Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Терпимость | Rraboч -yemperatura | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | Baзowый nomer prodikta | Тела | Синла - МАКС | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодар | Скороп | Коунфигурахия | На | Ток - Средниги ипра. | На | ВОЗНАЯ ВОЗНА | Ток - Обратна тебе | Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee | Ток - Среднигиисправейни (io) | Emcostath @ vr, f | На | Иппедс (mmaks) (zzt) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Mtzjt-7216c | - | ![]() | 9207 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MTZ J. | Lenta и коробка (TB) | Управо | ± 3% | - | Чereз dыru | DO-204AG, DO-34, OSEVOй | Mtzjt-72 | 500 м | MSD | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Mtzjt7216c | Ear99 | 8541.10.0050 | 5000 | 200 na @ 12 v | 16 | 25 ОМ | ||||||||||||
Mtzjt-7218b | - | ![]() | 1933 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MTZ J. | Lenta и коробка (TB) | Управо | ± 3% | - | Чereз dыru | DO-204AG, DO-34, OSEVOй | Mtzjt-72 | 500 м | MSD | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Mtzjt7218b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5000 | 200 na @ 13 v | 18 | 30 ОМ | ||||||||||||
Mtzjt-724.3c | - | ![]() | 4998 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MTZ J. | Lenta и коробка (TB) | Управо | ± 3% | - | Чereз dыru | DO-204AG, DO-34, OSEVOй | Mtzjt-72 | 500 м | MSD | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Mtzjt724.3c | Ear99 | 8541.10.0050 | 5000 | 5 мка @ 1 В | 4,3 В. | 100 ОМ | ||||||||||||
Mtzjt-724.7b | - | ![]() | 1708 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MTZ J. | Lenta и коробка (TB) | Управо | ± 3% | - | Чereз dыru | DO-204AG, DO-34, OSEVOй | Mtzjt-72 | 500 м | MSD | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Mtzjt724.7b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5000 | 5 мка @ 1 В | 4,7 В. | 80 ОМ | ||||||||||||
Mtzjt-725.1a | - | ![]() | 6815 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MTZ J. | Lenta и коробка (TB) | Управо | ± 3% | - | Чereз dыru | DO-204AG, DO-34, OSEVOй | Mtzjt-72 | 500 м | MSD | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Mtzjt725.1a | Ear99 | 8541.10.0050 | 5000 | 5 мк -при 1,5 | 5,1 В. | 70 ОМ | ||||||||||||
Mtzjt-727.5a | - | ![]() | 7077 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MTZ J. | Lenta и коробка (TB) | Управо | ± 3% | - | Чereз dыru | DO-204AG, DO-34, OSEVOй | Mtzjt-72 | 500 м | MSD | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Mtzjt727.5a | Ear99 | 8541.10.0050 | 5000 | 500 NA @ 4 V | 7,5 В. | 20 ОМ | ||||||||||||
Mtzjt-727.5b | - | ![]() | 4763 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MTZ J. | Lenta и коробка (TB) | Управо | ± 3% | - | Чereз dыru | DO-204AG, DO-34, OSEVOй | Mtzjt-72 | 500 м | MSD | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Mtzjt727.5b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5000 | 500 NA @ 4 V | 7,5 В. | 20 ОМ | ||||||||||||
Mtzjt-729.1b | - | ![]() | 9670 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MTZ J. | Lenta и коробка (TB) | Управо | ± 3% | - | Чereз dыru | DO-204AG, DO-34, OSEVOй | Mtzjt-72 | 500 м | MSD | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Mtzjt729.1b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5000 | 500 NA @ 6 V | 9.1. | 20 ОМ | ||||||||||||
Mtzjt-772.0b | - | ![]() | 1313 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MTZ J. | Lenta и коробка (TB) | Управо | ± 3% | - | Чereз dыru | DO-204AG, DO-34, OSEVOй | 500 м | MSD | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Mtzjt772.0b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5000 | 2 V. | |||||||||||||||
Mtzjt-772.4b | - | ![]() | 7634 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MTZ J. | Lenta и коробка (TB) | Управо | ± 3% | - | Чereз dыru | DO-204AG, DO-34, OSEVOй | 500 м | MSD | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Mtzjt772.4b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5000 | 2,4 В. | |||||||||||||||
![]() | Pdzvtr10b | 0,4500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | PDZV | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5,66% | 150 ° C (TJ) | Пефер | SOD-128 | Pdzvtr10 | 1 Вт | PMDTM | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 3000 | 10 мк -прри 7в | 10,6 В. | 6 ОМ | ||||||||||||
![]() | Pdzvtr12b | 0,4100 | ![]() | 14 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | PDZV | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5,88% | 150 ° C (TJ) | Пефер | SOD-128 | Pdzvtr12 | 1 Вт | PMDTM | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 3000 | 10 мкр 9в | 12,75 | 8 О | ||||||||||||
![]() | Pdzvtr13a | 0,1275 | ![]() | 1001 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | В аспекте | ± 6,42% | 150 ° C (TJ) | Пефер | SOD-128 | Pdzvtr13 | 1 Вт | PMDTM | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 3000 | 10 мк. | 13,25 В. | 10 ОМ | ||||||||||||
![]() | Pdzvtr16b | 0,4500 | ![]() | 3 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | PDZV | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 6,09% | 150 ° C (TJ) | Пефер | SOD-128 | PDZVTR16 | 1 Вт | PMDTM | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 3000 | 10 мк. | 17,25 В. | 12 | ||||||||||||
![]() | Pdzvtr24b | 0,4500 | ![]() | 8 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | PDZV | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 6,98% | 150 ° C (TJ) | Пефер | SOD-128 | Pdzvtr24 | 1 Вт | PMDTM | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 3000 | 10 мк @ 19 | 25,8 В. | 16 ОМ | ||||||||||||
![]() | Pdzvtr36b | 0,4100 | ![]() | 8 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | PDZV | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5,26% | 150 ° C (TJ) | Пефер | SOD-128 | Pdzvtr36 | 1 Вт | PMDTM | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 3000 | 10 мк. | 38 | 20 ОМ | ||||||||||||
![]() | Pdzvtr4.3b | 0,4500 | ![]() | 4 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | PDZV | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5,49% | 150 ° C (TJ) | Пефер | SOD-128 | Pdzvtr4.3 | 1 Вт | PMDTM | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 3000 | 20 мка При 1в | 4,55 | 15 О | ||||||||||||
![]() | Pdzvtr5.6b | 0,4500 | ![]() | 17 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | PDZV | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5,88% | 150 ° C (TJ) | Пефер | SOD-128 | Pdzvtr5.6 | 1 Вт | PMDTM | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 3000 | 20 мк. | 5,95 В. | 8 О | ||||||||||||
![]() | TDZVTR5.6 | 0,5000 | ![]() | 9 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 8,93% | 150 ° C (TJ) | Пефер | 2-SMD, Плоскин С.С. | TDZVTR5.6 | 500 м | Tumd2m | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 3000 | 10 мк. | 5,6 В. | |||||||||||||
![]() | Tdzvtr6.2 | 0,3800 | ![]() | 4 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 9,68% | 150 ° C (TJ) | Пефер | 2-SMD, Плоскин С.С. | Tdzvtr6.2 | 500 м | Tumd2m | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 3000 | 10 мк @ 3 В | 6,2 В. | |||||||||||||
![]() | Tdzvtr6.8 | 0,3800 | ![]() | 143 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 8,82% | 150 ° C (TJ) | Пефер | 2-SMD, Плоскин С.С. | Tdzvtr6.8 | 500 м | Tumd2m | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 3000 | 10 мк. | 6,8 В. | |||||||||||||
![]() | RR268MM-600TR | 0,4000 | ![]() | 9 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | В аспекте | Пефер | SOD-123F | RR268 | Станода | PMDU | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0080 | 3000 | Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) | 400 | 980 мВ @ 1 a | 10 мка 400 | 150 ° C (MMAKS) | 1A | - | ||||||||||
![]() | Yfzvfhtr5.6b | 0,4300 | ![]() | 3 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Автомобиль, AEC-Q101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 2,5% | 150 ° C (TJ) | Пефер | 2-SMD, Плоскин С.С. | Yfzvfhtr5.6 | 500 м | Tumd2m | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 3000 | 5 мк. | 5,59 В. | 13 О | ||||||||||||
![]() | RB400DFHT146 | 0,4500 | ![]() | 9 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Автомобиль, AEC-Q101 | Lenta и катахка (tr) | В аспекте | Пефер | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | RB400 | ШOTKIй | SMD3 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0070 | 3000 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 40 | 550 м. | 7,35 млн | 50 мк. | 125 ° C (MMAKS) | 500 май | 130pf @ 0V, 1 мгест | |||||||||
![]() | RBQ20NS45AFHTL | 1.2500 | ![]() | 19 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Автомобиль, AEC-Q101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | Пефер | TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | RBQ20 | ШOTKIй | LPDS | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1000 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 1 пар | 45 | 20 часов | 650 мВ @ 10 a | 140 мка 45 | 150 ° C (MMAKS) | ||||||||||
![]() | Bzx84c15vlfht116 | 0,1600 | ![]() | 3 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Автомобиль, AEC-Q101 | Lenta и катахка (tr) | В аспекте | ± 6,12% | 150 ° C (TJ) | Пефер | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 м | SSD3 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 3000 | 100 Na @ 10 V | 14,7 В. | 30 ОМ | ||||||||||||
![]() | Bzx84c20vlfht116 | - | ![]() | 5294 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Автомобиль, AEC-Q101 | Lenta и катахка (tr) | В аспекте | ± 6% | 150 ° C (TJ) | Пефер | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 м | SSD3 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 3000 | 100 na @ 14 v | 20 | 55 ОМ | ||||||||||||
![]() | CDZFHT2RA12B | 0,3900 | ![]() | 6 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Автомобиль, AEC-Q101, CDZFH | Lenta и катахка (tr) | В аспекте | ± 2,09% | 150 ° C (TJ) | Пефер | SOD-923 | Cdzfht2 | 100 м | VMN2 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 8000 | 100 Na @ 9 V | 11,99 В. | 30 ОМ | ||||||||||||
![]() | Bzx84c4v3lfht116 | 0,1600 | ![]() | 546 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Автомобиль, AEC-Q101 | Lenta и катахка (tr) | В аспекте | ± 6,98% | 150 ° C (TJ) | Пефер | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 м | SSD3 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 3000 | 3 мка @ 1 В | 4,3 В. | 90 ОМ | ||||||||||||
![]() | Cdzfht2ra6.8b | 0,4100 | ![]() | 8 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Автомобиль, AEC-Q101, CDZFH | Lenta и катахка (tr) | В аспекте | ± 2,06% | 150 ° C (TJ) | Пефер | SOD-923 | Cdzfht2 | 100 м | VMN2 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 8000 | 500 NA @ 3,5 | 6,79 В. | 40 ОМ |
Средний объем RFQ
Стандартный продукт
Мировые производители
На складе