SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
MTZJT-7216C Rohm Semiconductor Mtzjt-7216c -
RFQ
ECAD 9207 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzjt-72 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt7216c Ear99 8541.10.0050 5000 200 na @ 12 v 16 25 ОМ
MTZJT-7218B Rohm Semiconductor Mtzjt-7218b -
RFQ
ECAD 1933 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzjt-72 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt7218b Ear99 8541.10.0050 5000 200 na @ 13 v 18 30 ОМ
MTZJT-724.3C Rohm Semiconductor Mtzjt-724.3c -
RFQ
ECAD 4998 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzjt-72 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt724.3c Ear99 8541.10.0050 5000 5 мка @ 1 В 4,3 В. 100 ОМ
MTZJT-724.7B Rohm Semiconductor Mtzjt-724.7b -
RFQ
ECAD 1708 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzjt-72 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt724.7b Ear99 8541.10.0050 5000 5 мка @ 1 В 4,7 В. 80 ОМ
MTZJT-725.1A Rohm Semiconductor Mtzjt-725.1a -
RFQ
ECAD 6815 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzjt-72 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt725.1a Ear99 8541.10.0050 5000 5 мк -при 1,5 5,1 В. 70 ОМ
MTZJT-727.5A Rohm Semiconductor Mtzjt-727.5a -
RFQ
ECAD 7077 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzjt-72 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt727.5a Ear99 8541.10.0050 5000 500 NA @ 4 V 7,5 В. 20 ОМ
MTZJT-727.5B Rohm Semiconductor Mtzjt-727.5b -
RFQ
ECAD 4763 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzjt-72 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt727.5b Ear99 8541.10.0050 5000 500 NA @ 4 V 7,5 В. 20 ОМ
MTZJT-729.1B Rohm Semiconductor Mtzjt-729.1b -
RFQ
ECAD 9670 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzjt-72 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt729.1b Ear99 8541.10.0050 5000 500 NA @ 6 V 9.1. 20 ОМ
MTZJT-772.0B Rohm Semiconductor Mtzjt-772.0b -
RFQ
ECAD 1313 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt772.0b Ear99 8541.10.0050 5000 2 V.
MTZJT-772.4B Rohm Semiconductor Mtzjt-772.4b -
RFQ
ECAD 7634 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt772.4b Ear99 8541.10.0050 5000 2,4 В.
PDZVTR10B Rohm Semiconductor Pdzvtr10b 0,4500
RFQ
ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor PDZV Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,66% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-128 Pdzvtr10 1 Вт PMDTM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 10 мк -прри 7в 10,6 В. 6 ОМ
PDZVTR12B Rohm Semiconductor Pdzvtr12b 0,4100
RFQ
ECAD 14 0,00000000 ROHM Semiconductor PDZV Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,88% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-128 Pdzvtr12 1 Вт PMDTM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 10 мкр 9в 12,75 8 О
PDZVTR13A Rohm Semiconductor Pdzvtr13a 0,1275
RFQ
ECAD 1001 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 6,42% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-128 Pdzvtr13 1 Вт PMDTM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 10 мк. 13,25 В. 10 ОМ
PDZVTR16B Rohm Semiconductor Pdzvtr16b 0,4500
RFQ
ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor PDZV Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,09% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-128 PDZVTR16 1 Вт PMDTM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 10 мк. 17,25 В. 12
PDZVTR24B Rohm Semiconductor Pdzvtr24b 0,4500
RFQ
ECAD 8 0,00000000 ROHM Semiconductor PDZV Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,98% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-128 Pdzvtr24 1 Вт PMDTM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 10 мк @ 19 25,8 В. 16 ОМ
PDZVTR36B Rohm Semiconductor Pdzvtr36b 0,4100
RFQ
ECAD 8 0,00000000 ROHM Semiconductor PDZV Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,26% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-128 Pdzvtr36 1 Вт PMDTM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 10 мк. 38 20 ОМ
PDZVTR4.3B Rohm Semiconductor Pdzvtr4.3b 0,4500
RFQ
ECAD 4 0,00000000 ROHM Semiconductor PDZV Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,49% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-128 Pdzvtr4.3 1 Вт PMDTM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 20 мка При 1в 4,55 15 О
PDZVTR5.6B Rohm Semiconductor Pdzvtr5.6b 0,4500
RFQ
ECAD 17 0,00000000 ROHM Semiconductor PDZV Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,88% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-128 Pdzvtr5.6 1 Вт PMDTM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 20 мк. 5,95 В. 8 О
TDZVTR5.6 Rohm Semiconductor TDZVTR5.6 0,5000
RFQ
ECAD 9 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 8,93% 150 ° C (TJ) Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. TDZVTR5.6 500 м Tumd2m СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 10 мк. 5,6 В.
TDZVTR6.2 Rohm Semiconductor Tdzvtr6.2 0,3800
RFQ
ECAD 4 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 9,68% 150 ° C (TJ) Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. Tdzvtr6.2 500 м Tumd2m СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 10 мк @ 3 В 6,2 В.
TDZVTR6.8 Rohm Semiconductor Tdzvtr6.8 0,3800
RFQ
ECAD 143 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 8,82% 150 ° C (TJ) Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. Tdzvtr6.8 500 м Tumd2m СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 10 мк. 6,8 В.
RR268MM-600TR Rohm Semiconductor RR268MM-600TR 0,4000
RFQ
ECAD 9 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SOD-123F RR268 Станода PMDU СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 980 мВ @ 1 a 10 мка 400 150 ° C (MMAKS) 1A -
YFZVFHTR5.6B Rohm Semiconductor Yfzvfhtr5.6b 0,4300
RFQ
ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2,5% 150 ° C (TJ) Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. Yfzvfhtr5.6 500 м Tumd2m СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 5 мк. 5,59 В. 13 О
RB400DFHT146 Rohm Semiconductor RB400DFHT146 0,4500
RFQ
ECAD 9 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 RB400 ШOTKIй SMD3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 м. 7,35 млн 50 мк. 125 ° C (MMAKS) 500 май 130pf @ 0V, 1 мгест
RBQ20NS45AFHTL Rohm Semiconductor RBQ20NS45AFHTL 1.2500
RFQ
ECAD 19 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB RBQ20 ШOTKIй LPDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 45 20 часов 650 мВ @ 10 a 140 мка 45 150 ° C (MMAKS)
BZX84C15VLFHT116 Rohm Semiconductor Bzx84c15vlfht116 0,1600
RFQ
ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 6,12% 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 м SSD3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 100 Na @ 10 V 14,7 В. 30 ОМ
BZX84C20VLFHT116 Rohm Semiconductor Bzx84c20vlfht116 -
RFQ
ECAD 5294 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 6% 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 м SSD3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 100 na @ 14 v 20 55 ОМ
CDZFHT2RA12B Rohm Semiconductor CDZFHT2RA12B 0,3900
RFQ
ECAD 6 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101, CDZFH Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 2,09% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-923 Cdzfht2 100 м VMN2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 100 Na @ 9 V 11,99 В. 30 ОМ
BZX84C4V3LFHT116 Rohm Semiconductor Bzx84c4v3lfht116 0,1600
RFQ
ECAD 546 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 6,98% 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 м SSD3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 3 мка @ 1 В 4,3 В. 90 ОМ
CDZFHT2RA6.8B Rohm Semiconductor Cdzfht2ra6.8b 0,4100
RFQ
ECAD 8 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101, CDZFH Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 2,06% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-923 Cdzfht2 100 м VMN2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 500 NA @ 3,5 6,79 В. 40 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе