SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanee эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
2N3810A Solid State Inc. 2N3810A 10.6670
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - МАССА Актифен - Чereз dыru До 78-6 МЕТАЛЛИСКАСКА 128-6 - Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-2N3810A Ear99 8541.10.0080 10 - Pnp - - -
500-00001 Parallax Inc. 500-00001 -
RFQ
 ECAD 8091 0,00000000 Parallax Inc. - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 1,5 TO-92 (DO 226) - Ear99 8541.29.0075 1 40 200 май 50NA Npn 300 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 10ma, 1в 300 мг
BC817RAZ Nexperia USA Inc. BC817Raz 0,4000
RFQ
 ECAD 888 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 6-xfdfn oTkrыTAIN ANPLOUSCA BC817 350 м DFN1412-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 5000 45 500 май 100NA (ICBO) 2 npn (дВОХАНЕй) 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 160 @ 100ma, 1v 100 мг
JANTX2N7372 Microchip Technology Jantx2n7372 -
RFQ
 ECAD 3537 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/612 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 254-3, до 254AA (пр. 4 Вт 254 - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 80 50 мк 50 мк Pnp 1,5 Е @ 500 мА, 5A 70 @ 2,5A, 5 В -
ST2001FX STMicroelectronics ST2001FX -
RFQ
 ECAD 4404 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru Isowatt218fx ST2001 63 Вт Иоватт-218fx СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 300 600 10 а 1MA Npn 1,5- 1,25а, 5А 5 @ 6a, 5v -
UP0411200L Panasonic Electronic Components UP0411200L -
RFQ
 ECAD 5510 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-563, SOT-666 UP0411 125 м SSMINI6-F1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 60 @ 5ma, 10 В 80 мг 22khh 22khh
BFG97,135 NXP USA Inc. BFG97,135 -
RFQ
 ECAD 6089 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 175 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA BFG97 1 Вт SC-73 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 933919920135 Ear99 8541.21.0075 4000 - 15 100 май Npn 25 @ 70 май, 10 В 5,5 -е -
BCV46,215 Nexperia USA Inc. BCV46,215 0,3800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BCV46 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 60 500 май 100NA (ICBO) PNP - ДАРЛИНГТОН 1- @ 100 мк, 100 мая 10000 @ 100ma, 5 В 220 мг
JANSF2N6987 Microchip Technology Jansf2n6987 180.2500
RFQ
 ECAD 2960 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/558 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 14-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 2N6987 1,5 Дол-116 - DOSTISH 150-jansf2n6987 1 60 600 май 10 мк (ICBO) 4 PNP (квадрат) 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В -
BC618,112 NXP USA Inc. BC618,112 -
RFQ
 ECAD 3355 0,00000000 NXP USA Inc. - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC61 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1000 55 500 май 50 мк Npn - дарлино 1,1 - @ 200 мка, 200 мая 10000 @ 200 май, 5в 155 мг
2N2222AE3 Microchip Technology 2n2222ae3 4.5300
RFQ
 ECAD 4070 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 206aa, 18-3 Металлана Банканка 2N2222 500 м 18-18 (ДО 206AA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 50 800 млн 50NA Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В -
BC239BTA onsemi BC239BTA -
RFQ
 ECAD 6932 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC239 500 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 25 В 100 май 15NA Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 180 @ 2ma, 5 250 мг
DDA114YUQ-7-F Diodes Incorporated DDA114YUQ-7-F 0,0746
RFQ
 ECAD 5173 0,00000000 Дидж Automotive, AEC-Q101, DDA (XXXX) U Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 DDA114 200 м SOT-363 СКАХАТА DOSTISH 31-DDA114YUQ-7-FTR Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA (ICBO) 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 68 @ 10ma, 5в 250 мг 10 Комов 47komm
PBRN113ZT,215 Nexperia USA Inc. PBRN113ZT, 215 0,3800
RFQ
 ECAD 21 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PBRN113 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 40 600 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 1,15 В @ 8MA, 800 мая 500 @ 300 май, 5 В 1 kohms 10 Kohms
2SC50260RL Panasonic Electronic Components 2SC50260RL -
RFQ
 ECAD 1626 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 243а 2SC5026 1 Вт Minip3-f1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1000 80 1 а 100NA (ICBO) Npn 300 мВ 50 мам, 500 мат 120 @ 100ma, 2V 120 мг
2N4901 Microchip Technology 2N4901 45.1535
RFQ
 ECAD 8075 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Актифен 2N4901 - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1
RN4905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4905FE, LF (Ct 0,2700
RFQ
 ECAD 2228 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-563, SOT-666 RN4905 100 м ES6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 100NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 мг 2,2KOM 47komm
JANTX2N2604 Microchip Technology Jantx2n2604 -
RFQ
 ECAD 9672 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/354 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-206AB, TO-46-3 METLAC BAN BAN 2N2604 400 м TO-46 (TO-206AB) - Rohs DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 60 30 май 10NA Pnp 300 мВ 500 мк, 10 60 @ 500 мк, 5в -
BCR119SH6433XTMA1 Infineon Technologies BCR119SH6433XTMA1 -
RFQ
 ECAD 2863 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR119 250 м PG-SOT363-PO СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 10000 50 100 май - 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 мВ 500 мк, 10 120 @ 5ma, 5 В 150 мг 4,7 КОМ -
NSBA123TDP6T5G onsemi NSBA123TDP6T5G 0,0672
RFQ
 ECAD 6014 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-963 NSBA123 408 м SOT-963 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 160 @ 5ma, 10 В - 2,2KOM -
PBSS5330PASX Nexperia USA Inc. PBSS5330PASX 0,4900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен 175 ° C (TJ) Пефер 3-udfn otkrыtaiNavaIn-o PBSS5330 600 м DFN2020D-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 3 а 100NA Pnp 320 мВ @ 300 май, 3а 175 @ 1a, 2v 165 мг
2SC5611 Sanyo 2SC5611 -
RFQ
 ECAD 9535 0,00000000 САНО * МАССА Управо - Rohs Продан 2156-2SC5611-600057 1
2N3507AL Microchip Technology 2N3507AL 12.2626
RFQ
 ECAD 7602 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 2N3507 1 Вт TO-5AA СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 50 3 а 1 мка Npn 1,5 -прри 250 май, 2,5а 35 @ 500 май, 1в -
2N3778 Microchip Technology 2N3778 -
RFQ
 ECAD 4900 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Пркрэно - Чereз dыru ДО 205AA, МАТА По 5 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 - - - - -
MJE13005F-BP Micro Commercial Co MJE13005F-BP -
RFQ
 ECAD 2722 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка MJE13005 2 Вт Ito-220AB - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1000 420 4 а 50 мк Npn 300 м. 10 @ 1a, 5v 5 мг
2SA1768T-AN onsemi 2SA1768T-AN -
RFQ
 ECAD 3903 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru SC-71 2SA1768 1 Вт 3 мк СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2500 160 700 млн 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 25 май, 250 мат 200 @ 100ma, 5 В 120 мг
JAN2N5012 Microsemi Corporation Jan2n5012 -
RFQ
 ECAD 8177 0,00000000 Microsemi Corporation ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/727 МАССА Управо -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 1 Вт По 5 - Rohs Neprigodnnый Ear99 8541.29.0095 1 700 200 май 10NA (ICBO) Npn 30 @ 25 мА, 10 В -
2PD601ASL,235 Nexperia USA Inc. 2PD601ASL, 235 0,1800
RFQ
 ECAD 990 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2pd601 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 50 100 май 10NA (ICBO) Npn 250 мВ @ 10ma, 100 мая 290 @ 2ma, 10 В 100 мг
NTE2525 NTE Electronics, Inc NTE2525 1.4600
RFQ
 ECAD 663 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА 1 Вт 251 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DoStiчsh и napormaцiю, dostupnuюpo зaprosue 2368-NTE2525 Ear99 8541.29.0095 1 50 8 а 1 мка (ICBO) Pnp 500 мВ @ 200 май, 4а 100 @ 500 май, 2 В 130 мг
BCR 192 B6327 Infineon Technologies BCR 192 B6327 -
RFQ
 ECAD 5333 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR 192 200 м PG-SOT23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 30 000 50 100 май 100NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 10 70 @ 5ma, 5 В 200 мг 22 Kohms 47 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список RFQ (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть