SIC
close

Дидж (3328)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
RB500V-40TE-17 Rohm Semiconductor RB500V-40TE-17 0,4900
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SC-90, SOD-323F RB500 ШOTKIй UMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 40 450 м. 1 мка рри 10в 125 ° C (MMAKS) 100 май 6pf @ 10V, 1 мгест
DAN222MT2L Rohm Semiconductor Dan222mt2l 0,4600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-723 ДАН222 Станода VMD3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 8000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 пар 80 100 май 1,2 Е @ 100 мая 4 млн 100 Na @ 70 150 ° C (MMAKS)
RB400VA-50TR Rohm Semiconductor RB400VA-50TR 0,6500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. RB400 ШOTKIй Tumd2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 м. 50 мк. 125 ° C (MMAKS) 500 май 125pf @ 0v, 1 мгест
EMN11T2R Rohm Semiconductor EMN11T2R 0,4300
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-563, SOT-666 EMN11 Станода EMD6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 8000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 2 пар 80 100 май 1,2 Е @ 100 мая 4 млн 100 Na @ 70 150 ° C (MMAKS)
EDZLDTE6111B Rohm Semiconductor Edzldte6111b -
RFQ
 ECAD 1756 0,00000000 ROHM Semiconductor Эdз Lenta и катахка (tr) Управо - -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер Edzldt 100 м СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 846-Edzldte61111btr Ear99 8541.10.0050 3000
RB051MS-2YTR Rohm Semiconductor RB051MS-2YTR -
RFQ
 ECAD 9176 0,00000000 ROHM Semiconductor * Lenta и катахка (tr) Управо - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 3000
RB215T-40 Rohm Semiconductor RB215T-40 -
RFQ
 ECAD 2436 0,00000000 ROHM Semiconductor - МАССА В аспекте Чereз dыru 220-3- RB215 ШOTKIй DO-220FN СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH RB215T40 Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 40 10 часов 550 м. @ 10 a 500 мка 40, 150 ° C (MMAKS)
DAN222MFHT2L Rohm Semiconductor DAN222MFHT2L 0,3700
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-723 ДАН222 Станода VMD3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 8000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 пар 80 100 май 1,2 Е @ 100 мая 4 млн 100 Na @ 70 150 ° C (MMAKS)
KDZTR3.6B Rohm Semiconductor KDZTR3.6B 0,1836
RFQ
 ECAD 1595 0,00000000 ROHM Semiconductor КД Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 5% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-123F KDZTR3.6 1 Вт PMDU СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 60 мка @ 1 В 3,8 В.
BZX84C33VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C33VLYFHT116 0,3800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,06% 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 100 Na @ 23 В 33 В 80 ОМ
UDZSTE-176.2B Rohm Semiconductor Udzste-176.2b 0,4000
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-90, SOD-323F Udzste 200 м UMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 мка @ 3 В 6,2 В. 60 ОМ
RBR2MM40CTFTR Rohm Semiconductor RBR2MM40CTFTR 0,4700
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123F RBR2MM40 ШOTKIй PMDU СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 520 м. @ 2 a 100 мка 40, 150 ° C (MMAKS) 2A -
RF301BM2STL Rohm Semiconductor RF301BM2STL 0,3675
RFQ
 ECAD 3396 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 RF301 Станода 252 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 930 мВ @ 3 a 25 млн 10 мк. 150 ° C (MMAKS) 3A -
CDZT2R16B Rohm Semiconductor Cdzt2r16b 0,0928
RFQ
 ECAD 7407 0,00000000 ROHM Semiconductor CDZ Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-923 Cdzt2 100 м VMN2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 100 na @ 12 v 16 50 ОМ
BAT54CHMFHT116 Rohm Semiconductor BAT54CHMFHT116 0,1900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 ШOTKIй SSD3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 пар 30 200 май (DC) 800 мВ @ 100 мая 50 млн 2 мка 4 25 150 ° C (MMAKS)
RB085B-90TL Rohm Semiconductor RB085B-90TL -
RFQ
 ECAD 1184 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 RB085B-90 ШOTKIй CPD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 90 5A 830 м. @ 5 a 150 мкр 90 150 ° C (MMAKS)
DAP222WMTL Rohm Semiconductor DAP222WMTL 0,3100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-89, SOT-490 DAP222 Станода EMD3F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 80 100 май 1,2 Е @ 100 мая 4 млн 100 Na @ 70 150 ° C (MMAKS)
RB058RSM10STFTL1 Rohm Semiconductor RB058RSM10STFTL1 1,3000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn RB058 ШOTKIй ДО-277А СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 4000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 810 мВ @ 3 a 1,3 мк 175 ° С 3A -
RB055LA-409HKTR Rohm Semiconductor RB055LA-409HKTR -
RFQ
 ECAD 9426 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOD-128 ШOTKIй PMDT - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-RB055LA-409HKTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 620 мВ @ 3 a 100 мка 40, 150 ° С 3A -
RB058L-40DDTE25 Rohm Semiconductor RB058L-40DDTE25 0,6400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер DO-214AC, SMA RB058 ШOTKIй PMDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 700 мВ @ 3 a 5 мка 40, 150 ° C (MMAKS) 3A -
MTZJT-7727C Rohm Semiconductor Mtzjt-7727c -
RFQ
 ECAD 7118 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzjt-7727 500 м MSD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 200 Na @ 21 V 27 45 ОМ
UMZ18KFHTL Rohm Semiconductor Umz18kfhtl 0,3500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 2,2% 150 ° C (TJ) Пефер SC-82A, SOT-343 UMZ18 200 м UMD4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 2 neзaviymый 100 na @ 13 v 17.96 v
DAN202UMTL Rohm Semiconductor Dan202UMTL 0,2800
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-85 ДАН202 Станода UMD3F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 пар 80 100 май 1,2 Е @ 100 мая 4 млн 100 Na @ 70 150 ° C (MMAKS)
RB228NS-30FHTL Rohm Semiconductor RB228NS-30FHTL 2.0600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB RB228 ШOTKIй LPDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 30 30A 720 м. @ 15 A 10 мк. 150 ° C (MMAKS)
1SS400G9JTE61 Rohm Semiconductor 1SS400G9JTE61 -
RFQ
 ECAD 9203 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 846-1SS400G9JTE61TR Ear99 8541.10.0070 3000
RLZTE-1116B Rohm Semiconductor Rlzte-11116b -
RFQ
 ECAD 2821 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо ± 3% - Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 м LLDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 200 na @ 12 v 16 18 О
UFZVFHTE-1739B Rohm Semiconductor Ufzvfhte-1739b 0,3100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2,45% 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F Ufzvfhte 500 м UMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 200 na @ 30 v 39 85 ОМ
RF601BM2DFHTL Rohm Semiconductor RF601BM2DFHTL 1.1200
RFQ
 ECAD 2885 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 RF601 Станода 252 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 6A 930 мВ @ 3 a 25 млн 10 мк. 150 ° C (MMAKS)
EDZFHTE6115B Rohm Semiconductor Edzfhte6115b -
RFQ
 ECAD 8819 0,00000000 ROHM Semiconductor Эdз Lenta и катахка (tr) Управо - -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер Edzfht 100 м СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 846-EDZFHTE6115BTR Ear99 8541.10.0050 3000
RB751S-40GTE61 Rohm Semiconductor RB751S-40GTE61 -
RFQ
 ECAD 2935 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо RB751 - Rohs3 1 (neograniчennnый) 846-RB751S-40GTE61TR Управо 3000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть