SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
2SD12770P Panasonic Electronic Components 2SD12770P -
RFQ
 ECAD 6640 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- 2SD127 2 Вт TO-220F-A1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 100 60 8 а 100 мк (ICBO) Npn - дарлино 1,5 - @ 8ma, 4a 4000 @ 4a, 3v 20 мг
PUMH2/L135 NXP USA Inc. PUMH2/L135 0,0300
RFQ
 ECAD 212 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0095 10000
2N5323 Microchip Technology 2N5323 17.6757
RFQ
 ECAD 7402 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен - Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 10 wt По 5 - DOSTISH 2N5323MS Ear99 8541.29.0095 1 50 2 а - Pnp - - -
MUN5136DW1T1 onsemi MUN5136DW1T1 -
RFQ
 ECAD 7922 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 MUN51 250 м SC-88/SC70-6/SOT-363 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH MUN5136DW1T1OS Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 80 @ 5ma, 10 В - 100 Ком 100 Ком
KSA614YTSTU onsemi KSA614YTSTU -
RFQ
 ECAD 8065 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 KSA614 25 Вт 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 55 3 а 50 мк (ICBO) Pnp 500 мВ @ 100ma, 1a 120 @ 500 май, 5в -
DRC9144V0L Panasonic Electronic Components DRC9144V0L -
RFQ
 ECAD 3118 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер SC-89, SOT-490 DRC9144 125 м SSMINI3-F3-B - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 250 мВ @ 500 мк, 10 мая 30 @ 5ma, 10 В 47 Kohms 10 Kohms
BC859CW Diotec Semiconductor BC859CW 0,0317
RFQ
 ECAD 4590 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-BC859CWTR 8541.21.0000 3000 30 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 100 мг
JANSL2N3498 Microchip Technology Jansl2n3498 41.5800
RFQ
 ECAD 4967 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/366 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) - DOSTISH 150-JANSL2N3498 1 100 500 май 10 мк (ICBO) Npn 600 мВ @ 30 май, 300 мая 40 @ 150 май, 10 В -
TIP35C Central Semiconductor Corp TIP35C -
RFQ
 ECAD 6933 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 218-3 125 Вт 218 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH TIP35CCS Ear99 8541.29.0095 100 100 25 а - Npn - 10 @ 15a, 4v 3 мг
BC487G onsemi BC487G -
RFQ
 ECAD 4257 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА BC487 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 5000 60 500 май 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 100ma, 1a 60 @ 100ma, 5 В 200 мг
PUMF12,115 NXP USA Inc. PUMF12,115 -
RFQ
 ECAD 1953 0,00000000 NXP USA Inc. - МАССА Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 PUMF12 300 м 6-tssop - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 3000 50 В, 40 В. 100 май 1 мка 1 npn, prervariotelnonos -sэtapnый, 1 pnp 150 мВ @ 500 мк, 10 май / 200 мв 5 мам, 50 ма. 80 @ 5ma, 5V / 120 @ 1MA, 6V 100 мг 22khh 47komm
SG2004J-883B Microchip Technology SG2004J-883B -
RFQ
 ECAD 2560 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Поднос Актифен -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Чereз dыru 16-CDIP (0,300 ", 7,62 ММ) SG2004 - 16-Cerdip СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 150-SG2004J-883B Ear99 8541.29.0095 25 50 500 май - 7 NPN Darlington 1,6 В 500 мк, 350 мая 1000 @ 350 май, 2 В -
JANTXV2N3507AU4 Microchip Technology Jantxv2n3507au4 -
RFQ
 ECAD 4977 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/349 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 1 Вт U4 - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 50 1 мка 1 мка Npn 1,5 -прри 250 май, 2,5а 35 @ 500 май, 1в -
JANSD2N5153 Microchip Technology Jansd2n5153 98.9702
RFQ
 ECAD 6036 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/545 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) - DOSTISH 150-JANSD2N5153 1 80 2 а 50 мк Pnp 1,5 Е @ 500 мА, 5A 70 @ 2,5A, 5 В -
ZTX1048ASTOA Diodes Incorporated Ztx1048astoa -
RFQ
 ECAD 3365 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru E-line-3, obrahawannele-ledы Ztx1048a 1 Вт Электронная линия (до 92 года СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 17,5 В. 4 а 10NA Npn 245 мВ @ 20 мА, 4a 300 @ 1a, 2v 150 мг
2N6340 NTE Electronics, Inc 2N6340 5.4600
RFQ
 ECAD 33 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 200 th По 3 СКАХАТА Rohs3 2368-2N6340 Ear99 8541.29.0095 1 140 25 а 50 мк Npn 1,8 В @ 2,5A, 25A 50 @ 500 май, 2 В 40 мг
PDTC123EMB NXP USA Inc. PDTC123EMB 1.0000
RFQ
 ECAD 5216 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен PDTC123 СКАХАТА 0000.00.0000 1
CP617-CM4957-CT Central Semiconductor Corp CP617-CM4957-CT -
RFQ
 ECAD 1099 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Умират - Умират - 1514-CP617-CM4957-CT Управо 500 25 дБ 25 В 30 май Pnp 20 @ 2ma, 10 В 2,5 -е -
PBLS4002Y,115 Nexperia USA Inc. PBLS4002Y, 115 0,4500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 PBLS4002 300 м 6-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 В, 40 В. 100 май, 500 мат 1 мка 1 npn, prervariotelnonos -sэtapnый, 1 pnp 150 мв 500 мк, 10 мам / 350 м. При 50 мам, 500 30 @ 10ma, 5v / 150 @ 100ma, 2v 300 мг 4,7 КОМ 4,7 КОМ
2N4123TA onsemi 2N4123TA -
RFQ
 ECAD 4043 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАННА 2N4123 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 30 200 май 50na (ICBO) Npn 300 мВ @ 5ma, 50 мая 50 @ 2ma, 1V 250 мг
DDTC124GE-7-F Diodes Incorporated DDTC124GE-7-F 0,0605
RFQ
 ECAD 9627 0,00000000 Дидж Ddtc (serkipymypypolgoco r2) e Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-523 DDTC124 150 м SOT-523 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH DDTC124GE-FDICT Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 56 @ 5ma, 5V 250 мг 22 Kohms
2N2919U/TR Microchip Technology 2n2919u/tr 48.8243
RFQ
 ECAD 8319 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен 200 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 2N2919 350 м 3-SMD СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 150-2N2919U/tr Ear99 8541.21.0095 1 60 30 май 10 мк (ICBO) 2 npn (дВОХАНЕй) 300 мВ 100 мк, 1 мана 150 @ 1MA, 5V -
2SA2018TL Rohm Semiconductor 2SA2018TL 0,4200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-75, SOT-416 2SA2018 150 м Emt3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 12 500 май 100NA (ICBO) Pnp 250 мВ @ 10ma, 200 мая 270 @ 10ma, 2v 260 мг
2SD1820ARL Panasonic Electronic Components 2SD1820ARL -
RFQ
 ECAD 8449 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 2SD1820 150 м Smini3-G1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 500 май 100NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 30 май, 300 мая 120 @ 150 май, 10 В 200 мг
UNR32AB00L Panasonic Electronic Components UNR32AB00L -
RFQ
 ECAD 9565 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-723 UNR32 100 м Sssmini3-F1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 10000 50 80 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 160 @ 5ma, 10 В 150 мг 100 км
ICD20V02X1SA1 Infineon Technologies ICD20V02X1SA1 -
RFQ
 ECAD 4081 0,00000000 Infineon Technologies * МАССА Управо СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP000946698 Управо 0000.00.0000 1
2SB1197-Q-TP Micro Commercial Co 2SB1197-Q-TP 0,0816
RFQ
 ECAD 8460 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SB1197 200 м SOT-23 СКАХАТА 353-2SB1197-Q-TP Ear99 8541.21.0095 1 32 800 млн 500NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 82 @ 100ma, 3v 50 мг
BC847CW Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd BC847CW 0,1500
RFQ
 ECAD 8595 0,00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 3000 45 100 май 100NA Npn 500 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 100 мг
MPSW51A onsemi MPSW51A -
RFQ
 ECAD 1697 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА MPSW51 1 Вт TO-92 (DO 226) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH MPSW51AOS Ear99 8541.29.0075 5000 40 1 а 100NA (ICBO) Pnp 700 мВ @ 100ma, 1a 60 @ 100ma, 1в 50 мг
PDTC123JT-QR Nexperia USA Inc. PDTC123JT-QR 0,0324
RFQ
 ECAD 1179 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC123 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1727-PDTC123JT-QRTR Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 1 мка Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 100 мВ @ 250 мк, 5 мая 100 @ 10ma, 5 В 230 мг 2.2 Ком 47 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть