SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)
DP0150ALP4-7B Diodes Incorporated DP0150ALP4-7B -
RFQ
 ECAD 2589 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 3-xfdfn DP0150 450 м X2-DFN1006-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 10000 50 100 май 100NA (ICBO) Pnp 300 мВ @ 10ma, 100 мА 120 @ 2MA, 6V 80 мг
NSBC114YPDXV6T1 onsemi NSBC114YPDXV6T1 -
RFQ
 ECAD 1582 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-563, SOT-666 NSBC114 500 м SOT-563 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 80 @ 5ma, 10 В - 10 Комов 47komm
2SB955K Renesas Electronics America Inc 2SB955K 2.1100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1
JANSM2N2369AU Microchip Technology Jansm2n2369au 130.1402
RFQ
 ECAD 3075 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/117 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA 500 м U - DOSTISH 150-JANSM2N2369AU 1 15 400NA Npn 450 мВ @ 10ma, 100 мая 40 @ 10ma, 1v -
BD250C-S Bourns Inc. BD250C-S -
RFQ
 ECAD 1607 0,00000000 Bourns Inc. - Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 218-3 BD250 3 Вт SOT-93 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 300 100 25 а 1MA Pnp 4V @ 5a, 25a 5 @ 25a, 4 В -
BC337_J35Z onsemi BC337_J35Z -
RFQ
 ECAD 9395 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC337 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 45 800 млн 100NA Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 1в 100 мг
MMBT6428LT1 onsemi MMBT6428LT1 -
RFQ
 ECAD 6238 0,00000000 OnSemi * Веса Управо MMBT6428 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000
KSD1616GBU Fairchild Semiconductor KSD1616GBU 0,0500
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 750 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 1000 50 1 а 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 50ma, 1a 200 @ 100ma, 2v 160 мг
BC846BLT3G onsemi BC846BLT3G 0,1500
RFQ
 ECAD 193 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC846 300 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 65 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 100 мг
JAN2N4235 Microchip Technology Jan2n4235 39,7936
RFQ
 ECAD 2076 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА MIL-PRF-19500/580 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 2N4235 1 Вт Не 39 СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 60 1 а 1MA Pnp 600 мВ @ 100ma, 1a 40 @ 100ma, 1в -
JANSL2N3636 Microchip Technology Jansl2n3636 -
RFQ
 ECAD 9941 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/357 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 175 10 мк 10 мк Pnp 600 мВ @ 5ma, 50 мая 50 @ 50ma, 10 В -
BCV29E6327HTSA1 Infineon Technologies BCV29E6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 2344 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 243а BCV29 1 Вт PG-SOT89 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 30 500 май 100NA (ICBO) Npn - дарлино 1- @ 100 мк, 100 мая 20000 @ 100ma, 5 В 150 мг
FMMTA56TC Diodes Incorporated Fmmta56tc -
RFQ
 ECAD 3760 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Fmmta56 330 м SOT-23-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 80 500 май 100NA Pnp 250 мВ @ 10ma, 100 мая 50 @ 100ma, 1в 100 мг
2SC3326-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3326-B, LF 0,4000
RFQ
 ECAD 205 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 125 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3326 150 м 236 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 20 300 май 100NA (ICBO) Npn 100 мВ @ 3ma, 30 ма 350 @ 4MA, 2V 30 мг
2N6517-BP Micro Commercial Co 2N6517-bp -
RFQ
 ECAD 9066 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N6517 625 м Создание 92 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 353-2N6517-bp Ear99 8541.21.0075 1000 350 500 май 50na (ICBO) Npn 1V @ 5ma, 50 мая 30 @ 30 май, 10 В 200 мг
KSC3503DSTSSTU onsemi KSC3503DSTSSTU -
RFQ
 ECAD 4484 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 KSC3503 7 Вт 126-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2880 300 100 май 100NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 2ma, 20 мая 60 @ 10ma, 10 В 150 мг
BSR41-QF Nexperia USA Inc. BSR41-QF 0,2505
RFQ
 ECAD 4487 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а 1,35 SOT-89 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1727-BSR41-Qftr Ear99 8541.29.0075 4000 60 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 100 @ 100ma, 5 В 100 мг
APT13003SU-G1 Diodes Incorporated APT13003SU-G1 -
RFQ
 ECAD 5988 0,00000000 Дидж - МАССА Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 APT13003 20 Вт 126 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH APT13003SU-G1DI Ear99 8541.29.0095 4000 450 1,3 а - Npn 1,2 - @ 250 май, 1a 5 @ 1a, 2v 4 мг
KTA1267-Y-BP Micro Commercial Co KTA1267-Y-BP -
RFQ
 ECAD 8147 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO 226-3, DO-92-3 COROTCOE KTA1267 400 м До 92-х Годо СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 353-KTA1267-Y-BP Ear99 8541.21.0095 1000 50 150 май 100NA (ICBO) Pnp 300 мВ @ 10ma, 100 мА 120 @ 2MA, 6V 80 мг
NSBC114TPDXV6T1 onsemi NSBC114TPDXV6T1 -
RFQ
 ECAD 3279 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-563, SOT-666 NSBC114 500 м SOT-563 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH NSBC114TPDXV6T1OS Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 250 мВ @ 1MA, 10MA 160 @ 5ma, 10 В - 10 Комов -
JANTX2N2222A Microchip Technology Jantx2n2222a 2.7300
RFQ
 ECAD 3434 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/255 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 206aa, 18-3 Металлана Банканка 2N2222 500 м 218 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 50 800 млн 50NA Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В -
TIP31A Fairchild Semiconductor TIP31A -
RFQ
 ECAD 4435 0,00000000 Fairchild Semiconductor TIP31A МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 2 Вт 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 60 3 а 300 мк Npn 1,2 - @ 375MA, 3A 25 @ 1a, 4v 3 мг
2SB892S-AE Sanyo 2SB892S-AE -
RFQ
 ECAD 4717 0,00000000 САНО * МАССА Управо - Rohs Продан 2156-2SB892S-EA-600057 1
SMBTA64E6327 Infineon Technologies SMBTA64E6327 -
RFQ
 ECAD 7147 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MBTA64 330 м PG-SOT23 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 500 май 100NA (ICBO) PNP - ДАРЛИНГТОН 1,5 -прри 100 мк, 100 май 20000 @ 100ma, 5 В 125 мг
FMBS549 Fairchild Semiconductor FMBS549 0,0400
RFQ
 ECAD 6326 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 700 м Supersot ™ -6 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 5 30 1 а 100NA (ICBO) Pnp 750 м. 100 @ 500 май, 2 В 100 мг
MMSS8050W-H-TP Micro Commercial Co MMSS8050W-H-TP 0,0379
RFQ
 ECAD 4375 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 MMSS8050 200 м SOT-323 СКАХАТА 353-MMSS8050W-H-TP Ear99 8541.21.0075 1 25 В 1,5 а 100NA Npn 500 мВ @ 80 май, 800 мая 120 @ 100ma, 1v 100 мг
2SA1709S-EPN-AN onsemi 2SA1709S-EPN-AN -
RFQ
 ECAD 4483 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо 2SA1709 - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 2500
NSBC114EPDXV6T5 onsemi NSBC114EPDXV6T5 0,0700
RFQ
 ECAD 242 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 8000
MMBT2907A-D87Z onsemi MMBT2907A-D87Z -
RFQ
 ECAD 7658 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2907 350 м SOT-23-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 60 800 млн 20NA (ICBO) Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 200 мг
TIP31B-BP Micro Commercial Co TIP31B-BP -
RFQ
 ECAD 4455 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 TIP31 2 Вт ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5000 80 3 а 300 мк Npn 1,2 - @ 375MA, 3A 10 @ 3A, 4V 3 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть