,2 - @ 200 a 50 мк. -65 ° C ~ 200 ° C. 100 а -
CD1408-FU1600 Bourns Inc. CD1408-FU1600 0,4800
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Bourns Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Яп, я CD1408 Станода 1408 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,25 - @ 1 a 35 м 5 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
VS-MBR1545CT-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR1545CT-1-M3 0,6773
RFQ
 ECAD 4924 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Актифен Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA MBR1545 ШOTKIй 262-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 45 7,5а 570 мВ @ 7,5 а 100 мка 45 -65 ° С ~ 150 ° С.
BAS40-05V,115 Nexperia USA Inc. BAS40-05V, 115 0,4200
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SOT-563, SOT-666 BAS40 ШOTKIй SOT-666 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 4000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 2 пар 40 120 май (DC) 1 V @ 40 май 10 мка 40, 150 ° C (MMAKS)
ACDBA240-HF Comchip Technology ACDBA240-HF 0,3700
RFQ
 ECAD 6712 0,00000000 Комхип Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA ACDBA240 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 мВ @ 2 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 2A 125pf @ 4V, 1 мгест
SS12P4CHM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS12P4CHM3/86A -
RFQ
 ECAD 7803 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay ESMP® Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер 277, 3-Powerdfn SS12P4 ШOTKIй TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 40 6A 520 мВ @ 6 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C.
PR1503S-T Diodes Incorporated PR1503S-T -
RFQ
 ECAD 7039 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй PR1503 Станода DO-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,2 Е @ 1,5 а 150 млн 5 мка При 200 -65 ° С ~ 150 ° С. 1,5а -
SF18GL-BP Micro Commercial Co SF18GL-BP 0,0945
RFQ
 ECAD 3479 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SF18 Станода DO-41 СКАХАТА 353-SF18GL-BP Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,25 - @ 1 a 50 млн 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
JAN1N5418/TR Microchip Technology Январь 5418/тр 6.0900
RFQ
 ECAD 8678 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/411 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Б., Ос Станода Б., Ос СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 150 января 5418/tr Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,5 - @ 9 a 150 млн 1 мка 400 -65 ° C ~ 175 ° C. 3A -
MURS360T3H onsemi MURS360T3H -
RFQ
 ECAD 8270 0,00000000 OnSemi - Поднос Управо Пефер DO-214AB, SMC MURS36 Станода SMC - Rohs3 Продан DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,28 w @ 4 a 75 м 10 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 4 а -
DSR8F600 Diodes Incorporated DSR8F600 -
RFQ
 ECAD 1193 0,00000000 Дидж - Трубка Управо Чereз dыru ДО-220-2 Станода ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2,7 В @ 8 a 45 м 80 мк -пр. 600 150 ° C (MMAKS) 8. 9.3pf @ 40 v, 1 мгновение
R7S01812XX Powerex Inc. R7S01812XX -
RFQ
 ECAD 7459 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Актифен Зaжimatth DO-200AA, A-Puk R7S01812 Станода DO-200AA, R62 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1800 v 1,6 В @ 1500 А 10 мкс 50 май @ 1800 1200A -
SRS1660HMNG Taiwan Semiconductor Corporation SRS1660HMNG -
RFQ
 ECAD 6180 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SRS1660 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 16A 700 мВ @ 8 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
CD214B-FS2G Bourns Inc. CD214B-FS2G 0,1500
RFQ
 ECAD 1777 0,00000000 Bourns Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, neTLIDERSTVA CD214B Станода 2-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,25 - @ 2 a 35 м 5 мка 400 -65 ° C ~ 175 ° C. 2A 19pf @ 4V, 1 мгха
200HFR120PV Vishay General Semiconductor - Diodes Division 200HFR120PV -
RFQ
 ECAD 5330 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Управо Стало DO-205AC, DO-30, STAUD 200hfr120 Станода DO-205AC (DO-30) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH *200HFR120PV Ear99 8541.10.0080 25 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1200 1,45 Е @ 628 А 15 май @ 1200 -40 ° C ~ 180 ° C. 200a -
VS-APH3006L-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-APH3006L-N3 1.2800
RFQ
 ECAD 1130 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay FERED PT® Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 APH3006 Станода DO-247AD СКАХАТА Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 25 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2,65 - @ 30 a 26 млн 30 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 30A -
CD214C-R3100 Bourns Inc. CD214C-R3100 -
RFQ
 ECAD 5599 0,00000000 Bourns Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214AB, SMC CD214C Станода SMC (DO-214AB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.15 V @ 3 a 10 мк -пки 100 -65 ° C ~ 175 ° C. 3A 40pf @ 4V, 1 мгест
VS-201CNQ045PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-201CNQ045PBF 50.4330
RFQ
 ECAD 6806 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен ШASCI TO-244AB 201CNQ045 ШOTKIй TO-244AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VS201CNQ045PBF Ear99 8541.10.0080 10 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1 пар 45 100 а 670 мВ @ 100 a 10 май @ 45 -55 ° C ~ 175 ° C.
10BQ060 SMC Diode Solutions 10BQ060 0,3800
RFQ
 ECAD 197 0,00000000 SMC Diode Solutions - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB 10 млр ШOTKIй SMB (DO-214AA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 600 мВ @ 1 a 1 мая @ 60 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 62pf @ 5V, 1 мгха
MURF1560 SMC Diode Solutions MURF1560 -
RFQ
 ECAD 1219 0,00000000 SMC Diode Solutions - Трубка Управо Чereз dыru TO-220-2 Full Pack, Иолированажа Кладка Станода ITO-220AC - 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1655-Murf1560 Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 15 A 50 млн 25 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 15A -
FFPF05U120STTU onsemi FFPF05U120STTU -
RFQ
 ECAD 4387 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо Чereз dыru 220-2 FFPF05 Станода TO-220F-2L СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1200 3,5 - @ 5 a 100 млн 5 мка @ 1200 -65 ° С ~ 150 ° С. 5A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть