SIC
close

Vыprahytegeli (74344)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Верный Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
R6100225XXYZ Powerex Inc. R6100225XXYZ -
RFQ
 ECAD 7541 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Управо ШAsci, Стало Do-205ab, do-9, Stud Станода DO-205AB (DO-9) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 9 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1,5 В @ 800 a 11 мкс 50 май @ 200 -65 ° C ~ 190 ° C. 250a -
SBS808M-TL-E onsemi SBS808M-TL-E -
RFQ
 ECAD 4414 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен SBS808 - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан 3000
SB25AFC_R1_00001 Panjit International Inc. SB25AFC_R1_00001 0,0540
RFQ
 ECAD 2341 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds SB25 ШOTKIй SMAF-C СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 288 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 2 a 100 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 76pf @ 4V, 1 мгест
NRTS3060MFST3G onsemi NRTS3060MFST3G 0,7004
RFQ
 ECAD 8893 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 8-powertdfn, 5лидо ШOTKIй 5-DFN (5x6) (8-sofl) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 488-NRTS3060MFST3GTR Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 600 м. @ 30 a 100 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 175 ° C. 30A 3140pf @ 1V, 1 мгновение
MBR20200FCT_T0_00001 Panjit International Inc. MBR20200FCT_T0_00001 0,9600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Panjit International Inc. - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3- MBR20200 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 3757-MBR20200FCT_T0_00001 Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 20 часов 900 мВ @ 10 a 50 мк. -65 ° C ~ 175 ° C.
STPS3030CG STMicroelectronics STPS3030CG -
RFQ
 ECAD 6692 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB STPS3030 ШOTKIй D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 30 15A 490 мВ @ 15 A 1 мая @ 30 150 ° C (MMAKS)
MDD172-12N1 IXYS MDD172-12N1 54.1700
RFQ
 ECAD 6463 0,00000000 Ixys - МАССА Актифен ШASCI Y4-M6 MDD172 Станода Y4-M6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 6 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1 -й 1200 190a 1,15 - @ 300 a 20 май @ 1200 -40 ° С ~ 150 ° С.
MURT40005R GeneSiC Semiconductor MURT40005R -
RFQ
 ECAD 3577 0,00000000 Genesnыйpoluprovovodonyk - МАССА Управо ШASCI Триоахня Станода Триоахня СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) MURT40005RGN Ear99 8541.10.0080 25 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 50 200a 1,3 V @ 200 a 125 м 25 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С.
MBRB1545CTHE3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1545CThe3/81 -
RFQ
 ECAD 9931 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRB15 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 45 7,5а 840 мВ @ 7,5 а 100 мка 45 -65 ° С ~ 150 ° С.
MURHB840CTT4G onsemi Murhb840ctt4g -
RFQ
 ECAD 7272 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Murhb840 Станода D²Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 400 4 а 2.2 V @ 4 a 28 млн 10 мка 400 -65 ° C ~ 175 ° C.
NSR0630P2T5G onsemi NSR0630P2T5G 0,0847
RFQ
 ECAD 8802 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен - - NSR0630 ШOTKIй - - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 8000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 620 м. @ 500 мая 200 мка прри 30 -55 ° C ~ 125 ° C. 600 май -
RB168VAM-30TR Rohm Semiconductor RB168VAM-30TR 0,3600
RFQ
 ECAD 630 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. RB168 ШOTKIй Tumd2m СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 730 мВ @ 1 a 300 NA @ 30 V 150 ° С 1A -
BY500-800 Diotec Semiconductor By500-800 0,1363
RFQ
 ECAD 48 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй Станода ДО-2011 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-BY500-800TR 8541.10.0000 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1.3 V @ 5 a 200 млн 5 мк -400 -50 ° C ~ 175 ° C. 5A -
VS-S596A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-S596A -
RFQ
 ECAD 2404 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Прохл S596A - 112-VS-S596A 1
BAS85 L0 Taiwan Semiconductor Corporation BAS85 L0 -
RFQ
 ECAD 8938 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Управо Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 ШOTKIй Мини -Молф - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH BAS85L0 Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 30 800 мВ @ 100 мая 5 млн 2 мка 4 25 125 ° C (MMAKS) 200 май 10pf @ 1V, 1 мгха
SS3P6-E3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3P6-E3/85A -
RFQ
 ECAD 5234 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay ESMP® Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-220AA SS3P6 ШOTKIй DO-220AA (SMP) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 780mw @ 3 a 100 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 80pf @ 4V, 1 мгха
12F160 Solid State Inc. 12F160 1,6000
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - МАССА Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став Станода До 4 - Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-12F160 Ear99 8541.10.0080 10 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1600 v 1,2 - @ 12 a 10 мк @ 1600 -65 ° С ~ 150 ° С. 12A -
GS3JQ Yangjie Technology GS3JQ 0,1140
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-GS3JQTR Ear99 3000
MBRF600150 GeneSiC Semiconductor MBRF600150 -
RFQ
 ECAD 5956 0,00000000 Genesnыйpoluprovovodonyk - МАССА Управо ШASCI TO-244AB ШOTKIй TO-244AB - 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 25 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 150 300A 880 мВ @ 300 a 1 мая @ 150 -55 ° C ~ 150 ° С.
B140BQ-13-F Diodes Incorporated B140BQ-13-F 0,4000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB B140 ШOTKIй МАЛИ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 мВ @ 1 a 500 мка 40, -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 110pf @ 4V, 1 мгновение
ACDBQC0240LR-HF Comchip Technology ACDBQC0240LR-HF 0,0576
RFQ
 ECAD 6196 0,00000000 Комхип Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 0402 (1006 МЕТРИКА) ШOTKIй 0402c/sod-923f СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 641-ACDBQC0240LR-HFTR Ear99 8541.10.0070 5000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 40 580 мВ @ 200 Ма 5 мка 40, -40 ° C ~ 125 ° C. 200 май 25pf @ 1V, 1 мгха
1N3768 GeneSiC Semiconductor 1n3768 6.2320
RFQ
 ECAD 6923 0,00000000 Genesnыйpoluprovovodonyk - МАССА Актифен ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud 1n3768 Станода До 5 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 1242-1025 Ear99 8541.10.0080 100 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1,2 - @ 35 A 10 мк -прри 50 -65 ° C ~ 190 ° C. 35A -
SF30AG-B Diodes Incorporated SF30AG-B -
RFQ
 ECAD 4931 0,00000000 Дидж - МАССА Управо Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 3 a 35 м 5 мка прри 50 -65 ° С ~ 150 ° С. 3A 75pf @ 4v, 1 мгха
RGP10GE-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10GE-M3/54 -
RFQ
 ECAD 2526 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй RGP10 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 1 a 150 млн 5 мка 400 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
STPS40SM60CT STMicroelectronics STPS40SM60CT -
RFQ
 ECAD 6638 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 STPS40 ШOTKIй ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 20 часов 625 мВ @ 20 a 90 мк. 150 ° C (MMAKS)
VBT760-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT760-E3/4W 0,3297
RFQ
 ECAD 2693 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB VBT760 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 800 мв 7,5 а 700 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 7,5а -
SE40PBHM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE40PBHM3/86A -
RFQ
 ECAD 1110 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер 277, 3-Powerdfn SE40 Станода TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 920 мВ @ 2 a 2,2 мкс 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 175 ° C. 2.4a 28pf @ 4V, 1 мгха
UH1D-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH1D-E3/61T -
RFQ
 ECAD 2152 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214AC, SMA UH1 Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,05 В @ 1 A 30 млн 1 мка, 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A -
MBRF7H45-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF7H45-E3/45 -
RFQ
 ECAD 2713 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Управо Чereз dыru TO-220-2 Full Pack, Иолированажа Кладка MBRF7 ШOTKIй ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 630 мв 7,5 а 50 мк 45 -65 ° С ~ 150 ° С. 7,5а -
BAS7002VH6327XTSA1 Infineon Technologies BAS7002VH6327XTSA1 0,4800
RFQ
 ECAD 70 0,00000000 Infineon Technologies Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-79, SOD-523 BAS7002 ШOTKIй PG-SC79-2-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 70 1 V @ 15 мая 100 с 100 na @ 50 v 150 ° C (MMAKS) 70 май 2pf @ 0v, 1 мгест
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть