SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
TFZVTR18B Rohm Semiconductor Tfzvtr18b 0,3700
RFQ
ECAD 6 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 3% 150 ° С Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. Tfzvtr18 500 м Tumd2m СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 200 na @ 13 v 18 23 ОМ
YFZVFHTR7.5B Rohm Semiconductor Yfzvfhtr7.5b 0,4300
RFQ
ECAD 986 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2,62% 150 ° C (TJ) Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. Yfzvfhtr7.5 500 м Tumd2m СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 500 NA @ 4 V 7,26 В. 8 О
CDZVT2R6.8B Rohm Semiconductor Cdzvt2r6.8b 0,2700
RFQ
ECAD 6 0,00000000 ROHM Semiconductor Cdzv Lenta и катахка (tr) Актифен - 150 ° С Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. Cdzvt2 100 м Vmn2m СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 500 NA @ 3,5 6,8 В. 40 ОМ
TFZGTR2.4B Rohm Semiconductor Tfzgtr2.4b 0,0886
RFQ
ECAD 2039 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте - -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. Tfzgtr2.4 500 м Tumd2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 2,4 В.
RBS1MM40ATR Rohm Semiconductor RBS1MM40ATR 0,4800
RFQ
ECAD 7 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123F RBS1MM40 ШOTKIй PMDU СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 380 мВ @ 1 a 400 мк. 125 ° C (MMAKS) 1A -
MTZJT-773.3B Rohm Semiconductor Mtzjt-773.3b -
RFQ
ECAD 1927 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt773.3b Ear99 8541.10.0050 5000 3.3в
UMZ18NT106 Rohm Semiconductor UMZ18NT106 0,1075
RFQ
ECAD 3998 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2,19% 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 UMZ18 200 м UMD3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 пар 100 na @ 13 v 18
RBQ30TB45BHZC9 Rohm Semiconductor RBQ30TB45BHZC9 2.5400
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru 220-2 ШOTKIй DO-220FN-2 - 3 (168 чASOW) 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 590 мВ @ 30 a 350 мка 45 150 ° С 30A -
RB095T-60NZC9 Rohm Semiconductor RB095T-60NZC9 2.0200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3- RB095 ШOTKIй DO-220FN СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-RB095T-60NZC9 Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 6A 580mw @ 3 a 300 мк. 150 ° С
RB055L-30DDTE25 Rohm Semiconductor RB055L-30DDTE25 0,5500
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер DO-214AC, SMA RB055 ШOTKIй PMDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 мВ @ 3 a 50 мк. 150 ° C (MMAKS) 3A -
RFN20TF6SFHC9 Rohm Semiconductor RFN20TF6SFHC9 2.0300
RFQ
ECAD 462 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 RFN20 Станода DO-220NFM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,55 В @ 20 a 60 млн 10 мк. 150 ° C (MMAKS) 20 часов -
KDZVTR2.4B Rohm Semiconductor Kdzvtr2.4b 0,4300
RFQ
ECAD 10 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,25% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F KDZVTR2.4 1 Вт PMDU СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 200 мк @ 1 В 2,4 В.
BZX84B30VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84B30VLYT116 0,4500
RFQ
ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 100 Na @ 21 V 30 80 ОМ
RB050LAM-40TR Rohm Semiconductor RB050LAM-40TR 0,4800
RFQ
ECAD 26 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 RB050 ШOTKIй PMDTM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 мВ @ 3 a 100 мка 40, 150 ° C (MMAKS) 3A -
RBQ10NS45ATL Rohm Semiconductor RBQ10NS45ATL 1.1600
RFQ
ECAD 150 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB RBQ10 ШOTKIй LPDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 45 10 часов 650 мВ @ 5 a 70 мкр 45 150 ° C (MMAKS)
RB520CM-30T2R Rohm Semiconductor RB520CM-30T2R 0,3500
RFQ
ECAD 89 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. RB520 ШOTKIй Vmn2m СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 8000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 450 м. 500 NA @ 10 V 150 ° C (MMAKS) 100 май -
RB162MM-60TR Rohm Semiconductor RB162MM-60TR 0,4100
RFQ
ECAD 430 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123F RB162 ШOTKIй PMDU СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 650 мВ @ 1 a 100 мк -пр. 60 150 ° C (MMAKS) 1A -
BZX84B13VLYT116 Rohm Semiconductor Bzx84b13vlyt116 0,4500
RFQ
ECAD 5 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2,31% 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 100 na @ 8 v 13 30 ОМ
BAS16T116 Rohm Semiconductor BAS16T116 -
RFQ
ECAD 9143 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS16 Станода SSD3 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-BAS16T116TR Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 80 1,2 Е @ 100 мая 4 млн 100 Na @ 70 150 ° С 100 май 3,5pf @ 6V, 1 мгновение
RBR5LAM30ATR Rohm Semiconductor Rbr5lam30atr 0,5400
RFQ
ECAD 16 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 Rbr5lam30 ШOTKIй PMDTM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 540 мВ @ 5 a 100 мк. 150 ° C (MMAKS) 5A -
BAV170HYFHT116 Rohm Semiconductor BAV170HYFHT116 0,4400
RFQ
ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV170 Станода SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1 пар 80 215 май (DC) 1,25 В @ 150 3 мкс 5 Na @ 75 V 150 ° С
RFV5BGE6STL Rohm Semiconductor RFV5BGE6STL 15000
RFQ
ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 RFV5BGE6 Станода 252GE СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2,8 В @ 5 a 40 млн 10 мк. 150 ° С 5A -
KDZVTR9.1B Rohm Semiconductor Kdzvtr9.1b 0,3900
RFQ
ECAD 1293 0,00000000 ROHM Semiconductor KDZV Lenta и катахка (tr) Актифен - 150 ° С Пефер SOD-123F Kdzvtr9.1 1 Вт PMDU СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 20 мк. 9,65 В.
YFZVFHTR39B Rohm Semiconductor YFZVFHTR39B 0,4300
RFQ
ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 2,52% 150 ° C (TJ) Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. Yfzvfhtr39 500 м Tumd2m СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 200 na @ 30 v 36,28 В. 85 ОМ
RFN10T2D Rohm Semiconductor Rfn10t2d 1.4200
RFQ
ECAD 194 0,00000000 ROHM Semiconductor - МАССА В аспекте Чereз dыru 220-3- RFN10 Станода DO-220FN СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 5A 980mw @ 5 a 25 млн 10 мк. 150 ° C (MMAKS)
YFZVFHTR3.3B Rohm Semiconductor Yfzvfhtr3.3b 0,4300
RFQ
ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 3,07% 150 ° C (TJ) Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. YFZVFHTR3.3 500 м Tumd2m СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 20 мка При 1в 3,43 В. 70 ОМ
UDZVFHTE-1718B Rohm Semiconductor Udzvfhte-1718b 0,3900
RFQ
ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2,19% 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F Udzvfhte 200 м UMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 100 na @ 13 v 18 65 ОМ
RSX201LAM30TR Rohm Semiconductor RSX201LAM30TR 0,4200
RFQ
ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. RSX201 ШOTKIй Tumd2m СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 440 мВ @ 2 a 150 мкр 30 150 ° C (MMAKS) 2A -
BAW56T116 Rohm Semiconductor BAW56T116 -
RFQ
ECAD 8322 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BAW56 Станода SSD3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 70 215 май 1,25 В @ 150 4 млн 1 мка При 75 150 ° C (MMAKS)
RB238T-60NZC9 Rohm Semiconductor RB238T-60NZC9 2.0100
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3- RB238 ШOTKIй DO-220FN СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 40a 860 мВ @ 20 a 12 мк -пр. 60 В 150 ° C (MMAKS)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе