SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
PDTC123JT-QR Nexperia USA Inc. PDTC123JT-QR 0,0324
RFQ
 ECAD 1179 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC123 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1727-PDTC123JT-QRTR Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 1 мка Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 100 мВ @ 250 мк, 5 мая 100 @ 10ma, 5 В 230 мг 2.2 Ком 47 Kohms
PDTC123JEF115 Philips PDTC123JEF115 0,0500
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 Филипс * МАССА Актифен PDTC123 СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0095 6662
JAN2N5302 Microchip Technology Jan2n5302 141.9110
RFQ
 ECAD 7757 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/456 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 2N5302 5 Вт TO-3 (DO 204AA) - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 60 30 а 10 мк Npn 3v @ 6a, 30a 15 @ 15a, 2v -
2N5758 Microchip Technology 2N5758 77.3850
RFQ
 ECAD 1082 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен - Чereз dыru TO-204AA, TO-3 150 Вт До 204 года. (DO-3) - DOSTISH 150-2N5758 Ear99 8541.29.0095 1 100 6 а - Npn - - -
2SA1700E-E onsemi 2SA1700E-E 0,2800
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0075 1
BC212L_J35Z onsemi BC212L_J35Z -
RFQ
 ECAD 2703 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC212 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 50 300 май 15NA (ICBO) Pnp 600 мВ @ 5ma, 100 мая 60 @ 2ma, 5 200 мг
CEN867 TR TIN/LEAD Central Semiconductor Corp Cen867 tr tin/radod -
RFQ
 ECAD 6371 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо - Rohs3 DOSTISH 1514-CEN867TRTIN/LEADTR Управо 1
KSD1616AGBU onsemi KSD1616AGBU 0,4000
RFQ
 ECAD 38 0,00000000 OnSemi - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSD1616 750 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 60 1 а 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 50ma, 1a 200 @ 100ma, 2v 160 мг
2N5109 Microsemi Corporation 2N5109 -
RFQ
 ECAD 7077 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо - Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 2,5 Не 39 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 12 дБ 20 400 май Npn 40 @ 50ma, 15 1,2 -е -
BCW70,215 NXP USA Inc. BCW70,215 -
RFQ
 ECAD 7713 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен BCW70 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000
2N718A Microchip Technology 2n718a 31.0821
RFQ
 ECAD 4800 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 206aa, 18-3 Металлана Банканка 500 м 18-18 (ДО 206AA) - DOSTISH 2266-2n718a Ear99 8541.21.0095 1 30 500 май 10 мк (ICBO) Npn 1,5 Е @ 15 Ма 40 @ 150 май, 10 В -
MAT02BH Analog Devices Inc. Mat02bh 7.8800
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Analog Devices Inc. - МАССА Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Чereз dыru До 78-6 МЕТАЛЛИСКАСКА MAT02 500 м 128-6 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 40 20 май 200pa 2 npn (дВОХАНЕй) 100 мВр 100 мк, 1 мая 500 @ 1MA, 40V -
FJN3310RBU Fairchild Semiconductor FJN3310RBU 1.0000
RFQ
 ECAD 2532 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) FJN331 300 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 1000 40 100 май 100NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ @ 1MA, 10MA 100 @ 1MA, 5 В 250 мг 10 Kohms
HN4C06J-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN4C06J-BL (TE85L, ф 0,1088
RFQ
 ECAD 3999 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер SC-74A, SOT-753 HN4C06 300 м SMV СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 120 100 май 100NA (ICBO) 2 npn (dvoйnoй) obhщiй lyuheeneeneee 300 мВ @ 1MA, 10MA 200 @ 2MA, 6V 100 мг
DTA043TMT2L Rohm Semiconductor DTA043TMT2L 0,0382
RFQ
 ECAD 4221 0,00000000 ROHM Semiconductor DTA043T Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-723 DTA043 150 м VMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 500NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 150 мв 500 мк, 5 100 @ 5ma, 10 В 250 мг 4.7 Kohms
AT-32011-TR1G Broadcom Limited AT-32011-TR1G -
RFQ
 ECAD 9909 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 253-4, 253а AT-32011 200 м SOT-143 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 12,5db ~ 14db 5,5 В. 32 май Npn 70 @ 2ma, 2,7 В - 1db ~ 1,3 dbpri 900 мг.
CYT5551D TR Central Semiconductor Corp Cyt5551d tr -
RFQ
 ECAD 7168 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-228 Cyt5551 2W SOT-228 СКАХАТА 1514-Cyt5551dtr Ear99 8541.29.0075 1 160В 600 май 50na (ICBO) 2 npn (дВОХАНЕй) 200 мВ @ 5ma, 50 мая 80 @ 10ma, 5в 100 мг
2N5621 Microchip Technology 2N5621 74.1300
RFQ
 ECAD 7448 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен - Чereз dыru TO-204AA, TO-3 116 Вт До 204 года. (DO-3) - DOSTISH 150-2N5621 Ear99 8541.29.0095 1 60 10 а - Pnp - - -
BSR13 Fairchild Semiconductor BSR13 1.0000
RFQ
 ECAD 5723 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 350 м SOT-23-3 - Rohs3 Ear99 8541.21.0075 3000 30 500 май 30NA (ICBO) Npn 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 250 мг
BC856AW,115 Nexperia USA Inc. BC856AW, 115 0,1700
RFQ
 ECAD 804 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC856 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 65 100 май 15NA (ICBO) Pnp 600 мВ @ 5ma, 100 мая 125 @ 2ma, 5V 100 мг
BC307CBU Fairchild Semiconductor BC307CBU 0,0200
RFQ
 ECAD 1289 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 629 45 100 май 15NA Pnp 500 мВ @ 5ma, 100 мая 380 @ 2ma, 5V 130 мг
MMDT3906VC Diodes Incorporated MMDT3906VC -
RFQ
 ECAD 2535 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо MMDT3906 - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 31-MMDT3906VCTR Управо 3000
ZXTD717MCTA Diodes Incorporated Zxtd717mcta 0,3190
RFQ
 ECAD 9604 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o Zxtd717 1,5 DFN3020B-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH -Zxtd717mctaditr Ear99 8541.29.0075 3000 12 4 а 100NA 2 PNP (DVOйNOй) 310 мВ @ 150ma, 4a 300 @ 100ma, 2v 110 мг
AT-41511-TR1G Broadcom Limited AT-41511-TR1G -
RFQ
 ECAD 1940 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 253-4, 253а AT-41511 225 м SOT-143 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 11db ~ 15,5db 12 50 май Npn 30 @ 5ma, 5в - 1db ~ 1,7db прри 900 мг ~ 2,4 -е.
BFN38E6327 Infineon Technologies BFN38E6327 0,1200
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Infineon Technologies Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA 1,5 PG-SOT223-4 СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0075 1000 300 200 май 100NA (ICBO) 500 мВ @ 2ma, 20 мая 40 @ 10ma, 10 В 70 мг
JANSP2N2906AUBC/TR Microchip Technology Jansp2n2906aubc/tr 306.0614
RFQ
 ECAD 5006 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/291 Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 500 м UBC - DOSTISH 150-jansp2n2906aubc/tr 50 60 600 май 50NA Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 40 @ 150 май, 10 В -
DTC123ECA Yangjie Technology DTC123ECA 0,0200
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен DTC123 - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-DTC123ECATR Ear99 3000
MRF555G Microsemi Corporation MRF555G -
RFQ
 ECAD 4751 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо - 3W - 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1000 12,5db 16 500 май Npn 50 @ 100ma, 5 В 470 мг -
TIP49 STMicroelectronics TIP49 -
RFQ
 ECAD 7073 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 TIP49 2 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 350 1 а 1MA Npn 1V @ 200 мам, 1a 30 @ 300 май, 10 В 10 мг
JANSL2N2221AUBC Microchip Technology Jansl2n2221aubc 231.8416
RFQ
 ECAD 2543 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/255 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 500 м UBC - DOSTISH 150-JANSL2N2221AUBC 1 50 800 млн 50NA Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть