SIC
close

Vыprahytegeli (74344)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
NRVBA2H100T3G-VF01 onsemi NRVBA2H100T3G-VF01 -
RFQ
 ECAD 5833 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA NRVBA2 ШOTKIй СМА СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 790mw @ 2 a 8 мк -4 100 -65 ° C ~ 175 ° C. 2A -
JANTX1N649UR-1 Microchip Technology Jantx1n649Ur-1 -
RFQ
 ECAD 9600 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/240 МАССА Актифен Пефер DO-213AA 1n649 Станода DO-213AA СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1 V @ 400 мая 50 NA @ 600 -65 ° C ~ 175 ° C. 400 май -
B250AF-13 Diodes Incorporated B250AF-13 0,4600
RFQ
 ECAD 3233 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds B250 ШOTKIй SMAF СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 650 мВ @ 2 a 100 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 80pf @ 4V, 1 мгха
1SS270ARX-E Renesas Electronics America Inc 1ss270arx-e 0,0200
RFQ
 ECAD 7151 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 14 000
SS10P6HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS10P6HM3_A/H. 0,9600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn SS10P6 ШOTKIй TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 670 мВ @ 7 a 150 мкр. -55 ° C ~ 150 ° С. 7A 560pf @ 4V, 1 мгновение
SK24A Good-Ark Semiconductor SK24A 0,3000
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 ХOroShyй poluprovowodonyk Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 мВ @ 2 a 200 na @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 200pf @ 4V, 1 мгха
VS-HFA08TB120SL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA08TB120SL-M3 0,8286
RFQ
 ECAD 3249 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Hexfred® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB HFA08 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1200 4,3 V @ 16 A 95 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
1N5818T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1n5818t/r 0,1000
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 EIC Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй ШOTKIй DO-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2439-1N5818T/rtr 8541.10.0000 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 мВ @ 1 a 1 мая @ 30 -65 ° C ~ 125 ° C. 1A 110pf @ 4V, 1 мгновение
DZ23C11Q Yangjie Technology DZ23C11Q 0,0460
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-DZ23C11QTR Ear99 3000
S43120 Microchip Technology S43120 57.8550
RFQ
 ECAD 7701 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Поднос Актифен Стало DO-205AA, DO-8, Stud S43120 Станода DO-205AA (DO-8) СКАХАТА DOSTISH S43120MS Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1200 1.1 V @ 200 a 50 мк. -65 ° C ~ 200 ° C. 150a -
UF5A600D1-13 Diodes Incorporated UF5A600D1-13 -
RFQ
 ECAD 3315 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 Станода 252-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH UF5A600D1-13DI Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,9 В @ 5 a 30 млн 10 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 5A 50pf @ 10 v, 1 mmgц
CD214A-B260LF Bourns Inc. CD214A-B260LF -
RFQ
 ECAD 1429 0,00000000 Bourns Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214AC, SMA CD214A ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 2 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 2A 200pf @ 4V, 1 мгха
BA159DGPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA159DGPHE3/73 -
RFQ
 ECAD 5307 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй BA159 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,3 V @ 1 a 500 млн 5 мк -400 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
SCS240KE2HRC11 Rohm Semiconductor SCS240KE2HRC11 24.0400
RFQ
 ECAD 5410 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 SCS240 Sic (kremniewый karbid) 247 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 30 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1 пар 1200 20А (DC) 1,6 - @ 20 a 0 м 400 мк. 175 ° C (MMAKS)
VS-96-1091PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-96-1091PBF -
RFQ
 ECAD 3733 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay * Трубка Управо - Rohs3 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 50
BYT52J-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT52J-TAP 0,2871
RFQ
 ECAD 5325 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru SOD-57, OSEVOй BYT52 Лавина SOD-57 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 25 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,3 V @ 1 a 200 млн 5 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 1.4a -
GS1GDWG_R1_00001 Panjit International Inc. GS1GDWG_R1_00001 0,0250
RFQ
 ECAD 9326 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA GS1 Станода SMA (DO-214AC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 59 400 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1.1 V @ 1 a 500 млн 1 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 7pf @ 4V, 1 мгха
SCS310AHGC9 Rohm Semiconductor SCS310AHGC9 65500
RFQ
 ECAD 407 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 SCS310 Sic (kremniewый karbid) DO-220ACP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,5 - @ 10 a 0 м 50 мк. 175 ° C (MMAKS) 10 часов 500pf @ 1V, 1 мгест
U8CT-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division U8CT-E3/4W -
RFQ
 ECAD 6020 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Управо Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB U8 Станода TO-263AB (D²PAK) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 1,02 В @ 8 a 20 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. -
RS1A-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS1A-M3/5AT 0,0682
RFQ
 ECAD 9212 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA RS1A Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1,3 V @ 1 a 150 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
SF11G-BP Micro Commercial Co SF11G-BP 0,0486
RFQ
 ECAD 5363 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SF11 Станода DO-41 СКАХАТА 353-SF11G-BP Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 1 a 35 м 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
NTE6037 NTE Electronics, Inc NTE6037 -
RFQ
 ECAD 3428 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-5, Stud Станода До 5 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE6037 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,75 Е @ 267 А 500 млн 100 мк. -40 ° C ~ 125 ° C. 85A -
S4PBHM3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division S4pbhm3_b/i -
RFQ
 ECAD 3239 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, ESMP® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn S4PB Станода TO-277A (SMPC) СКАХАТА 112-S4PBHM3_B/ITR Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 4 a 2,5 мкс 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 4 а 30pf @ 4V, 1 мгест
SS15P3S-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS15P3S-M3/87A 0,9900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay ESMP® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn SS15 ШOTKIй TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 6500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 570 мВ @ 15 A 1 мая @ 30 200 ° C (MMAKS) 15A -
GD05MPS17J GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J -
RFQ
 ECAD 1326 0,00000000 Genesnыйpoluprovovodonyk - Трубка Актифен GD05MPS - 1242-GD05MPS17J Ear99 8541.10.0080 1
S07D-M-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division S07D-M-08 0,1016
RFQ
 ECAD 9174 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S07 Станода DO-219AB (SMF) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 30 000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 700 май 4pf @ 4V, 1 мгест
SGL41-60HE3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SGL41-60HE3/96 0,6500
RFQ
 ECAD 842 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-213AB, MELF SGL41 ШOTKIй GL41 (DO-213AB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 1 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 80pf @ 4V, 1 мгха
RB521S-30UNTE61 Rohm Semiconductor RB521S-30 Hunte61 -
RFQ
 ECAD 4281 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо RB521 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 846-RB521S-30 HUNTE61TR Ear99 8541.10.0070 3000
DD435N34KHPSA1 Infineon Technologies DD435N34KHPSA1 589.0700
RFQ
 ECAD 6626 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Актифен ШASCI Модул DD435N34 Станода Модул СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1 -й 3400 В. 573а 1,71 В @ 1200 А 50 май @ 3400 -40 ° С ~ 150 ° С.
BAV21WHE3-TP Micro Commercial Co BAV21WHE3-TP 0,2400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 МИКРОМЕР СО Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 BAV21 Станода SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 353-BAV21WHE3-TPTR Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 200 1,25 Е @ 200 Ма 50 млн 100 na @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° С. 200 май 1,5pf @ 0V, 1 мгха
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть