SIC
close

Дидж (3328)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (Dollar) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
BZX84C15VLYFHT116 Rohm Semiconductor Bzx84c15vlyfht116 0,3800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6% 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 100 Na @ 10 V 15 30 ОМ
BAS40-06HYT116 Rohm Semiconductor BAS40-06HYT116 0,5200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 ШOTKIй SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 пар 40 120 май (DC) 1 V @ 40 май 10 мка 40, 150 ° С
BZX84B15VLYT116 Rohm Semiconductor Bzx84b15vlyt116 0,4500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 100 Na @ 10 V 15 30 ОМ
BZX84C5V6LYT116 Rohm Semiconductor Bzx84c5v6lyt116 0,4200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 7,14% 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 мка @ 2 5,6 В. 40 ОМ
BZX84C4V7LYFHT116 Rohm Semiconductor Bzx84c4v7lyfht116 0,3800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,38% 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 3 мка @ 2 4,7 В. 80 ОМ
BZX84C3V6LYFHT116 Rohm Semiconductor Bzx84c3v6lyfht116 0,3800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,56% 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 5 мка @ 1 В 3,6 В. 90 ОМ
BAS16HYFHT116 Rohm Semiconductor BAS16HYFHT116 0,4500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS16 Станода SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 80 1,25 В @ 150 4 млн 500 NA @ 80 V 150 ° С 215 май 2pf @ 0v, 1 мгест
BZX84C3V3LYFHT116 Rohm Semiconductor Bzx84c3v3lyfht116 0,3800
RFQ
 ECAD 895 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,06% 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 5 мка @ 1 В 3.3в 95 ОМ
RBQ20BM100ATL Rohm Semiconductor RBQ20BM100ATL 2.7900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 RBQ20 ШOTKIй 252 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 20 часов 690 мВ @ 10 a 200 мк. 150 ° С
BZX84C9V1LYT116 Rohm Semiconductor Bzx84c9v1lyt116 0,4200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,04% 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 500 NA @ 6 V 9.1. 15 О
RBR1VWM40ATFTR Rohm Semiconductor RBR1VWM40ATFTR 0,5800
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. RBR1VWM ШOTKIй PMDE СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 520 мВ @ 1 a 50 мка 40, 150 ° С 1A -
BAS40-04HYT116 Rohm Semiconductor BAS40-04HYT116 0,5200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 ШOTKIй SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 -й 40 120 май (DC) 1 V @ 40 май 10 мка 40, 150 ° С
BZX84C20VLYT116 Rohm Semiconductor Bzx84c20vlyt116 0,4200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6% 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 100 na @ 14 v 20 55 ОМ
BZX84C16VLYFHT116 Rohm Semiconductor Bzx84c16vlyfht116 0,3800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,63% 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 100 na @ 11 v 16 40 ОМ
BZX84B6V2LYT116 Rohm Semiconductor Bzx84b6v2lyt116 0,4500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1,94% 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 3 мка @ 4 В 6,2 В. 10 ОМ
BAS16HYT116 Rohm Semiconductor BAS16HYT116 0,3700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS16 Станода SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 80 1,25 В @ 150 4 млн 500 NA @ 80 V 150 ° С 215 май 2pf @ 0v, 1 мгест
RB085BGE-90TL Rohm Semiconductor RB085BGE-90TL 0,8625
RFQ
 ECAD 5775 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 RB085 ШOTKIй 252GE СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 90 5A 830 м. @ 5 a 150 мкр 90 150 ° С
RB088BGE100TL Rohm Semiconductor RB088BGE100TL 1.8700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 RB088 ШOTKIй 252GE СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 5A 870 мВ @ 5 a 5 мк -4 100 150 ° С
RFN10BGE6STL Rohm Semiconductor Rfn10bge6stl 1.6600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 RFN10 Станода 252GE СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,55 В @ 10 a 50 млн 10 мк. 150 ° С 10 часов -
RB098BGE150TL Rohm Semiconductor RB098BGE150TL 1.9200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 RB095 ШOTKIй 252GE СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 150 3A 830 мВ @ 3 a 7 мк -прри 150 150 ° С
SCS240AE2GC11 Rohm Semiconductor SCS240AE2GC11 13.1600
RFQ
 ECAD 8029 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 SCS240 Sic (kremniewый karbid) TO-247N СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-SCS240AE2GC11 Ear99 8541.10.0080 450 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1 пар 650 20А (DC) 1,55 В @ 20 a 0 м 400 мк. 175 ° С
RF601BGE2DTL Rohm Semiconductor RF601BGE2DTL 15000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 RF601 Станода 252GE СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 3A 930 мВ @ 3 a 25 млн 10 мк. 150 ° С
SCS240KE2GC11 Rohm Semiconductor SCS240KE2GC11 23.3200
RFQ
 ECAD 2944 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 SCS240 Sic (kremniewый karbid) TO-247N СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-SCS240KE2GC11 Ear99 8541.10.0080 30 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1 пар 1200 20А (DC) 1,6 - @ 20 a 0 м 400 мк. 175 ° С
SCS215AEGC11 Rohm Semiconductor SCS215AEGC11 7.5200
RFQ
 ECAD 448 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 SCS215 Sic (kremniewый karbid) 247 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-SCS215AEGC11 Ear99 8541.10.0080 30 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,55 В @ 15 A 0 м 300 мк. 175 ° С 15A 550pf @ 1V, 1 мгест
SCS210KE2GC11 Rohm Semiconductor SCS210KE2GC11 10.1000
RFQ
 ECAD 450 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 SCS210 Sic (kremniewый karbid) TO-247N СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-SCS210KE2GC11 Ear99 8541.10.0080 30 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1 пар 1200 5А (DC) 1,6 В @ 5 a 0 м 100 мк @ 1200 175 ° С
RR601BGE4STL Rohm Semiconductor RR601BGE4STL 0,7065
RFQ
 ECAD 3802 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 Станода 252GE СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.1 V @ 6 a 10 мка 400 150 ° С 6A -
SCS205KGC17 Rohm Semiconductor SCS205KGC17 5.8100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 Sic (kremniewый karbid) DO-220ACFP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-SCS205KGC17 Ear99 8541.10.0080 50 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1200 1,6 В @ 5 a 0 м 100 мк @ 1200 175 ° С 5A 270pf @ 1V, 1 мгест
SCS210KE2HRC11 Rohm Semiconductor SCS210KE2HRC11 10.3100
RFQ
 ECAD 450 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 SCS210 Sic (kremniewый karbid) 247 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-SCS210KE2HRC11 Ear99 8541.10.0080 30 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1 пар 1200 5А (DC) 1,6 В @ 5 a 0 м 100 мк @ 1200 175 ° С
RB706W-40TL Rohm Semiconductor RB706W-40TL 0,4600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-75, SOT-416 RB706 ШOTKIй EMD3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 -й 40 30 май 370 мВ @ 1ma 1 мка рри 10в 125 ° С
RFN5TF6SC9 Rohm Semiconductor RFN5TF6SC9 2.1800
RFQ
 ECAD 998 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 Rfn5t Станода DO-220NFM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-RFN5TF6SC9 Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,55 В @ 5 a 50 млн 10 мк. 150 ° С 5A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть