SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)
MUN5135DW1T1 onsemi MUN5135DW1T1 -
RFQ
 ECAD 8577 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 MUN51 250 м SC-88/SC70-6/SOT-363 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 80 @ 5ma, 10 В - 2,2KOM 47komm
DTA143TUAT106 Rohm Semiconductor DTA143TUAT106 0,0536
RFQ
 ECAD 6960 0,00000000 ROHM Semiconductor DTA143T Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SC-70, SOT-323 DTA143 200 м UMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 100 @ 1MA, 5 В 250 мг 4.7 Kohms
2SA1319S-AA onsemi 2SA1319S-AA 0,1100
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-2SA1319S-AA-488 1
2N3859A_D75Z onsemi 2N3859A_D75Z -
RFQ
 ECAD 5680 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАННА 2N3859 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 60 500 май 500NA (ICBO) Npn - 100 @ 1MA, 1V 250 мг
DTA123TCAT116 Rohm Semiconductor DTA123TCAT116 0,3700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA123 200 м SST3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 100 @ 1MA, 5 В 250 мг 2.2 Ком
MJE182STU onsemi MJE182STU -
RFQ
 ECAD 1949 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 MJE182 1,5 126-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2166-MJE182STU-488 Ear99 8541.29.0075 1920 80 3 а 100NA (ICBO) Npn 1,7 - @ 600 мА, 3а 50 @ 100ma, 1в 50 мг
ZTX455STOB Diodes Incorporated ZTX455Stob -
RFQ
 ECAD 7251 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru E-line-3, obrahawannele-ledы ZTX455 1 Вт Электронная линия (до 92 года СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 140 1 а 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 15 май, 150 матов 100 @ 150 май, 10 В 100 мг
MMDT2222V-7 Diodes Incorporated MMDT2222V-7 0,4300
RFQ
 ECAD 144 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-563, SOT-666 MMDT2222 150 м SOT-563 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 40 600 май 10NA (ICBO) 2 npn (дВОХАНЕй) 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 300 мг
BCR119WE6327 Infineon Technologies BCR119WE6327 0,0200
RFQ
 ECAD 147 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000
MPS651RLRMG onsemi Mps651rlrmg -
RFQ
 ECAD 5937 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА MPS651 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 60 2 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ 200 май, 2а 75 @ 1a, 2v 75 мг
RN1111MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1111MFV, L3F 0,1800
RFQ
 ECAD 1755 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-723 RN1111 150 м Вер СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 100NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 120 @ 1MA, 5V 10 Kohms
PHE13003A,126 WeEn Semiconductors PHE13003A, 126 0,0720
RFQ
 ECAD 3700 0,00000000 Weenpoluprovodonnyki - Lenta и коробка (TB) Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАННА Phe13 2.1 ДО 92-3 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 934063927126 Ear99 8541.29.0095 10000 400 1 а 1MA Npn 1,5 Е @ 250 май, 750 мая 10 @ 400 май, 5в -
2SA1342-TB-E onsemi 2SA1342-TB-E 0,3200
RFQ
 ECAD 60 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 3000
PBSS4240XF NXP Semiconductors PBSS4240XF -
RFQ
 ECAD 9139 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а 500 м SOT-89 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-PBSS4240XF-954 Ear99 8541.21.0095 1 40 2 а 100NA (ICBO) Npn 140mv @ 50ma, 500 маточков 300 @ 500 май, 5в 150 мг
DN0150BLP4-7B Diodes Incorporated DN0150BLP4-7B -
RFQ
 ECAD 3257 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 3-xfdfn DN0150 450 м X2-DFN1006-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 10000 50 100 май 100NA (ICBO) Npn 250 мВ @ 10ma, 100 мая 200 @ 2MA, 6V 60 мг
BCX6825E6327HTSA1 Infineon Technologies BCX6825E6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 2233 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 243а BCX68 3 Вт PG-SOT89 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 20 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 100ma, 1a 160 @ 500 май, 1в 100 мг
2N3585 Solid State Inc. 2N3585 4.9500
RFQ
 ECAD 3284 0,00000000 Solid State Inc. - Коробка Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO 213AA, DO 66-2 35 Вт 126 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-2N3585 Ear99 8541.10.0080 10 300 2 а 5 май Npn 750 мВ @ 125ma, 1a 25 @ 1a, 1v -
BC847B,215 Nexperia USA Inc. BC847B, 215 0,1400
RFQ
 ECAD 963 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 100 май 15NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 100 мг
PBSS5320T,215 Nexperia USA Inc. PBSS5320T, 215 0,4800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PBSS5320 540 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 20 2 а 100NA (ICBO) Pnp 300MV @ 300MA, 3A 200 @ 1a, 2v 100 мг
BD809 onsemi BD809 -
RFQ
 ECAD 7721 0,00000000 OnSemi - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 90 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 038 80 10 а 1MA (ICBO) Npn 1.1V @ 300 май, 3A 15 @ 4a, 2v 1,5 мг
CP191V-2N2222A-CT20 Central Semiconductor Corp CP191V-2N2222A-CT20 -
RFQ
 ECAD 6989 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Поднос Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Умират Умират СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH CP191V-2N222222A-CT20 PBFREE Ear99 8541.29.0095 1 40 800 млн 10NA (ICBO) Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 300 мг
BD13510S onsemi BD13510S -
RFQ
 ECAD 2436 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 BD135 1,25 Вт 126-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 250 45 1,5 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 63 @ 150ma, 2v -
2N4922G onsemi 2N4922G 0,9700
RFQ
 ECAD 5279 0,00000000 OnSemi - МАССА Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 2N4922 30 st 126 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 2N4922GOS Ear99 8541.29.0095 500 60 1 а 500 мк Npn 600 мВ @ 100ma, 1a 30 @ 500 май, 1в 3 мг
BC817-25LT3G onsemi BC817-25LT3G 0,1800
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 300 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 45 500 май 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 160 @ 100ma, 1v 100 мг
BCV62AE6327HTSA1 Infineon Technologies BCV62AE6327HTSA1 0,4400
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Прохл 150 ° C (TJ) Пефер 253-4, 253а BCV62 300 м PG-SOT-143-3d СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 100 май 15NA (ICBO) 2 PNP (DVOйNOй) 650 мВ @ 5ma, 100 мая 125 @ 2ma, 5V 250 мг
BCW66G onsemi BCW66G -
RFQ
 ECAD 4923 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW66 350 м SOT-23-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 1 а 20NA Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 160 @ 100ma, 1v 100 мг
2N5097 Microsemi Corporation 2N5097 -
RFQ
 ECAD 7947 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо - Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 4 Вт По 5 - Rohs Neprigodnnый Ear99 8541.29.0095 1 600 1 а - Npn - - -
BCP52-10,135 Nexperia USA Inc. BCP52-10,135 0,4700
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA BCP52 1,3 SOT-223 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 4000 60 1 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 63 @ 150ma, 2v 145 мг
JANTX2N3999 Microchip Technology Jantx2n3999 -
RFQ
 ECAD 5530 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/374 МАССА Пркрэно -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) ШAsci, Стало До-210AA, TO-59-4, STAD 2 Вт О 59 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 80 10 а 10 мк Npn 2V @ 500 май, 5а 80 @ 1a, 2v -
DTC115TETL Rohm Semiconductor DTC115tetl 0,3500
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SC-75, SOT-416 DTC115 150 м Emt3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 100 мк, 1 мана 100 @ 1MA, 5 В 250 мг 100 км
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть