SIC
close

Одеяно -аварий

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
TIP49 onsemi TIP49 -
RFQ
 ECAD 7005 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 TIP49 2 Вт 220-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1200 350 1 а 1MA Npn 1V @ 200 мам, 1a 30 @ 300 май, 10 В 10 мг
2N5684G onsemi 2N5684G 15.8900
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 OnSemi - Поднос Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AE 2N5684 300 Вт № 204 года (3). СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 2n5684gos Ear99 8541.29.0095 100 80 50 а 1MA Pnp 5V @ 10a, 50a 15 @ 25a, 2v 2 мг
BC640ZL1 onsemi BC640ZL1 -
RFQ
 ECAD 2348 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА BC640 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 80 500 май 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 40 @ 150 май, 2 В 150 мг
2N3904TF onsemi 2n3904tf 0,3700
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 2N3904 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 40 200 май - Npn 300 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 10ma, 1в 300 мг
BFU590Q115 NXP USA Inc. BFU590Q115 0,5000
RFQ
 ECAD 106 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0075 1000
CMNT3904E TR PBFREE Central Semiconductor Corp Cmnt3904e tr pbfree 0,1380
RFQ
 ECAD 7429 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-953 CMNT3904 250 м SOT-953 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 8000 40 200 май - Npn 200 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 10ma, 1в 300 мг
BUJD105AD,118 WeEn Semiconductors BUJD105AD, 118 0,3365
RFQ
 ECAD 3854 0,00000000 Weenpoluprovodonnyki - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 Bujd1 80 Вт Dpak СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2500 400 8 а 100 мк Npn 1v @ 800ma, 4a 13 @ 500 май, 5в -
2SD2114KT146W Rohm Semiconductor 2SD2114KT146W 0,4100
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SD2114 200 м SMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 20 500 май 500NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 20 май, 500 мат 1200 @ 10ma, 3V 350 мг
2SD12710P Panasonic Electronic Components 2SD12710P -
RFQ
 ECAD 2276 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- 2SD127 2 Вт TO-220F-A1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 100 80 7 а 10 мк (ICBO) Npn 500 м. @ 250 мА, 5а 130 @ 3a, 2v 30 мг
2N5661 General Semiconductor 2N5661 -
RFQ
 ECAD 6036 0,00000000 ОБИСА - МАССА Актифен - Чereз dыru DO 213AA, DO 66-2 20 Вт 126 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 300 1 а 1 мка (ICBO) - 400 мВ @ 100ma, 1a 25 @ 500 май, 5в 20 мг
ZTX757STOB Diodes Incorporated ZTX757Stob -
RFQ
 ECAD 4872 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru E-line-3, obrahawannele-ledы ZTX757 1 Вт Электронная линия (до 92 года СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 300 500 май 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 10ma, 100 мая 50 @ 100ma, 5 В 30 мг
JAN2N5153L Microchip Technology Jan2n5153l 12.3158
RFQ
 ECAD 6618 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/545 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 2N5153 1 Вт По 5 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 80 2 а 50 мк Pnp 1,5 Е @ 500 мА, 5A 70 @ 2,5A, 5 В -
JANTX2N3634UB/TR Microchip Technology JantX2N3634UB/tr 22.2642
RFQ
 ECAD 4082 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/357 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA 1 Вт Ub - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 140 10 мк 10 мк Pnp 600 мВ @ 5ma, 50 мая 50 @ 50ma, 10 В -
BC549BBK Diotec Semiconductor BC549BBK 0,0241
RFQ
 ECAD 5126 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-BC549BBK 8541.21.0000 5000 30 100 май 15NA Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 300 мг
JAN2N498S Microchip Technology Jan2n498s -
RFQ
 ECAD 8867 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен - Rohs DOSTISH 0000.00.0000 1
KSC1009YTA-ON onsemi KSC1009YTA-ON 0,0300
RFQ
 ECAD 32 0,00000000 OnSemi - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 800 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 140 700 млн 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 20 май, 200 мая 120 @ 50ma, 2v 50 мг
DCP69A-13 Diodes Incorporated DCP69A-13 0,1395
RFQ
 ECAD 3928 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA DCP69A 1 Вт SOT-223-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2500 20 1 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 100ma, 1a 85 @ 500 май, 1в 250 мг
BC847C Yangjie Technology BC847C 0,0150
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 225 м SOT-23 - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-BC847CTR Ear99 3000 45 100 май 100NA Npn 500 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 100 мг
JAN2N6033 Microchip Technology Jan2n6033 401.1280
RFQ
 ECAD 3732 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/528 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TA) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 140 Вт По 3 - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 120 40 А. 25 май (ICBO) Npn 10 @ 40a, 2v -
2N5344 Microchip Technology 2N5344 34 3500
RFQ
 ECAD 5295 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Актифен - DOSTISH 150-2N5344 1
KSP06TA onsemi KSP06TA 0,3500
RFQ
 ECAD 716 0,00000000 OnSemi - Веса Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА KSP06 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 80 500 май 100NA Npn 250 мВ @ 10ma, 100 мая 50 @ 100ma, 1в 100 мг
FDMS038ZS Fairchild Semiconductor FDMS038ZS 0,2700
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Fairchild Semiconductor * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8542.39.0001 3000
CMPTA56 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMPTA56 TR PBFREE 0,4200
RFQ
 ECAD 521 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 CMPTA56 350 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 80 500 май 100NA Pnp 250 мВ @ 10ma, 100 мая 100 @ 100ma, 1в 100 мг
BC557B,116 NXP USA Inc. BC557B, 116 -
RFQ
 ECAD 9390 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC55 500 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 45 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 220 @ 2MA, 5V 100 мг
ZTX603STOB Diodes Incorporated ZTX603Stob -
RFQ
 ECAD 1247 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru E-line-3, obrahawannele-ledы ZTX603 1 Вт Электронная линия (до 92 года СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 80 1 а 10 мк Npn - дарлино 1v @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 5v 150 мг
2SB1151-G-BP Micro Commercial Co 2SB1151-G-BP -
RFQ
 ECAD 4824 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 2SB1151 1,25 Вт 126 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1000 60 5 а 10 мк (ICBO) Pnp 300 мВ 200 май, 2а 200 @ 2a, 1v -
BD17810STU onsemi BD17810STU -
RFQ
 ECAD 9684 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 BD178 30 st 126-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 60 60 3 а 100 мк (ICBO) Pnp 800 мВ @ 100ma, 1a 63 @ 150ma, 2v 3 мг
BC857BE6433HTMA1 Infineon Technologies BC857BE6433HTMA1 0,0489
RFQ
 ECAD 7777 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Прохл 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 330 м PG-SOT23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 45 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 220 @ 2MA, 5V 250 мг
CPH3115-TL-H onsemi CPH3115-TL-H 0,4200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SC-96 CPH311 900 м 3-кадр СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 1,5 а 100NA (ICBO) Pnp 375 мВ @ 15ma, 750 мая 200 @ 100ma, 2v 450 мг
BC858A-TP Micro Commercial Co BC858A-TP 0,0236
RFQ
 ECAD 3337 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC858 200 м SOT-23 СКАХАТА 353-BC858A-TP Ear99 8541.21.0075 1 30 100 май 15NA Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 125 @ 2ma, 5V 100 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть