SIC
close

Vыprahytegeli (74344)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
DGP30HE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DGP30HE3/54 -
RFQ
 ECAD 4089 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru Do-201ad, Osevoй DGP30 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1400 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1500 1,2 V @ 3 a 20 мкс 5 мка @ 1500 -65 ° C ~ 175 ° C. 3A 40pf @ 4V, 1 мгест
B140AE-13 Diodes Incorporated B140ae-13 -
RFQ
 ECAD 6159 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214AC, SMA B140 ШOTKIй СМА СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 мВ @ 1 a 200 мка 40, -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 50pf @ 4V, 1 мгест
1N4006E-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4006E-E3/73 -
RFQ
 ECAD 1466 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4006 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1.1 V @ 1 a 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
CDBUR40 Comchip Technology CDBUR40 0,0851
RFQ
 ECAD 5245 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, neTLIDERSTVA ШOTKIй 0603/SOD-523F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 4000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 40 1 V @ 40 май 5 млн 200 na @ 30 v 125 ° C (MMAKS) 200 май 5pf @ 0v, 1 мгц
STTA512F STMicroelectronics Stta512f -
RFQ
 ECAD 7441 0,00000000 Stmicroelectronics Turboswitch ™ Трубка Управо Чereз dыru Isowatt220ac-3 STTA512 Станода Иоватт-220AC СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-2690-5 Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1200 2.2 V @ 5 A 95 м 100 мк @ 1200 150 ° C (MMAKS) 5A -
VS-ETH1506-1HM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETH1506-1HM3 1.9455
RFQ
 ECAD 4591 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, Fred PT® Трубка Актифен Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA ETH1506 Станода ДО-262AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VSETH15061HM3 Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2,45 - @ 15 A 42 м 15 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 15A -
US1GHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division US1GHM3_A/I. 0,1193
RFQ
 ECAD 8568 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA US1G Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 112-US1GHM3_A/ITR Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1 V @ 1 A 50 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
G3S12030B Global Power Technology-GPT G3S12030B 38.3700
RFQ
 ECAD 1386 0,00000000 Глобан - Веса Актифен Чereз dыru 247-3 Sic (kremniewый karbid) TO-247AB СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DoStiчsh и napormaцiю, dostupnuюpo зaprosue Ear99 8541.10.0080 30 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1 пар 1200 42a (DC) 1,7 - @ 15 A 0 м 50 мк. -55 ° C ~ 175 ° C.
1N5190 BK Central Semiconductor Corp 1n5190 bk -
RFQ
 ECAD 2141 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Прохл Чereз dыru R-4, osevoй 1n5190 Станода GPR-4 UTRA - DOSTISH 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,5 Е @ 10 мая 400 млн 2 мка При 600 В -65 ° C ~ 175 ° C. 3A -
1N4458 Microchip Technology 1N4458 40.3950
RFQ
 ECAD 7078 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/162 МАССА Актифен ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став 1N4458 Станода DO-203AA (DO-4) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,5 - @ 15 A 50 мкр 800 -65 ° C ~ 175 ° C. 15A -
S20100 Microchip Technology S20100 33 4500
RFQ
 ECAD 5567 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став S20100 Станода DO-203AA (DO-4) СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1,3 В @ 30 a 10 мк. -65 ° C ~ 200 ° C. 16A -
UF5400-TP Micro Commercial Co UF5400-TP -
RFQ
 ECAD 5063 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru Do-201ad, Osevoй UF5400 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1200 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1 V @ 3 a 50 млн 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 75pf @ 4v, 1 мгха
MBR3035PT onsemi MBR3035PT -
RFQ
 ECAD 2691 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо Чereз dыru 247-3 MBR3035 ШOTKIй TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 900 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 35 30A 760 мВ @ 30 a 1 май @ 35 -65 ° С ~ 150 ° С.
MSRTA200140AD GeneSiC Semiconductor MSRTA200140AD 85,9072
RFQ
 ECAD 3875 0,00000000 Genesnыйpoluprovovodonyk - МАССА Актифен ШASCI Триоахня MSRTA200 Станода Триоахня - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 18 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1 -й 1400 200a 1.1 V @ 200 a 10 мк @ 1400 -55 ° C ~ 150 ° С.
MBRF735-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF735-E3/45 -
RFQ
 ECAD 7551 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Управо Чereз dыru TO-220-2 Full Pack, Иолированажа Кладка MBRF7 ШOTKIй ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 35 840 мВ @ 15 A 100 мк @ 35 -65 ° С ~ 150 ° С. 7,5а -
S2BAH Taiwan Semiconductor Corporation S2bah 0,0725
RFQ
 ECAD 6399 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-S2Bahtr Ear99 8541.10.0080 15 000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1,1 В @ 1,5 А. 1,5 мкс 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 30pf @ 4V, 1 мгест
SK32AE3/TR13 Microsemi Corporation SK32AE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 7572 0,00000000 Microsemi Corporation * Lenta и катахка (tr) Актифен SK32 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500
PMEG3030BEP,115 Nexperia USA Inc. PMEG3030BEP, 115 0,4700
RFQ
 ECAD 62 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 PMEG3030 ШOTKIй SOD-128/CFP5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 450 мВ @ 3 a 150 мкр 30 150 ° C (MMAKS) 3A 500pf @ 1V, 1 мгест
SL14 Yangjie Technology SL14 0,0350
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-Sl14tr Ear99 3000
PG4005_R2_00001 Panjit International Inc. PG4005_R2_00001 0,1800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй PG4005 Станода DO-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 1 a 1 мка При 600 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
DZ23C4V7Q Yangjie Technology DZ23C4V7Q 0,0460
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-DZ23C4V7QTR Ear99 3000
HERAF1604G Taiwan Semiconductor Corporation HERAF1604G -
RFQ
 ECAD 6261 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 Станода ITO-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-HERAF1604G Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1 V @ 16 A 50 млн 10 мк @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 16A 150pf @ 4V, 1 мгест
FS2AFL-TP Micro Commercial Co FS2AFL-TP 0,0560
RFQ
 ECAD 7741 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds FS2A Станода DO-221AC (SMA-FL) СКАХАТА 353-FS2AFL-TP Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1,3 V @ 2 a 150 млн 5 мка прри 50 -50 ° C ~ 150 ° C. 2A 50pf @ 4V, 1 мгест
NTE6009 NTE Electronics, Inc NTE6009 21.8800
RFQ
 ECAD 52 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-5, Stud Станода До 5 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE6009 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,4 - @ 40 a 400 млн 50 мка 400 -65 ° C ~ 160 ° C. 40a -
SB1240-3G Diotec Semiconductor SB1240-3G 0,4347
RFQ
 ECAD 5545 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй ШOTKIй ДО-2011 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-SB1240-3GTR 8541.10.0000 1700 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 м. @ 12 A 500 мка 40, -50 ° C ~ 150 ° C. 12A -
ES3GHE3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division Es3ghe3/9at -
RFQ
 ECAD 9473 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214AB, SMC ES3 Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1.1 V @ 3 a 50 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 30pf @ 4V, 1 мгест
BYG20D Diotec Semiconductor Byg20d 0,0930
RFQ
 ECAD 4810 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Лавина DO-214AC, SMA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-byg20dtr 8541.10.0000 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,4 Е @ 1,5 А 75 м 1 мка, 200 -50 ° C ~ 150 ° C. 1,5а -
UG4A-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG4A-M3/54 0,2307
RFQ
 ECAD 2154 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй UG4 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1400 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 4 a 30 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 4 а 20pf @ 4V, 1 мгха
D3G Diodes Incorporated D3G -
RFQ
 ECAD 3740 0,00000000 Дидж - МАССА Управо Чereз dыru T1, OSEVOй D3G Станода T-1 СКАХАТА 31-D3G Управо 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1 V @ 1 A 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
SMAJ5819E3/TR13 Microchip Technology SMAJ5819E3/TR13 0,2400
RFQ
 ECAD 6547 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * Lenta и катахка (tr) Актифен SMAJ5819 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть