SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодадж Скороп ТОК - МАКС Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt) СОПРЕТИВЛЕЕЕЕ @ if, f
RB051M-2YTR Rohm Semiconductor RB051M-2YTR 0,3800
RFQ
ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SOD-123F RB051 ШOTKIй PMDU СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 460 мВ @ 3 a 900 мк. 125 ° C (MMAKS) 3A -
RB160A30T-32 Rohm Semiconductor RB160A30T-32 -
RFQ
ECAD 3454 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-41 MINI, OSEVOй RB160 ШOTKIй Мср СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 480 мВ @ 1 a 50 мк. 150 ° C (MMAKS) 1A -
RB060M-30TR Rohm Semiconductor RB060M-30TR 0,1360
RFQ
ECAD 6567 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SOD-123F RB060 ШOTKIй PMDU СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 490 мВ @ 2 a 50 мк. 150 ° C (MMAKS) 2A -
VDZT2R2.7B Rohm Semiconductor VDZT2R2.7B -
RFQ
ECAD 4985 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо - -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOT-723 Vdzt2 100 м VMD3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 2,7 В.
TDZTR10 Rohm Semiconductor TDZTR10 0,3900
RFQ
ECAD 593 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 10% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. TDZTR10 500 м Tumd2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 10 мк. 10
UDZSTE-172.4B Rohm Semiconductor UDZSTE-172.4B 0,3500
RFQ
ECAD 375 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 4% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-90, SOD-323F Udzste 200 м UMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 120 мк -перо 1 2,4 В. 100 ОМ
TDZTR30 Rohm Semiconductor TDZTR30 0,3800
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 10% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. TDZTR30 500 м Tumd2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 10 мк @ 21в 30
UDZSTE-173.0B Rohm Semiconductor UDZSTE-173.0B 0,0687
RFQ
ECAD 7724 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 3% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-90, SOD-323F Udzste 200 м UMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 50 мкр 1в 3 В 120 ОМ
RLZTE-1124B Rohm Semiconductor RLZTE-1124B -
RFQ
ECAD 3331 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо ± 3% - Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Rlzte-1124 500 м LLDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 200 na @ 19 v 23,2 В. 35 ОМ
RLZTE-1118B Rohm Semiconductor Rlzte-1118b -
RFQ
ECAD 8771 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо ± 3% - Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 м LLDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 200 na @ 13 v 17,3 В. 23 ОМ
RLZTE-1116C Rohm Semiconductor Rlzte-111116c -
RFQ
ECAD 8470 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо ± 3% - Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 м LLDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 200 na @ 12 v 16 18 О
RLZTE-1112A Rohm Semiconductor Rlzte-1112a -
RFQ
ECAD 6893 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо ± 3% - Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 м LLDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 200 Na @ 9 V 12 12
RLZTE-1110A Rohm Semiconductor Rlzte-1110a -
RFQ
ECAD 8431 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо ± 3% - Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 м LLDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 200 na @ 7 v 9,7 В. 8 О
RLZTE-1111A Rohm Semiconductor Rlzte-1111a -
RFQ
ECAD 2262 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо ± 3% - Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 м LLDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 200 na @ 8 v 11 10 ОМ
RLZTE-1127D Rohm Semiconductor Rlzte-1127d -
RFQ
ECAD 2461 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо ± 3% - Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Rlzte-1127 500 м LLDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 200 Na @ 21 V 25,6 В. 45 ОМ
RLZTE-116.8C Rohm Semiconductor Rlzte-116.8c -
RFQ
ECAD 8760 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо ± 3% - Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 м LLDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 2 мк 6,8 В. 8 О
RLZTE-116.2A Rohm Semiconductor Rlzte-116.2a -
RFQ
ECAD 5669 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо ± 3% - Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 м LLDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 5 мка @ 3 В 6,2 В. 10 ОМ
RLZTE-116.2B Rohm Semiconductor Rlzte-116.2b -
RFQ
ECAD 2618 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо ± 3% - Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 м LLDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 5 мка @ 3 В 6,2 В. 10 ОМ
RLZTE-118.2A Rohm Semiconductor Rlzte-118.2a -
RFQ
ECAD 4736 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо ± 3% - Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 м LLDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 500 NA @ 5 V 8 О
RLZTE-115.6A Rohm Semiconductor Rlzte-115.6a -
RFQ
ECAD 7172 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо ± 3% - Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 м LLDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 5 мк. 5,6 В. 13 О
RLZTE-1133C Rohm Semiconductor Rlzte-1133c -
RFQ
ECAD 6314 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо ± 3% - Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 м LLDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 200 na @ 25 v 31.1 V. 65 ОМ
RLZTE-1136C Rohm Semiconductor Rlzte-1136c -
RFQ
ECAD 5813 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо ± 3% - Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 м LLDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 200 Na @ 27 V 33,6 В. 75 ОМ
RLZTE-1139C Rohm Semiconductor Rlzte-1139c -
RFQ
ECAD 3793 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо ± 3% - Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Rlzte-1139 500 м LLDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 200 na @ 30 v 36,3 В. 85 ОМ
RLZTE-113.9B Rohm Semiconductor Rlzte-113.9b -
RFQ
ECAD 2787 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо ± 3% - Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 м LLDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 5 мка @ 1 В 3,9 В. 50 ОМ
PTZTE255.6A Rohm Semiconductor Ptzte255.6a 0,4800
RFQ
ECAD 8249 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 6% - Пефер DO-214AC, SMA Ptzte255.6 1 Вт PMDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1500 20 мк. 5,6 В. 8 О
TDZTR8.2 Rohm Semiconductor TDZTR8.2 0,3800
RFQ
ECAD 10 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 10% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. TDZTR8.2 500 м Tumd2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 10 мк 4,9 8,2 В.
RF2001T4S Rohm Semiconductor RF2001T4S 1.7500
RFQ
ECAD 169 0,00000000 ROHM Semiconductor - МАССА В аспекте Чereз dыru 220-3- RF2001 Станода DO-220FN СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,6 - @ 20 a 30 млн 10 мка 400 150 ° C (MMAKS) 20 часов -
RB851YT2R Rohm Semiconductor RB851YT2R -
RFQ
ECAD 9637 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-75-4, SOT-543 RB851Y ШOTKIй EMD4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 8000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 2 neзaviymый 3 В 30 май (DC) 460 мВ @ 1ma 700 Na @ 1 V 125 ° C (MMAKS)
RB886CST2R Rohm Semiconductor RB886CST2R 0,3600
RFQ
ECAD 8 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 125 ° C (TJ) 2-SMD, Плоскин С.С. RB886 VMN2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 8000 10 май 0,8pf pri 1-, 1 мгц ШOTKIй - Сингл -
RB168L-60TE25 Rohm Semiconductor RB168L-60TE25 0,1632
RFQ
ECAD 4671 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер DO-214AC, SMA RB168 ШOTKIй PMDS - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 680 мВ @ 1 a 1,5 мка пр. 60 150 ° С 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе