Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Терпимость | Rraboч -yemperatura | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | Baзowый nomer prodikta | Тела | Синла - МАКС | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодар | Скороп | Коунфигурахия | На | Ток - Средниги ипра. | На | ВОЗНАЯ ВОЗНА | Ток - Обратна тебе | Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee | Ток - Среднигиисправейни (io) | Emcostath @ vr, f | На | Иппедс (mmaks) (zzt) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Mtzjt-7218b | - | ![]() | 1933 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MTZ J. | Lenta и коробка (TB) | Управо | ± 3% | - | Чereз dыru | DO-204AG, DO-34, OSEVOй | Mtzjt-72 | 500 м | MSD | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Mtzjt7218b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5000 | 200 na @ 13 v | 18 | 30 ОМ | ||||||||||||
Mtzjt-7220b | - | ![]() | 9632 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MTZ J. | Lenta и коробка (TB) | Управо | ± 3% | - | Чereз dыru | DO-204AG, DO-34, OSEVOй | Mtzjt-72 | 500 м | MSD | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Mtzjt7220b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5000 | 20 | ||||||||||||||
Mtzjt-723.3b | - | ![]() | 9236 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MTZ J. | Lenta и коробка (TB) | Управо | ± 3% | - | Чereз dыru | DO-204AG, DO-34, OSEVOй | Mtzjt-72 | 500 м | MSD | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Mtzjt723.3b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5000 | 3.3в | ||||||||||||||
Mtzjt-724.3c | - | ![]() | 4998 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MTZ J. | Lenta и коробка (TB) | Управо | ± 3% | - | Чereз dыru | DO-204AG, DO-34, OSEVOй | Mtzjt-72 | 500 м | MSD | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Mtzjt724.3c | Ear99 | 8541.10.0050 | 5000 | 5 мка @ 1 В | 4,3 В. | 100 ОМ | ||||||||||||
Mtzjt-724.7b | - | ![]() | 1708 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MTZ J. | Lenta и коробка (TB) | Управо | ± 3% | - | Чereз dыru | DO-204AG, DO-34, OSEVOй | Mtzjt-72 | 500 м | MSD | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Mtzjt724.7b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5000 | 5 мка @ 1 В | 4,7 В. | 80 ОМ | ||||||||||||
Mtzjt-725.1a | - | ![]() | 6815 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MTZ J. | Lenta и коробка (TB) | Управо | ± 3% | - | Чereз dыru | DO-204AG, DO-34, OSEVOй | Mtzjt-72 | 500 м | MSD | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Mtzjt725.1a | Ear99 | 8541.10.0050 | 5000 | 5 мк -при 1,5 | 5,1 В. | 70 ОМ | ||||||||||||
Mtzjt-727.5a | - | ![]() | 7077 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MTZ J. | Lenta и коробка (TB) | Управо | ± 3% | - | Чereз dыru | DO-204AG, DO-34, OSEVOй | Mtzjt-72 | 500 м | MSD | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Mtzjt727.5a | Ear99 | 8541.10.0050 | 5000 | 500 NA @ 4 V | 7,5 В. | 20 ОМ | ||||||||||||
Mtzjt-727.5b | - | ![]() | 4763 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MTZ J. | Lenta и коробка (TB) | Управо | ± 3% | - | Чereз dыru | DO-204AG, DO-34, OSEVOй | Mtzjt-72 | 500 м | MSD | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Mtzjt727.5b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5000 | 500 NA @ 4 V | 7,5 В. | 20 ОМ | ||||||||||||
Mtzjt-729.1b | - | ![]() | 9670 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MTZ J. | Lenta и коробка (TB) | Управо | ± 3% | - | Чereз dыru | DO-204AG, DO-34, OSEVOй | Mtzjt-72 | 500 м | MSD | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Mtzjt729.1b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5000 | 500 NA @ 6 V | 9.1. | 20 ОМ | ||||||||||||
Mtzjt-772.0b | - | ![]() | 1313 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MTZ J. | Lenta и коробка (TB) | Управо | ± 3% | - | Чereз dыru | DO-204AG, DO-34, OSEVOй | 500 м | MSD | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Mtzjt772.0b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5000 | 2 V. | |||||||||||||||
Mtzjt-772.4b | - | ![]() | 7634 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MTZ J. | Lenta и коробка (TB) | Управо | ± 3% | - | Чereз dыru | DO-204AG, DO-34, OSEVOй | 500 м | MSD | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Mtzjt772.4b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5000 | 2,4 В. | |||||||||||||||
![]() | SCS230KE2C | - | ![]() | 4992 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Трубка | Управо | Чereз dыru | 247-3 | SCS230 | Sic (kremniewый karbid) | 247 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0080 | 360 | Верниони -весановейн> 500 май (io) | 1 пар | 1200 | 15a (DC) | 1,6 В @ 15 а | 0 м | 300 мк. | 175 ° C (MMAKS) | |||||||||
![]() | SCS208AJTLL | 4.4500 | ![]() | 227 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | Пефер | TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | SCS208 | Sic (kremniewый karbid) | DO-263AB | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1000 | Верниони -весановейн> 500 май (io) | 650 | 1,55 В @ 8 a | 0 м | 160 мкр 600 | 175 ° C (MMAKS) | 8. | 291pf @ 1V, 1 мгест | |||||||||
![]() | Rlzte-113.0b | - | ![]() | 7829 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Rlzte113.0b | Ear99 | 8541.10.0050 | 2500 | |||||||||||||||||||||
![]() | 1SR159-200TE25 | 0,1576 | ![]() | 1427 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | В аспекте | Пефер | DO-214AC, SMA | 1SR159 | Станода | PMDS | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 1SR159200TE25 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1500 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 200 | 980 мВ @ 1 a | 50 млн | 10 мк. | 150 ° C (MMAKS) | 1A | - | ||||||||
![]() | Tfzgtr12b | 0,4800 | ![]() | 16 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | В аспекте | - | -55 ° C ~ 150 ° С. | Пефер | 2-SMD, Плоскин С.С. | Tfzgtr12 | 500 м | Tumd2 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 3000 | 200 Na @ 9 V | 12 | 12 | ||||||||||||
![]() | Tfzgtr13b | 0,0886 | ![]() | 6655 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | В аспекте | - | -55 ° C ~ 150 ° С. | Пефер | 2-SMD, Плоскин С.С. | Tfzgtr13 | 500 м | Tumd2 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 3000 | 200 Na @ 10 V | 13 | 14 ОМ | ||||||||||||
![]() | Tfzgtr2.2b | 0,0886 | ![]() | 5443 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | В аспекте | - | -55 ° C ~ 150 ° С. | Пефер | 2-SMD, Плоскин С.С. | Tfzgtr2.2 | 500 м | Tumd2 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 3000 | 2,2 В. | ||||||||||||||
![]() | Tfzgtr27b | 0,4800 | ![]() | 118 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | В аспекте | - | -55 ° C ~ 150 ° С. | Пефер | 2-SMD, Плоскин С.С. | Tfzgtr27 | 500 м | Tumd2 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 3000 | 200 Na @ 21 V | 27 | 45 ОМ | ||||||||||||
![]() | TFZGTR3.9B | 0,0886 | ![]() | 1780 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | В аспекте | - | -55 ° C ~ 150 ° С. | Пефер | 2-SMD, Плоскин С.С. | TFZGTR3.9 | 500 м | Tumd2 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 3000 | 5 мка @ 1 В | 3,9 В. | 50 ОМ | ||||||||||||
![]() | Tfzgtr33b | 0,0886 | ![]() | 8117 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | В аспекте | - | -55 ° C ~ 150 ° С. | Пефер | 2-SMD, Плоскин С.С. | Tfzgtr33 | 500 м | Tumd2 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 3000 | 200 na @ 25 v | 33 В | 65 ОМ | ||||||||||||
![]() | Udzvte-174.3b | 0,2700 | ![]() | 3 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | - | -55 ° C ~ 150 ° С. | Пефер | SC-90, SOD-323F | Udzvte | 200 м | UMD2 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 3000 | 5 мка @ 1 В | 4,3 В. | 100 ОМ | ||||||||||||
![]() | Udzvte-175.1b | 0,2700 | ![]() | 39 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | - | -55 ° C ~ 150 ° С. | Пефер | SC-90, SOD-323F | Udzvte | 200 м | UMD2 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 3000 | 2 мка пр. 1,5 | 5,1 В. | 80 ОМ | ||||||||||||
![]() | Udzvte-176.2b | 0,2700 | ![]() | 212 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | - | -55 ° C ~ 150 ° С. | Пефер | SC-90, SOD-323F | Udzvte | 200 м | UMD2 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 3000 | 1 мка @ 3 В | 6,2 В. | 60 ОМ | ||||||||||||
![]() | EDZVT2R11B | 0,2800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | ЭdзВ | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° С. | Пефер | SC-79, SOD-523 | EDZVT2 | 150 м | EMD2 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 8000 | 100 na @ 8 v | 11 | 30 ОМ | ||||||||||||
![]() | EDZVT2R16B | 0,2800 | ![]() | 21 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | ЭdзВ | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° С. | Пефер | SC-79, SOD-523 | EDZVT2 | 150 м | EMD2 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 8000 | 100 na @ 12 v | 16 | 50 ОМ | ||||||||||||
![]() | EDZVT2R30B | 0,2800 | ![]() | 3604 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | ЭdзВ | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 3% | -55 ° C ~ 150 ° С. | Пефер | SC-79, SOD-523 | EDZVT2 | 150 м | EMD2 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 8000 | 100 Na @ 23 В | 30 | 200 ОМ | ||||||||||||
![]() | RB551VM-30TE-17 | 0,4500 | ![]() | 35 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | Пефер | SC-90, SOD-323F | RB551 | ШOTKIй | UMD2 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0070 | 3000 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 20 | 470 мВ @ 500 мая | 100 мк. | 125 ° C (MMAKS) | 500 май | - | ||||||||||
![]() | Edzte612.7b | - | ![]() | 6494 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 3000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | Edzte613.3b | - | ![]() | 9070 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 3000 |
Средний объем RFQ
Стандартный продукт
Мировые производители
На складе