SIC
close

Дидж (3328)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (Dollar) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
RB521G-30T2R Rohm Semiconductor RB521G-30T2R -
RFQ
 ECAD 6149 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOD-723 RB521 ШOTKIй VMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 8000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 30 350 м. 10 мк. 125 ° C (MMAKS) 100 май -
RFUS20NS4STL Rohm Semiconductor Rfus20ns4stl 2.2300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB RFUS20 Станода LPDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 430 150 ° C (MMAKS) 20 часов -
RB421DT146 Rohm Semiconductor RB421DT146 0,3800
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 RB421 ШOTKIй SMD3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 40 550 м. 30 мк. 125 ° C (MMAKS) 100 май 6pf @ 10V, 1 мгест
VDZT2R15B Rohm Semiconductor VDZT2R15B -
RFQ
 ECAD 2108 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-723 Vdzt2 100 м VMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 100 na @ 11 v 14,7 В. 42 ОМ
MTZJT-777.5C Rohm Semiconductor Mtzjt-777.5c -
RFQ
 ECAD 7695 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй 500 м MSD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 500 NA @ 4 V 7,5 В. 20 ОМ
CDZVT2R2.4B Rohm Semiconductor Cdzvt2r2.4b 0,2700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен - 150 ° С Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. Cdzvt2 100 м Vmn2m СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 120 мк -перо 1 2,4 В. 100 ОМ
RFV8BM6SFHTL Rohm Semiconductor Rfv8bm6sfhtl 1.4300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 RFV8BM6 Станода 252 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2,8 В @ 8 A 45 м 10 мк. 150 ° C (MMAKS) 8. -
TFZGTR11B Rohm Semiconductor Tfzgtr11b 0,0886
RFQ
 ECAD 5094 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте - -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. Tfzgtr11 500 м Tumd2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 200 na @ 8 v 11 10 ОМ
RB088T150FH Rohm Semiconductor RB088T150FH -
RFQ
 ECAD 5494 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 МАССА В аспекте Чereз dыru 220-3- RB088 ШOTKIй DO-220FN СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 150 5A 880mw @ 5 a 15 мк. 150 ° C (MMAKS)
RB215T-90NZC9 Rohm Semiconductor RB215T-90NZC9 3.2900
RFQ
 ECAD 895 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3- RB215 ШOTKIй DO-220FN СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-RB215T-90NZC9 Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 90 20 часов 750 мВ @ 10 a 400 мк -при 90 150 ° С
RFN6B2DTL Rohm Semiconductor Rfn6b2dtl -
RFQ
 ECAD 4713 0,00000000 ROHM Semiconductor * Lenta и катахка (tr) Управо - Rohs3 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 2500
MTZJT-7713C Rohm Semiconductor Mtzjt-7713c -
RFQ
 ECAD 6411 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй 500 м MSD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 200 Na @ 10 V 13 25 ОМ
SCS312AHGC9 Rohm Semiconductor SCS312AHGC9 6 9400
RFQ
 ECAD 43 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 SCS312 Sic (kremniewый karbid) DO-220ACP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 0 м 60 мка @ 650 175 ° C (MMAKS) 12A 600pf @ 1V, 1 мгха
RB095B-30TL Rohm Semiconductor RB095B-30TL -
RFQ
 ECAD 2425 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 RB095B-30 ШOTKIй CPD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 30 3A 425 мВ @ 3 a 200 мка прри 30 150 ° C (MMAKS)
RB050L-40TE25 Rohm Semiconductor RB050L-40TE25 0,5000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер DO-214AC, SMA RB050 ШOTKIй PMDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 мВ @ 3 a 1 май @ 40 125 ° C (MMAKS) 3A -
SCS230KE2AHRC Rohm Semiconductor SCS230KE2AHRC -
RFQ
 ECAD 7942 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Управо Чereз dыru 247-3 SCS230 Sic (kremniewый karbid) 247 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 360 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1 пар 1200 15a (DC) 1,6 В @ 15 а 0 м 300 мк. 175 ° C (MMAKS)
UMN10NTR Rohm Semiconductor Umn10ntr 0,5000
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 UMN10 Станода UMD6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 3 neзaviymый 80 100 май 1,2 Е @ 100 мая 4 млн 100 Na @ 70 150 ° C (MMAKS)
RR1LAM6STFTR Rohm Semiconductor Rr1lam6stftr 0,5700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SOD-128 Rr1lam6 Станода PMDT СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-rr1lam6stftrdkr Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 1 a 10 мк. 150 ° С 1A -
TFZGTR30B Rohm Semiconductor Tfzgtr30b 0,0886
RFQ
 ECAD 4105 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте - -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. Tfzgtr30 500 м Tumd2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 200 Na @ 23 V 30 55 ОМ
STZ6.8TT146 Rohm Semiconductor STZ6.8TT146 0,6100
RFQ
 ECAD 4985 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% - Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 STZ6.8 200 м SMD3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 пар 500 NA @ 3,5 6,8 В. 40 ОМ
SCS206AMC Rohm Semiconductor SCS206AMC 2.1240
RFQ
 ECAD 9885 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка В аспекте Чereз dыru 220-2 SCS206 Sic (kremniewый karbid) DO-220FM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,55 В @ 6 a 0 м 120 мк -при 600 175 ° C (MMAKS) 6A 219pf @ 1V, 1 мгест
RR1LAM4STFTR Rohm Semiconductor Rr1lam4stftr 0,4700
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SOD-128 Rr1lam4 Станода PMDT СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-rr1lam4stftrdkr Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1.1 V @ 1 a 10 мка 400 150 ° С 1A -
BAV199HMFHT116 Rohm Semiconductor BAV199HMFHT116 0,2600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV199 Станода SSD3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1 -й 80 215 май (DC) 1,25 В @ 150 3 мкс 5 Na @ 75 V 150 ° C (MMAKS)
UFZVTE-1736B Rohm Semiconductor Ufzvte-1736b 0,3900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2,61% 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F 500 м UMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 200 Na @ 27 V 34,12 В. 75 ОМ
EMZ6.8NTL Rohm Semiconductor Emz6.8ntl 0,4700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен - - Пефер SC-75, SOT-416 EMZ6.8 150 м EMD3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 пар 500 NA @ 3,5 6,8 В. 40 ОМ
RR2LAM6STR Rohm Semiconductor Rr2lamstr 0,5100
RFQ
 ECAD 8692 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SOD-128 Rr2lam6 Станода PMDTM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 2 A 10 мк. 150 ° C (MMAKS) 2A -
RB053L-30TE25 Rohm Semiconductor RB053L-30TE25 0,3115
RFQ
 ECAD 1811 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер DO-214AC, SMA RB053 ШOTKIй PMDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 420 мВ @ 3 a 200 мка прри 30 125 ° C (MMAKS) 3A -
MTZJT-7730C Rohm Semiconductor Mtzjt-7730c -
RFQ
 ECAD 5418 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй 500 м MSD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 200 Na @ 23 V 30 55 ОМ
CDZVT2R3.9B Rohm Semiconductor Cdzvt2r3.9b 0,2700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен - 150 ° С Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. Cdzvt2 100 м Vmn2m СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 5 мка @ 1 В 3,9 В. 100 ОМ
RB160MM-90TR Rohm Semiconductor RB160MM-90TR 0,3600
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123F RB160 ШOTKIй PMDU СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 730 мВ @ 1 a 100 мк. 150 ° C (MMAKS) 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть