SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
MTZJT-7218B Rohm Semiconductor Mtzjt-7218b -
RFQ
ECAD 1933 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzjt-72 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt7218b Ear99 8541.10.0050 5000 200 na @ 13 v 18 30 ОМ
MTZJT-7220B Rohm Semiconductor Mtzjt-7220b -
RFQ
ECAD 9632 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzjt-72 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt7220b Ear99 8541.10.0050 5000 20
MTZJT-723.3B Rohm Semiconductor Mtzjt-723.3b -
RFQ
ECAD 9236 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzjt-72 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt723.3b Ear99 8541.10.0050 5000 3.3в
MTZJT-724.3C Rohm Semiconductor Mtzjt-724.3c -
RFQ
ECAD 4998 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzjt-72 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt724.3c Ear99 8541.10.0050 5000 5 мка @ 1 В 4,3 В. 100 ОМ
MTZJT-724.7B Rohm Semiconductor Mtzjt-724.7b -
RFQ
ECAD 1708 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzjt-72 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt724.7b Ear99 8541.10.0050 5000 5 мка @ 1 В 4,7 В. 80 ОМ
MTZJT-725.1A Rohm Semiconductor Mtzjt-725.1a -
RFQ
ECAD 6815 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzjt-72 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt725.1a Ear99 8541.10.0050 5000 5 мк -при 1,5 5,1 В. 70 ОМ
MTZJT-727.5A Rohm Semiconductor Mtzjt-727.5a -
RFQ
ECAD 7077 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzjt-72 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt727.5a Ear99 8541.10.0050 5000 500 NA @ 4 V 7,5 В. 20 ОМ
MTZJT-727.5B Rohm Semiconductor Mtzjt-727.5b -
RFQ
ECAD 4763 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzjt-72 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt727.5b Ear99 8541.10.0050 5000 500 NA @ 4 V 7,5 В. 20 ОМ
MTZJT-729.1B Rohm Semiconductor Mtzjt-729.1b -
RFQ
ECAD 9670 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzjt-72 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt729.1b Ear99 8541.10.0050 5000 500 NA @ 6 V 9.1. 20 ОМ
MTZJT-772.0B Rohm Semiconductor Mtzjt-772.0b -
RFQ
ECAD 1313 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt772.0b Ear99 8541.10.0050 5000 2 V.
MTZJT-772.4B Rohm Semiconductor Mtzjt-772.4b -
RFQ
ECAD 7634 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt772.4b Ear99 8541.10.0050 5000 2,4 В.
SCS230KE2C Rohm Semiconductor SCS230KE2C -
RFQ
ECAD 4992 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Управо Чereз dыru 247-3 SCS230 Sic (kremniewый karbid) 247 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 360 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1 пар 1200 15a (DC) 1,6 В @ 15 а 0 м 300 мк. 175 ° C (MMAKS)
SCS208AJTLL Rohm Semiconductor SCS208AJTLL 4.4500
RFQ
ECAD 227 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SCS208 Sic (kremniewый karbid) DO-263AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,55 В @ 8 a 0 м 160 мкр 600 175 ° C (MMAKS) 8. 291pf @ 1V, 1 мгест
RLZTE-113.0B Rohm Semiconductor Rlzte-113.0b -
RFQ
ECAD 7829 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Rlzte113.0b Ear99 8541.10.0050 2500
1SR159-200TE25 Rohm Semiconductor 1SR159-200TE25 0,1576
RFQ
ECAD 1427 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер DO-214AC, SMA 1SR159 Станода PMDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1SR159200TE25 Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 980 мВ @ 1 a 50 млн 10 мк. 150 ° C (MMAKS) 1A -
TFZGTR12B Rohm Semiconductor Tfzgtr12b 0,4800
RFQ
ECAD 16 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте - -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. Tfzgtr12 500 м Tumd2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 200 Na @ 9 V 12 12
TFZGTR13B Rohm Semiconductor Tfzgtr13b 0,0886
RFQ
ECAD 6655 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте - -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. Tfzgtr13 500 м Tumd2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 200 Na @ 10 V 13 14 ОМ
TFZGTR2.2B Rohm Semiconductor Tfzgtr2.2b 0,0886
RFQ
ECAD 5443 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте - -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. Tfzgtr2.2 500 м Tumd2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 2,2 В.
TFZGTR27B Rohm Semiconductor Tfzgtr27b 0,4800
RFQ
ECAD 118 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте - -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. Tfzgtr27 500 м Tumd2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 200 Na @ 21 V 27 45 ОМ
TFZGTR3.9B Rohm Semiconductor TFZGTR3.9B 0,0886
RFQ
ECAD 1780 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте - -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. TFZGTR3.9 500 м Tumd2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 5 мка @ 1 В 3,9 В. 50 ОМ
TFZGTR33B Rohm Semiconductor Tfzgtr33b 0,0886
RFQ
ECAD 8117 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте - -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. Tfzgtr33 500 м Tumd2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 200 na @ 25 v 33 В 65 ОМ
UDZVTE-174.3B Rohm Semiconductor Udzvte-174.3b 0,2700
RFQ
ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен - -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-90, SOD-323F Udzvte 200 м UMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 5 мка @ 1 В 4,3 В. 100 ОМ
UDZVTE-175.1B Rohm Semiconductor Udzvte-175.1b 0,2700
RFQ
ECAD 39 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен - -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-90, SOD-323F Udzvte 200 м UMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 2 мка пр. 1,5 5,1 В. 80 ОМ
UDZVTE-176.2B Rohm Semiconductor Udzvte-176.2b 0,2700
RFQ
ECAD 212 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен - -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-90, SOD-323F Udzvte 200 м UMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 мка @ 3 В 6,2 В. 60 ОМ
EDZVT2R11B Rohm Semiconductor EDZVT2R11B 0,2800
RFQ
ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor ЭdзВ Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-79, SOD-523 EDZVT2 150 м EMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 100 na @ 8 v 11 30 ОМ
EDZVT2R16B Rohm Semiconductor EDZVT2R16B 0,2800
RFQ
ECAD 21 0,00000000 ROHM Semiconductor ЭdзВ Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-79, SOD-523 EDZVT2 150 м EMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 100 na @ 12 v 16 50 ОМ
EDZVT2R30B Rohm Semiconductor EDZVT2R30B 0,2800
RFQ
ECAD 3604 0,00000000 ROHM Semiconductor ЭdзВ Lenta и катахка (tr) Актифен ± 3% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-79, SOD-523 EDZVT2 150 м EMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 100 Na @ 23 В 30 200 ОМ
RB551VM-30TE-17 Rohm Semiconductor RB551VM-30TE-17 0,4500
RFQ
ECAD 35 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-90, SOD-323F RB551 ШOTKIй UMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 470 мВ @ 500 мая 100 мк. 125 ° C (MMAKS) 500 май -
EDZTE612.7B Rohm Semiconductor Edzte612.7b -
RFQ
ECAD 6494 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000
EDZTE613.3B Rohm Semiconductor Edzte613.3b -
RFQ
ECAD 9070 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе