SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
HN4A51JTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN4A51JTE85LF 0,4500
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-74A, SOT-753 HN4A51 300 м SMV СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 120 100 май 100NA (ICBO) 2 PNP (DVOйNOй) 300 мВ @ 1MA, 10MA 200 @ 2MA, 6V 100 мг
FMBS549 Fairchild Semiconductor FMBS549 0,0400
RFQ
 ECAD 6326 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 700 м Supersot ™ -6 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 5 30 1 а 100NA (ICBO) Pnp 750 м. 100 @ 500 май, 2 В 100 мг
MMSS8050W-H-TP Micro Commercial Co MMSS8050W-H-TP 0,0379
RFQ
 ECAD 4375 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 MMSS8050 200 м SOT-323 СКАХАТА 353-MMSS8050W-H-TP Ear99 8541.21.0075 1 25 В 1,5 а 100NA Npn 500 мВ @ 80 май, 800 мая 120 @ 100ma, 1v 100 мг
2SA1709S-EPN-AN onsemi 2SA1709S-EPN-AN -
RFQ
 ECAD 4483 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо 2SA1709 - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 2500
BC807-25LWX Nexperia USA Inc. BC807-25LWX 0,1900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC807 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 45 500 май 100NA (ICBO) Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 160 @ 100ma, 1v 80 мг
NSBC114EPDXV6T5 onsemi NSBC114EPDXV6T5 0,0700
RFQ
 ECAD 242 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 8000
MMBT2907A-D87Z onsemi MMBT2907A-D87Z -
RFQ
 ECAD 7658 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2907 350 м SOT-23-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 60 800 млн 20NA (ICBO) Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 200 мг
TIP31B-BP Micro Commercial Co TIP31B-BP -
RFQ
 ECAD 4455 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 TIP31 2 Вт ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5000 80 3 а 300 мк Npn 1,2 - @ 375MA, 3A 10 @ 3A, 4V 3 мг
ADC113TUQ-13 Diodes Incorporated ADC113TUQ-13 -
RFQ
 ECAD 3155 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 ADC113 270 м SOT-363 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH ADC113TUQ-13DI Ear99 8541.21.0075 10000 50 100 май 500NA (ICBO) 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 мВ @ 1MA, 10MA 100 @ 1MA, 5 В 250 мг 1 кум -
BC847CW Yangjie Technology BC847CW 0,0170
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° С ~ 150 ° С. Пефер SC-70, SOT-323 200 м SOT-323 - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-BC847CWTR Ear99 3000 45 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 100 мг
JANTX2N5666S Microchip Technology Jantx2n5666s -
RFQ
 ECAD 7478 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/455 МАССА Пркрэно -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 2N5666 1,2 Вт TO-39 (DO 205 g.) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 200 5 а 200NA Npn 1v @ 1a, 5a 40 @ 1a, 5в -
BFN18E6327HTSA1 Infineon Technologies BFN18E6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 5377 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 243а BFN18 1 Вт PG-SOT89 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 300 200 май 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 2ma, 20 мая 30 @ 30 май, 10 В 70 мг
2SC4215-O-TP Micro Commercial Co 2SC4215-O-TP -
RFQ
 ECAD 6894 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 2SC4215 100 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1000 30 20 май 100NA (ICBO) Npn 70 @ 1MA, 6V 550 мг
ICD20V02X1SA1 Infineon Technologies ICD20V02X1SA1 -
RFQ
 ECAD 4081 0,00000000 Infineon Technologies * МАССА Управо СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP000946698 Управо 0000.00.0000 1
PDTC123JEF115 Philips PDTC123JEF115 0,0500
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 Филипс * МАССА Актифен PDTC123 СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0095 6662
TIP34C NTE Electronics, Inc TIP34C 2.4000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 218-3 80 Вт 218 СКАХАТА Rohs3 2368-TIP34C Ear99 8541.29.0095 1 100 10 а - Pnp - 100 @ 3A, 4V 3 мг
2N5007 Microchip Technology 2N5007 537.9600
RFQ
 ECAD 5622 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Стало TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud 100 y 121 - DOSTISH 150-2N5007 Ear99 8541.29.0095 1 80 10 а - Pnp 1,5 h @ 1ma, 5ma - -
2SC5200RTU onsemi 2SC5200RTU -
RFQ
 ECAD 8697 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 264-3, 264AA 2SC5200 150 Вт 264-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 375 250 17 а 5 Мка (ICBO) Npn 3v @ 800ma, 8a 55 @ 1a, 5v 30 мг
75112 Microsemi Corporation 75112 -
RFQ
 ECAD 3729 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо - 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 1
JANTXV2N3419S Microchip Technology Jantxv2n3419s 20.6948
RFQ
 ECAD 1796 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/393 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 2N3419 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 80 3 а 5 Мка Npn 500 мВ 200 май, 2а 20 @ 1a, 2v -
2N3716 PBFREE Central Semiconductor Corp 2N3716 PBFREE 6.3500
RFQ
 ECAD 38 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Трубка Управо -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 150 Вт По 3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 20 80 10 а - Npn 800 мВ @ 500 мА, 5а 50 @ 1a, 2v 4 мг
BCX55,115 NXP USA Inc. BCX55,115 -
RFQ
 ECAD 8695 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен BCX55 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000
AT-32011-TR1G Broadcom Limited AT-32011-TR1G -
RFQ
 ECAD 9909 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 253-4, 253а AT-32011 200 м SOT-143 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 12,5db ~ 14db 5,5 В. 32 май Npn 70 @ 2ma, 2,7 В - 1db ~ 1,3 dbpri 900 мг.
2SB1197-Q-TP Micro Commercial Co 2SB1197-Q-TP 0,0816
RFQ
 ECAD 8460 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SB1197 200 м SOT-23 СКАХАТА 353-2SB1197-Q-TP Ear99 8541.21.0095 1 32 800 млн 500NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 82 @ 100ma, 3v 50 мг
BC 807-40 E6327 Infineon Technologies BC 807-40 E6327 -
RFQ
 ECAD 7009 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC 807 330 м PG-SOT23 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 500 май 100NA (ICBO) Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 250 @ 100ma, 1v 200 мг
2N2222AL Microchip Technology 2N2222AL 7.5943
RFQ
 ECAD 1013 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 206aa, 18-3 Металлана Банканка 2N2222 500 м 18 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 50 800 млн 50NA Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В -
MMBTA06-7-F-52 Diodes Incorporated MMBTA06-7-F-52 0,0458
RFQ
 ECAD 2815 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 310 м SOT-23-3 СКАХАТА 31-MMBTA06-7-F-52 Ear99 8541.21.0075 3000 80 500 май 100NA Npn 250 мВ @ 10ma, 100 мая 100 @ 100ma, 1в 100 мг
DTC123JU3T106 Rohm Semiconductor DTC123JU3T106 0,2000
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 DTC123 200 м UMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 100 май - Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 2.2 Ком 47 Kohms
PQMH13147 NXP Semiconductors PQMH13147 -
RFQ
 ECAD 2526 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен - 2156-PQMH13147 1
BC856A-AQ Diotec Semiconductor BC856A-AQ 0,0236
RFQ
 ECAD 6312 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 250 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан 2796-BC856A-AQTR 8541.21.0000 3000 65 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 125 @ 2MA, 5V 100 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть