Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Терпимость | Rraboч -yemperatura | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | Baзowый nomer prodikta | Тела | Синла - МАКС | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Eccn | Htsus | Станодадж | Скороп | ТОК - МАКС | Коунфигурахия | На | Ток - Средниги ипра. | На | ВОЗНАЯ ВОЗНА | Ток - Обратна тебе | Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee | Ток - Среднигиисправейни (io) | Emcostath @ vr, f | Дип | Napraheneee - пик в | На | Иппедс (mmaks) (zzt) | СОПРЕТИВЛЕЕЕЕ @ if, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RB051M-2YTR | 0,3800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | В аспекте | Пефер | SOD-123F | RB051 | ШOTKIй | PMDU | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0080 | 3000 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 20 | 460 мВ @ 3 a | 900 мк. | 125 ° C (MMAKS) | 3A | - | |||||||||||||
![]() | RB160A30T-32 | - | ![]() | 3454 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и коробка (TB) | Управо | Чereз dыru | DO-41 MINI, OSEVOй | RB160 | ШOTKIй | Мср | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0080 | 2500 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 30 | 480 мВ @ 1 a | 50 мк. | 150 ° C (MMAKS) | 1A | - | |||||||||||||
![]() | RB060M-30TR | 0,1360 | ![]() | 6567 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | В аспекте | Пефер | SOD-123F | RB060 | ШOTKIй | PMDU | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0080 | 3000 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 30 | 490 мВ @ 2 a | 50 мк. | 150 ° C (MMAKS) | 2A | - | |||||||||||||
![]() | VDZT2R2.7B | - | ![]() | 4985 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | - | -55 ° C ~ 150 ° С. | Пефер | SOT-723 | Vdzt2 | 100 м | VMD3 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 8000 | 2,7 В. | |||||||||||||||||
![]() | TDZTR10 | 0,3900 | ![]() | 593 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | В аспекте | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° С. | Пефер | 2-SMD, Плоскин С.С. | TDZTR10 | 500 м | Tumd2 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 3000 | 10 мк. | 10 | ||||||||||||||||
![]() | UDZSTE-172.4B | 0,3500 | ![]() | 375 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | В аспекте | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° С. | Пефер | SC-90, SOD-323F | Udzste | 200 м | UMD2 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 3000 | 120 мк -перо 1 | 2,4 В. | 100 ОМ | |||||||||||||||
![]() | TDZTR30 | 0,3800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | В аспекте | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° С. | Пефер | 2-SMD, Плоскин С.С. | TDZTR30 | 500 м | Tumd2 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 3000 | 10 мк @ 21в | 30 | ||||||||||||||||
![]() | UDZSTE-173.0B | 0,0687 | ![]() | 7724 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | В аспекте | ± 3% | -55 ° C ~ 150 ° С. | Пефер | SC-90, SOD-323F | Udzste | 200 м | UMD2 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 3000 | 50 мкр 1в | 3 В | 120 ОМ | |||||||||||||||
RLZTE-1124B | - | ![]() | 3331 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | ± 3% | - | Пефер | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Rlzte-1124 | 500 м | LLDS | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 2500 | 200 na @ 19 v | 23,2 В. | 35 ОМ | ||||||||||||||||
Rlzte-1118b | - | ![]() | 8771 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | ± 3% | - | Пефер | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 м | LLDS | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 2500 | 200 na @ 13 v | 17,3 В. | 23 ОМ | |||||||||||||||||
Rlzte-111116c | - | ![]() | 8470 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | ± 3% | - | Пефер | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 м | LLDS | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 2500 | 200 na @ 12 v | 16 | 18 О | |||||||||||||||||
Rlzte-1112a | - | ![]() | 6893 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | ± 3% | - | Пефер | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 м | LLDS | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 2500 | 200 Na @ 9 V | 12 | 12 | |||||||||||||||||
Rlzte-1110a | - | ![]() | 8431 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | ± 3% | - | Пефер | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 м | LLDS | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 2500 | 200 na @ 7 v | 9,7 В. | 8 О | |||||||||||||||||
Rlzte-1111a | - | ![]() | 2262 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | ± 3% | - | Пефер | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 м | LLDS | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 2500 | 200 na @ 8 v | 11 | 10 ОМ | |||||||||||||||||
Rlzte-1127d | - | ![]() | 2461 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | ± 3% | - | Пефер | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Rlzte-1127 | 500 м | LLDS | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 2500 | 200 Na @ 21 V | 25,6 В. | 45 ОМ | ||||||||||||||||
Rlzte-116.8c | - | ![]() | 8760 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | ± 3% | - | Пефер | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 м | LLDS | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 2500 | 2 мк | 6,8 В. | 8 О | |||||||||||||||||
Rlzte-116.2a | - | ![]() | 5669 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | ± 3% | - | Пефер | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 м | LLDS | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 2500 | 5 мка @ 3 В | 6,2 В. | 10 ОМ | |||||||||||||||||
Rlzte-116.2b | - | ![]() | 2618 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | ± 3% | - | Пефер | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 м | LLDS | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 2500 | 5 мка @ 3 В | 6,2 В. | 10 ОМ | |||||||||||||||||
Rlzte-118.2a | - | ![]() | 4736 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | ± 3% | - | Пефер | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 м | LLDS | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 2500 | 500 NA @ 5 V | 8в | 8 О | |||||||||||||||||
Rlzte-115.6a | - | ![]() | 7172 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | ± 3% | - | Пефер | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 м | LLDS | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 2500 | 5 мк. | 5,6 В. | 13 О | |||||||||||||||||
Rlzte-1133c | - | ![]() | 6314 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | ± 3% | - | Пефер | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 м | LLDS | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 2500 | 200 na @ 25 v | 31.1 V. | 65 ОМ | |||||||||||||||||
Rlzte-1136c | - | ![]() | 5813 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | ± 3% | - | Пефер | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 м | LLDS | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 2500 | 200 Na @ 27 V | 33,6 В. | 75 ОМ | |||||||||||||||||
Rlzte-1139c | - | ![]() | 3793 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | ± 3% | - | Пефер | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Rlzte-1139 | 500 м | LLDS | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 2500 | 200 na @ 30 v | 36,3 В. | 85 ОМ | ||||||||||||||||
Rlzte-113.9b | - | ![]() | 2787 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | ± 3% | - | Пефер | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 м | LLDS | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 2500 | 5 мка @ 1 В | 3,9 В. | 50 ОМ | |||||||||||||||||
![]() | Ptzte255.6a | 0,4800 | ![]() | 8249 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | В аспекте | ± 6% | - | Пефер | DO-214AC, SMA | Ptzte255.6 | 1 Вт | PMDS | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 1500 | 20 мк. | 5,6 В. | 8 О | |||||||||||||||
![]() | TDZTR8.2 | 0,3800 | ![]() | 10 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | В аспекте | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° С. | Пефер | 2-SMD, Плоскин С.С. | TDZTR8.2 | 500 м | Tumd2 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 3000 | 10 мк 4,9 | 8,2 В. | ||||||||||||||||
![]() | RF2001T4S | 1.7500 | ![]() | 169 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | МАССА | В аспекте | Чereз dыru | 220-3- | RF2001 | Станода | DO-220FN | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 400 | 1,6 - @ 20 a | 30 млн | 10 мка 400 | 150 ° C (MMAKS) | 20 часов | - | ||||||||||||
![]() | RB851YT2R | - | ![]() | 9637 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | Пефер | SC-75-4, SOT-543 | RB851Y | ШOTKIй | EMD4 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0070 | 8000 | Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning | 2 neзaviymый | 3 В | 30 май (DC) | 460 мВ @ 1ma | 700 Na @ 1 V | 125 ° C (MMAKS) | |||||||||||||
![]() | RB886CST2R | 0,3600 | ![]() | 8 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | В аспекте | 125 ° C (TJ) | 2-SMD, Плоскин С.С. | RB886 | VMN2 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0070 | 8000 | 10 май | 0,8pf pri 1-, 1 мгц | ШOTKIй - Сингл | 5в | - | ||||||||||||||||
![]() | RB168L-60TE25 | 0,1632 | ![]() | 4671 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | В аспекте | Пефер | DO-214AC, SMA | RB168 | ШOTKIй | PMDS | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1500 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 60 | 680 мВ @ 1 a | 1,5 мка пр. 60 | 150 ° С | 1A | - |
Средний объем RFQ
Стандартный продукт
Мировые производители
На складе