SIC
close

Дидж (3328)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
CDZFHT2RA12B Rohm Semiconductor CDZFHT2RA12B 0,3900
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101, CDZFH Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 2,09% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-923 Cdzfht2 100 м VMN2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 100 Na @ 9 V 11,99 В. 30 ОМ
BZX84C4V3LFHT116 Rohm Semiconductor Bzx84c4v3lfht116 0,1600
RFQ
 ECAD 546 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 6,98% 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 м SSD3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 3 мка @ 1 В 4,3 В. 90 ОМ
CDZFHT2RA6.8B Rohm Semiconductor Cdzfht2ra6.8b 0,4100
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101, CDZFH Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 2,06% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-923 Cdzfht2 100 м VMN2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 500 NA @ 3,5 6,79 В. 40 ОМ
BZX84C5V1LFHT116 Rohm Semiconductor Bzx84c5v1lfht116 0,1600
RFQ
 ECAD 241 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 5,88% 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 м SSD3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 2 мка @ 2 В 5,1 В. 60 ОМ
BZX84C33VLFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C33VLFHT116 0,1600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 6,06% 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 м SSD3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 100 Na @ 23 В 33 В 80 ОМ
CDZFHT2RA13B Rohm Semiconductor CDZFHT2RA13B 0,1102
RFQ
 ECAD 2828 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101, CDZFH Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 2,2% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-923 Cdzfht2 100 м VMN2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 100 Na @ 10 V 13,2 В. 37 ОМ
CDZFHT2RA18B Rohm Semiconductor CDZFHT2RA18B 0,4100
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101, CDZFH Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 2,2% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-923 Cdzfht2 100 м VMN2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 100 na @ 13 v 17.96 v 65 ОМ
CDZFHT2RA5.6B Rohm Semiconductor Cdzfht2ra5.6b 0,3900
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101, CDZFH Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 2,14% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-923 Cdzfht2 100 м VMN2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 1 мка 4,5 5,61 В. 60 ОМ
UMZ30KFHTL Rohm Semiconductor UMZ30KFHTL 0,0659
RFQ
 ECAD 8727 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 2,51% 150 ° C (TJ) Пефер SC-82A, SOT-343 Umz30 200 м UMD4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 2 neзaviymый 100 Na @ 23 В 29,94
VDZFHT2R5.1B Rohm Semiconductor Vdzfht2r5.1b -
RFQ
 ECAD 4370 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Управо ± 2,16% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-723 100 м VMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 2 мка пр. 1,5 5,09 В. 80 ОМ
YDZVFHTR9.1 Rohm Semiconductor Ydzvfhtr9.1 0,4500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 9,89% 150 ° C (TJ) Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. Ydzvfhtr9.1 500 м Tumd2m СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 10 мк. 9.1.
YFZVFHTR10B Rohm Semiconductor Yfzvfhtr10b 0,4300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2,54% 150 ° C (TJ) Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. Yfzvfhtr10 500 м Tumd2m СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 200 na @ 7 v 9.66 V. 8 О
YFZVFHTR24B Rohm Semiconductor YFZVFHTR24B 0,4300
RFQ
 ECAD 844 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2,5% 150 ° C (TJ) Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. Yfzvfhtr24 500 м Tumd2m СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 200 na @ 19 v 23.19 35 ОМ
YFZVFHTR3.0B Rohm Semiconductor Yfzvfhtr3.0b 0,4300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 3,37% 150 ° C (TJ) Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. YFZVFHTR3.0 500 м Tumd2m СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 50 мкр 1в 3.12 80 ОМ
YFZVFHTR30B Rohm Semiconductor Yfzvfhtr30b 0,4300
RFQ
 ECAD 78 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2,52% 150 ° C (TJ) Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. Yfzvfhtr30 500 м Tumd2m СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 200 Na @ 23 V 28,42 В. 55 ОМ
YFZVFHTR6.8B Rohm Semiconductor Yfzvfhtr6.8b 0,4300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2,55% 150 ° C (TJ) Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. Yfzvfhtr6.8 500 м Tumd2m СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 2 мк 6,66 В. 8 О
YFZVFHTR8.2B Rohm Semiconductor Yfzvfhtr8.2b 0,4300
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2,57% 150 ° C (TJ) Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. Yfzvfhtr8.2 500 м Tumd2m СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 500 NA @ 5 V 7,99 В. 8 О
BZX84C30VLFHT116 Rohm Semiconductor Bzx84c30vlfht116 0,1900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 6,67% 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 м SSD3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 100 Na @ 21 V 30 80 ОМ
UMZ22KFHTL Rohm Semiconductor Umz22kfhtl 0,3500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 2,11% 150 ° C (TJ) Пефер SC-82A, SOT-343 UMZ22 200 м UMD4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 2 neзaviymый 100 Na @ 17 V 22.01 V.
CDZFHT2RA3.9B Rohm Semiconductor Cdzfht2ra3.9b 0,3900
RFQ
 ECAD 450 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101, CDZFH Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 3,35% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-923 Cdzfht2 100 м VMN2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 5 мка @ 1 В 4,03 В. 100 ОМ
YFZVFHTR2.0B Rohm Semiconductor Yfzvfhtr2.0b 0,4300
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 4,27% 150 ° C (TJ) Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. Yfzvfhtr2.0 500 м Tumd2m СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 120 мк -при 500 м. 2.11 140
YFZVFHTR5.6B Rohm Semiconductor Yfzvfhtr5.6b 0,4300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2,5% 150 ° C (TJ) Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. Yfzvfhtr5.6 500 м Tumd2m СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 5 мк. 5,59 В. 13 О
1SS400CSFHT2RA Rohm Semiconductor 1SS400CSFHT2RA 0,4000
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SOD-923 1SS400 Станода VMN2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 8000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 80 1,2 Е @ 100 мая 4 млн 100 na @ 80 150 ° C (MMAKS) 100 май 3pf @ 500 мВ, 1 мгновение
UMN20NFHTR Rohm Semiconductor Umn20nfhtr 0,1057
RFQ
 ECAD 2795 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 UMN20 Станода UMD6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 3 neзaviymый 80 100 май 1,2 Е @ 100 мая 10 Na @ 20 V 150 ° C (MMAKS)
TFZVTR2.0B Rohm Semiconductor Tfzvtr2.0b 0,3700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% 150 ° С Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. Tfzvtr2.0 500 м Tumd2m СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 120 мк -при 500 м. 2 V. 140
RR268MM-600TR Rohm Semiconductor RR268MM-600TR 0,4000
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SOD-123F RR268 Станода PMDU СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 980 мВ @ 1 a 10 мка 400 150 ° C (MMAKS) 1A -
MTZJT-7211C Rohm Semiconductor Mtzjt-7211c -
RFQ
 ECAD 6204 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzjt-72 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt7211c Ear99 8541.10.0050 5000 200 na @ 8 v 11 20 ОМ
MTZJT-7212C Rohm Semiconductor Mtzjt-7212c -
RFQ
 ECAD 4265 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzjt-72 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt7212c Ear99 8541.10.0050 5000 200 Na @ 9 V 12 25 ОМ
MTZJT-7215C Rohm Semiconductor Mtzjt-7215c -
RFQ
 ECAD 6648 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzjt-72 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt7215c Ear99 8541.10.0050 5000 200 na @ 11 v 15 25 ОМ
MTZJT-7216C Rohm Semiconductor Mtzjt-7216c -
RFQ
 ECAD 9207 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzjt-72 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt7216c Ear99 8541.10.0050 5000 200 na @ 12 v 16 25 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть