SIC
close

Дидж (3328)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодадж Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
RB161VAM-20TR Rohm Semiconductor RB161VAM-20TR 0,4300
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. RB161 ШOTKIй Tumd2m СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 420 мВ @ 1 a 1 мая @ 20 125 ° C (MMAKS) 1A -
RF101LAM4STR Rohm Semiconductor RF101Lam4str 0,4500
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 RF101 Станода PMDTM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,25 - @ 1 a 25 млн 10 мка 400 150 ° C (MMAKS) 1A -
RFN30TS6DGC11 Rohm Semiconductor RFN30TS6DGC11 2.6416
RFQ
 ECAD 6879 0,00000000 ROHM Semiconductor - МАССА В аспекте Чereз dыru 247-3 RFN30 Станода 247 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 450 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 600 15A 1,55 В @ 15 A 55 м 10 мк. 150 ° C (MMAKS)
RB717UMTL Rohm Semiconductor RB717UMTL 0,4900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-85 RB717 ШOTKIй UMD3F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 пар 40 30 май 370 мВ @ 1ma 1 мка 30 30 125 ° C (MMAKS)
RB521AS-40T2R Rohm Semiconductor RB521AS-40T2R -
RFQ
 ECAD 6552 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 2-SMD, neTLIDERSTVA RB521 ШOTKIй VML2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 8000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 450 м. 90 мка 4 40 150 ° C (MMAKS) 200 май -
RB511SM-40FHT2R Rohm Semiconductor RB511SM-40FHT2R 0,2100
RFQ
 ECAD 4621 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SC-79, SOD-523 RB511 ШOTKIй EMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 8000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 40 410 м. 25 мка 40, 125 ° C (MMAKS) 100 май -
RFN6BM2DFHTL Rohm Semiconductor Rfn6bm2dfhtl 1.0400
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 RFN6 Станода 252 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 6A 980mw @ 3 a 25 млн 10 мк. 150 ° C (MMAKS)
RF2001T2D Rohm Semiconductor RF2001T2D 0,8552
RFQ
 ECAD 1251 0,00000000 ROHM Semiconductor - МАССА В аспекте Чereз dыru 220-3- RF2001 Станода DO-220FN СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 10 часов 930 мВ @ 10 a 30 млн 10 мк. 150 ° C (MMAKS)
BAS40-06HMFHT116 Rohm Semiconductor BAS40-06HMFHT116 0,2100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 ШOTKIй SSD3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 пар 40 120 май (DC) 1 V @ 40 май 10 мка 40, 150 ° C (MMAKS)
RB021VA90TR Rohm Semiconductor RB021VA90TR 0,1948
RFQ
 ECAD 4272 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. RB021 ШOTKIй Tumd2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 90 490 мВ @ 200 Ма 900 мк -при 90 125 ° C (MMAKS) 200 май -
RB751G-40T2R Rohm Semiconductor RB751G-40T2R -
RFQ
 ECAD 2676 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOD-723 RB751G-40 ШOTKIй VMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 8000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 30 370 мВ @ 1ma 500 NA @ 30 V 125 ° C (MMAKS) 30 май 2pf @ 1V, 1 мгест
RB521CS-30FHT2RA Rohm Semiconductor RB521CS-30FHT2RA 0,4600
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-923 RB521 ШOTKIй VMN2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 8000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 30 350 м. 10 мк. 150 ° C (MMAKS) 100 май -
RB551V-30TE-17 Rohm Semiconductor RB551V-30TE-17 0,4700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SC-90, SOD-323F RB551 ШOTKIй UMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 470 мВ @ 500 мая 100 мк. 125 ° C (MMAKS) 500 май -
RB218BM200FHTL Rohm Semiconductor RB218BM200FHTL 2.0800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 RB218 ШOTKIй 252 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 20 часов 880mw @ 10 a 10 мк. 150 ° C (MMAKS)
RB400VAM-50TR Rohm Semiconductor RB400VAM-50TR 0,4100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. RB400 ШOTKIй Tumd2m СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 550 м. 50 мк. 150 ° C (MMAKS) 500 май 130pf @ 0V, 1 мгест
VDZT2R30B Rohm Semiconductor VDZT2R30B -
RFQ
 ECAD 7126 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо ± 3% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-723 Vdzt2 100 м VMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 100 Na @ 23 В 30 200 ОМ
RRE02VSM6STR Rohm Semiconductor RRE02VSM6STR 0,3800
RFQ
 ECAD 84 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. RRE02 Станода Tumd2sm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,1 - @ 200 Ма 1 мка При 600 150 ° C (MMAKS) 200 май -
VDZT2R3.9B Rohm Semiconductor VDZT2R3.9B -
RFQ
 ECAD 8040 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо ± 3% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-723 Vdzt2 100 м VMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 5 мка @ 1 В 3,9 В. 100 ОМ
UDZSTE-173.6B Rohm Semiconductor Udzste-173.6b 0,3900
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 3% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-90, SOD-323F Udzste 200 м UMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 10 мка @ 1 В 3,6 В. 100 ОМ
KDZVTR5.6B Rohm Semiconductor Kdzvtr5.6b 0,3900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 ROHM Semiconductor KDZV Lenta и катахка (tr) Актифен - 150 ° С Пефер SOD-123F Kdzvtr5.6 1 Вт PMDU СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 20 мк. 5,95 В.
RF201LAM2STFTR Rohm Semiconductor RF201lam2stftr 0,6600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 RF201 Станода PMDTM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 870 мВ @ 2 a 25 млн 10 мк. 150 ° C (MMAKS) 2A -
RB168VAM-40TR Rohm Semiconductor RB168VAM-40TR 0,3600
RFQ
 ECAD 412 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. RB168 ШOTKIй Tumd2m СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 790mw @ 1 a 500 NA @ 40 V 150 ° С 1A -
VDZT2R6.2B Rohm Semiconductor Vdzt2r6.2b -
RFQ
 ECAD 8872 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-723 Vdzt2 100 м VMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 1 мка @ 3 В 6,2 В. 60 ОМ
MTZJT-7710B Rohm Semiconductor Mtzjt-7710b -
RFQ
 ECAD 1007 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй 500 м MSD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 200 na @ 7 v 10 20 ОМ
RB162LAM-60TR Rohm Semiconductor RB162lam-60tr 0,4900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 RB162 ШOTKIй PMDTM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 650 мВ @ 1 a 100 мк -пр. 60 150 ° C (MMAKS) 1A -
RSX078BM2STL Rohm Semiconductor RSX078BM2STL 1.2300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 ШOTKIй 252 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 920 мВ @ 5 a 200 na @ 200 v 175 ° С 5A -
CDZT2R5.1B Rohm Semiconductor Cdzt2r5.1b 0,0928
RFQ
 ECAD 8571 0,00000000 ROHM Semiconductor CDZ Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-923 Cdzt2 100 м VMN2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 2 мка пр. 1,5 5,1 В. 80 ОМ
DA228UT106 Rohm Semiconductor DA228UT106 0,4300
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 DA228 Станода UMD3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 -й 80 100 май 1,2 Е @ 100 мая 100 na @ 80 150 ° C (MMAKS)
RB218NS150FHTL Rohm Semiconductor RB218NS150FHTL 1.5200
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB RB218 ШOTKIй LPDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 150 20 часов 880mw @ 10 a 14,8 млн 20 мк -при 150 150 ° C (MMAKS)
RF051UA1DTR Rohm Semiconductor RF051UA1DTR 0,4400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 RF051 Станода TSMD6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 2 neзaviymый 100 500 май 980 мВ @ 500 мая 25 млн 10 мк -пки 100 150 ° C (MMAKS)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть