SIC
close

Дидж (3328)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
RB751ASA-40FHT2RB Rohm Semiconductor RB751ASA-40FHT2RB 0,4800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-882 ШOTKIй DFN1006-2W СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0070 8000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 30 370 мВ @ 1ma 500 NA @ 30 V 150 ° С 30 май 2pf @ 1V, 1 мгест
RBR2L40ATE25 Rohm Semiconductor RBR2L40ATE25 0,6000
RFQ
 ECAD 944 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер DO-214AC, SMA RBR2L40 ШOTKIй PMDS - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 мВ @ 2 a 80 мка 40, 150 ° C (MMAKS) 2A -
TFZVTR30B Rohm Semiconductor Tfzvtr30b 0,3700
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен - -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. Tfzvtr30 500 м Tumd2m СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 200 Na @ 23 V 30 55 ОМ
DAN217UMTL Rohm Semiconductor Dan217Umtl 0,3800
RFQ
 ECAD 88 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-85 ДАН217 Станода UMD3F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 -й 80 100 май 1,2 Е @ 100 мая 4 млн 200 na @ 70 v 150 ° C (MMAKS)
1SR124-400AT-82 Rohm Semiconductor 1SR124-400AT-82 -
RFQ
 ECAD 8647 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1SR124 Станода GSR СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1SR124400AT82 Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 1 a 400 млн 10 мка 400 1A -
RB168VYM100FHTR Rohm Semiconductor RB168VYM100FHTR 0,4300
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. RB168 ШOTKIй Tumd2m СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 840mw @ 1 a 6,7 млн 300 NA @ 100 V 150 ° C (MMAKS) 1A -
RB411VA-50TR Rohm Semiconductor RB411VA-50TR 0,1360
RFQ
 ECAD 4907 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. RB411 ШOTKIй Tumd2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 500 м. @ 500 мая 30 мк. 125 ° C (MMAKS) 500 май 20pf @ 10 v, 1 мгновение
RRE02VS6SGTR Rohm Semiconductor RRE02VS6SGTR 0,0983
RFQ
 ECAD 7578 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. RRE02 Станода Tumd2s СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 600 1,1 - @ 200 Ма 1 мка При 600 150 ° C (MMAKS) 200 май -
RB095T-40 Rohm Semiconductor RB095T-40 1.1100
RFQ
 ECAD 493 0,00000000 ROHM Semiconductor - МАССА В аспекте Чereз dыru 220-3- RB095 ШOTKIй DO-220FN СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH RB095T40 Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 40 3A 550 мВ @ 3 a 100 мка 40, 150 ° C (MMAKS)
RB058L-40TE25 Rohm Semiconductor RB058L-40TE25 0,5700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер DO-214AC, SMA RB058 ШOTKIй PMDS - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 700 мВ @ 3 a 5 мка 40, 150 ° C (MMAKS) 3A -
DAN202KFHT146 Rohm Semiconductor Dan202kfht146 0,4800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 ДАН202 Станода SMD3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-DAN202KFHT146TR Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 пар 80 100 май 1,2 Е @ 100 мая 4 млн 100 Na @ 70 150 ° C (MMAKS)
SCS215AJHRTLL Rohm Semiconductor SCS215AJHRTLL 9.5300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SCS215 Sic (kremniewый karbid) DO-263AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,55 В @ 15 A 0 м 300 мк. 175 ° C (MMAKS) 15A 550pf @ 1V, 1 мгест
KDZVTR5.1B Rohm Semiconductor Kdzvtr5.1b 0,3800
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 ROHM Semiconductor KDZV Lenta и катахка (tr) Актифен - 150 ° С Пефер SOD-123F Kdzvtr5.1 1 Вт PMDU СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 20 мка При 1в 5,4 В.
RBR3L60ATE25 Rohm Semiconductor RBR3L60ATE25 0,6000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер DO-214AC, SMA RBR3L60 ШOTKIй PMDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 660 мВ @ 3 a 100 мк -пр. 60 150 ° C (MMAKS) 3A -
RB751VM-40TE-17 Rohm Semiconductor RB751VM-40TE-17 0,3700
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-90, SOD-323F RB751 ШOTKIй UMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 30 370 мВ @ 1ma 500 NA @ 30 V 150 ° C (MMAKS) 30 май 2pf @ 1V, 1 мгест
RBR2LAM60ATR Rohm Semiconductor Rbr2lam60atr 0,5300
RFQ
 ECAD 9429 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 Rbr2lam60 ШOTKIй PMDTM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 650 мВ @ 2 a 75 мк -пр. 60 150 ° C (MMAKS) 2A -
RBQ10NS100ATL Rohm Semiconductor RBQ10NS100ATL 1,9000
RFQ
 ECAD 970 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB RBQ10 ШOTKIй LPDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 10 часов 770 мВ @ 5 a 80 мк -4 100 150 ° С
EMZT6.8ET2R Rohm Semiconductor Emzt6.8et2r 0,4700
RFQ
 ECAD 37 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен - - Пефер SOT-553 EMZT6.8 150 м EMD5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 2 пар 6,8 В.
KDZTR24B Rohm Semiconductor KDZTR24B 0,5200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor КД Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 7% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-123F KDZTR24 1 Вт PMDU СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 10 мк @ 19 25,3 В.
RBR5LAM40ATR Rohm Semiconductor Rbr5lam40atr 0,6200
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 Rbr5lam40 ШOTKIй PMDTM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 530 м. @ 5 a 200 мка 40, 150 ° C (MMAKS) 5A -
RB215T-60 Rohm Semiconductor RB215T-60 -
RFQ
 ECAD 2644 0,00000000 ROHM Semiconductor - МАССА В аспекте Чereз dыru 220-3- RB215 ШOTKIй DO-220FN СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH RB215T60 Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 10 часов 580 мВ @ 10 a 600 мк. 150 ° C (MMAKS)
UDZVTE-1736B Rohm Semiconductor Udzvte-1736b 0,2700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен - -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-90, SOD-323F Udzvte 200 м UMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 100 na @ 27 36 300 ОМ
EDZGJTE615.6B Rohm Semiconductor Edzgjte615.6b -
RFQ
 ECAD 4664 0,00000000 ROHM Semiconductor Эdз Lenta и катахка (tr) Управо - -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер Edzgjt 100 м СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 846-Edzgjte615.6btr Ear99 8541.10.0050 3000
RF071L4STE25 Rohm Semiconductor RF071L4STE25 0,1009
RFQ
 ECAD 4779 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер DO-214AC, SMA RF071 Станода PMDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,25 Е @ 700 Ма 25 млн 10 мка 400 150 ° C (MMAKS) 1A -
RLS139TE-11 Rohm Semiconductor RLS139TE-11 -
RFQ
 ECAD 7264 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 RLS139 Станода LLDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 2500 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 80 1,2 Е @ 100 мая 50 млн 20 Na @ 30 V 175 ° C (MMAKS) 130 май 5pf pri 0,5 v, 1 мг
RB080L-30TE25 Rohm Semiconductor RB080L-30TE25 0,6000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер DO-214AC, SMA RB080 ШOTKIй PMDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 510 мВ @ 5 a 150 мкр 30 150 ° C (MMAKS) 5A -
STZ5.6NT146 Rohm Semiconductor STZ5.6nt146 0,5900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% - Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 STZ5.6 200 м SMD3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 пар 1 мка 4,5 5,6 В. 60 ОМ
RB162MM-60TR Rohm Semiconductor RB162MM-60TR 0,4100
RFQ
 ECAD 430 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123F RB162 ШOTKIй PMDU СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 650 мВ @ 1 a 100 мк -пр. 60 150 ° C (MMAKS) 1A -
RB530SM-40FHT2R Rohm Semiconductor RB530SM-40FHT2R 0,2000
RFQ
 ECAD 31 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-79, SOD-523 RB530 ШOTKIй EMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 8000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 40 710 м. 15 мка 40, 150 ° C (MMAKS) 100 май -
RB081L-20TE25 Rohm Semiconductor RB081L-20TE25 0,5100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер DO-214AC, SMA RB081 ШOTKIй PMDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 450 м. 700 мк. 125 ° C (MMAKS) 5A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть