SIC
close

Одеяно -аварий

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
KSA940H2TU Fairchild Semiconductor KSA940H2TU -
RFQ
 ECAD 1692 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 1,5 220-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 50 150 1,5 а 10 мк (ICBO) Pnp 1,5 Е @ 50 MMA, 500 MMA 40 @ 500 май, 10 В 4 мг
BC556CBU Fairchild Semiconductor BC556CBU -
RFQ
 ECAD 6600 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 11 478 65 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 150 мг
BC856AMTF Fairchild Semiconductor BC856AMTF 0,0500
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 310 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 3000 65 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 110 @ 2ma, 5 В 150 мг
BC556BBU Fairchild Semiconductor BC556BBU 0,0200
RFQ
 ECAD 6062 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 12 695 65 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 150 мг
BC238A Fairchild Semiconductor BC238A 0,0500
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 2000 25 В 100 май 15NA Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 120 @ 2MA, 5V 250 мг
BC307B Fairchild Semiconductor BC307B 0,0400
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 5000 45 100 май 15NA Pnp 300 мВ 500 мк, 10 180 @ 2ma, 5 130 мг
BC546B Fairchild Semiconductor BC546B -
RFQ
 ECAD 8350 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 5000 65 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 300 мг
BC548 Fairchild Semiconductor BC548 0,0400
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 2000 30 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 110 @ 2ma, 5 В 300 мг
2SB1274S onsemi 2SB1274S 0,2000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо - Чereз dыru 220-3- 2 Вт 220 мл СКАХАТА Rohs Ear99 8541.29.0075 100 60 3 а 100 мк (ICBO) Pnp 1В @ 200 май, 2а 140 @ 500 май, 5в 100 мг
2N6488 NTE Electronics, Inc 2N6488 1.4300
RFQ
 ECAD 86 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 1,8 ДО-220 СКАХАТА Rohs3 2368-2N6488 Ear99 8541.29.0095 1 80 15 а 1MA Npn 3,5 - @ 5a, 15a 20 @ 5a, 4v 5 мг
NTE88 NTE Electronics, Inc NTE88 7 9400
RFQ
 ECAD 138 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 200 th По 3 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE88 Ear99 8541.29.0095 1 250 10 а 1MA Pnp 2,5 - @ 400 мА, 4a 20 @ 2a, 2v 4 мг
TIP150 NTE Electronics, Inc TIP150 2.3600
RFQ
 ECAD 248 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 80 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs 2368-TIP150 Ear99 8541.29.0095 1 300 10 а 250 мк Npn - дарлино 2V @ 250 мам, 5а 150 @ 2,5a, 5в -
TIP140 NTE Electronics, Inc TIP140 2.5200
RFQ
 ECAD 396 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 218-3 125 Вт 218 СКАХАТА Rohs 2368-TIP140 Ear99 8541.29.0095 1 60 10 а - Npn - дарлино - 1000 @ 5a, 4v -
NTE62 NTE Electronics, Inc NTE62 10,3000
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 50 st По 3 СКАХАТА Rohs 2368-NTE62 Ear99 8541.29.0095 1 900 3 а 10 май Npn 10 В 500 май, 1,5а 3 @ 1,5A, 10 В -
TIP127 NTE Electronics, Inc TIP127 1.1200
RFQ
 ECAD 74 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 2 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 2368-TIP127 Ear99 8541.29.0095 1 100 5 а 500 мк PNP - ДАРЛИНГТОН 4 В @ 20 май, 5А 1000 @ 3a, 3v -
TIP126 NTE Electronics, Inc TIP126 1.0400
RFQ
 ECAD 192 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 65 Вт 220-3 СКАХАТА Rohs 2368-TIP126 Ear99 8541.29.0095 1 80 5 а 500 мк PNP - ДАРЛИНГТОН 4 В @ 20 май, 5А 1000 @ 3a, 3v 4 мг
NTE2407 NTE Electronics, Inc NTE2407 0,7400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 225 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE2407 Ear99 8541.21.0095 1 60 600 май 50NA Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 300 мг
NTE2431 NTE Electronics, Inc NTE2431 1.6900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а 1 Вт SOT-89 СКАХАТА Rohs 2368-NTE2431 Ear99 8541.21.0095 1 300 1 а 50 мк Pnp 2V @ 5ma, 50 мая 30 @ 50 мА, 10 В 15 мг
2N5550 NTE Electronics, Inc 2N5550 0,1500
RFQ
 ECAD 237 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА Rohs3 2368-2N5550 Ear99 8541.21.0095 1 140 600 май 100NA (ICBO) Npn 250 мВ @ 5ma, 50 ма 60 @ 10ma, 5 В 300 мг
NTE88MCP NTE Electronics, Inc NTE88MCP 21.3300
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 200 th По 3 СКАХАТА Rohs 2368-NTE88MCP Ear99 8541.29.0095 1 250 10 а 1MA Pnp 2,5 - @ 400 мА, 4a 20 @ 2a, 2v 4 мг
NTE2411 NTE Electronics, Inc NTE2411 0,7800
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 225 м SOT-23 СКАХАТА Rohs 2368-NTE2411 Ear99 8541.21.0095 1 150 500 май 50na (ICBO) Pnp 1V @ 5ma, 50 мая 60 @ 10ma, 5 В 300 мг
NTE2320 NTE Electronics, Inc NTE2320 4,7000
RFQ
 ECAD 66 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 14-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 1,25 Вт 14-Dip СКАХАТА Rohs 2368-NTE2320 Ear99 8541.29.0095 1 30 500 май 30NA (ICBO) Npn 1,4 Е @ 30 май, 300 мая 100 @ 150 май, 10 В 350 мг
BUX48 NTE Electronics, Inc Bux48 5.4600
RFQ
 ECAD 35 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 200 ° C (TJ) ШASCI TO-204AA, TO-3 175 Вт По 3 СКАХАТА Rohs3 2368 Bux48 Ear99 8541.29.0095 1 400 15 а 200 мк Npn 5V @ 3a, 15a - -
NTE187A NTE Electronics, Inc NTE187A 4.2400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-202 Long Tab 10 st До 202 м СКАХАТА Rohs 2368-NTE187A Ear99 8541.29.0095 1 40 3 а 100 мк Pnp 1В @ 200 май, 2а 50 @ 1a, 5в 150 мг
NTE75 NTE Electronics, Inc NTE75 29.0200
RFQ
 ECAD 47 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 200 ° C. ШAsci, Стало Создание 1111-4, Став 2 Вт 121 СКАХАТА Rohs 2368-NTE75 Ear99 8541.29.0095 1 80 5 а 100 мк Npn 1,5 Е @ 500 мА, 5A 40 @ 50ma, 5 120 мг
NTE2343 NTE Electronics, Inc NTE2343 2.0000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 80 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE2343 Ear99 8541.29.0095 1 120 12 а 1MA Npn - дарлино 3v @ 100ma, 10a 1000 @ 3a, 3v -
NTE2310 NTE Electronics, Inc NTE2310 8.5900
RFQ
 ECAD 47 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 175 ° C (TJ) Чereз dыru 218-3 125 Вт 218 СКАХАТА Rohs 2368-NTE2310 Ear99 8541.29.0095 1 450 8 а 1MA Npn 1,5- 1,2A, 6A - -
NTE36 NTE Electronics, Inc NTE36 5.1900
RFQ
 ECAD 296 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 100 y 12 с СКАХАТА Rohs3 2368-NTE36 Ear99 8541.29.0095 1 140 12 а 100 мк Npn 2,5 В @ 500 май, 5а 60 @ 1a, 5v 15 мг
2N3773 NTE Electronics, Inc 2N3773 4.5500
RFQ
 ECAD 307 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 150 Вт № 204 года (3). СКАХАТА Rohs3 2368-2N3773 Ear99 8541.29.0095 1 140 16 а 10 май Npn 1,4 - @ 800 мА, 8a 15 @ 8a, 4v -
NTE123AP NTE Electronics, Inc NTE123AP 1.3300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE123AP Ear99 8541.21.0095 1 40 600 май 100NA Npn 750 мВ 50 мам, 500 маточков 100 @ 150 май, 1в 250 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть