SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
NE68030-T1-R45-A CEL NE68030-T1-R45-A -
RFQ
 ECAD 1051 0,00000000 СМЕРЕЛЕР - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 NE68030 150 м SOT-323 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 9.4db 10 В 35 май Npn 125 @ 5ma, 3V 10 -е 1,9 дБ @ 2 ggц
KSD1616ALBU onsemi KSD1616ALBU -
RFQ
 ECAD 2084 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSD1616 750 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 60 1 а 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 50ma, 1a 300 @ 100ma, 2v 160 мг
BCW68HTA Diodes Incorporated BCW68HTA 0,4300
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW68 330 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 800 млн 20NA Pnp 300 мВ @ 10ma, 100 мА 250 @ 100ma, 1v 100 мг
BC557B_D11Z onsemi BC557B_D11Z -
RFQ
 ECAD 5895 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC557 500 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 45 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 150 мг
TSC5304EDCHC5G Taiwan Semiconductor Corporation TSC5304EDCHC5G -
RFQ
 ECAD 1912 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА TSC5304 35 Вт 251 (ipak) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 75 400 4 а 250 мк Npn 1,5- 500 май, 2,5а 17 @ 1a, 5v -
BC548BTA onsemi BC548BTA 0,3500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 OnSemi - Веса Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC548 500 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 30 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 300 мг
RN4604(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4604 (TE85L, F) 0,4800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-74, SOT-457 RN4604 300 м SM6 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 100NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 47komm 47komm
BC847CDXV6T5 onsemi BC847CDXV6T5 -
RFQ
 ECAD 8373 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-563, SOT-666 BC847 500 м SOT-563 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH BC847CDXV6T5OS Ear99 8541.21.0075 8000 45 100 май 15NA (ICBO) 2 npn (дВОХАНЕй) 600 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 100 мг
ZX5T849GTA Diodes Incorporated ZX5T849GTA 0,4800
RFQ
 ECAD 6912 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA ZX5T849 3 Вт SOT-223-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 30 7 а 20NA (ICBO) Npn 220 мв 300 май, 6,5а 100 @ 1a, 1v 140 мг
2N4401_J05Z onsemi 2N4401_J05Z -
RFQ
 ECAD 7663 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N4401 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1500 40 600 май - Npn 750 мВ 50 мам, 500 маточков 100 @ 150 май, 1в 250 мг
UNR32AE00L Panasonic Electronic Components UNR32AE00L -
RFQ
 ECAD 1960 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-723 UNR32 100 м Sssmini3-F1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 10000 50 80 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 60 @ 5ma, 10 В 150 мг 47 Kohms 22 Kohms
DTC114GUAT106 Rohm Semiconductor DTC114GUAT106 0,2600
RFQ
 ECAD 198 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SC-70, SOT-323 DTC114 200 м UMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 30 @ 5ma, 5в 250 мг 10 Kohms
PBRP123YT,215 Nexperia USA Inc. PBRP123YT, 215 0,3700
RFQ
 ECAD 36 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PBRP123 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 40 600 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 750 мВ @ 6ma, 600 мая 230 @ 300 май, 5в 2.2 Ком 10 Kohms
DTC115ECAHZGT116 Rohm Semiconductor DTC115ECAHZGT116 0,2000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC115 350 м SST3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 100 май - Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 82 @ 5ma, 5V 250 мг 100 км 100 км
MSC3930-BT1G onsemi MSC3930-BT1G -
RFQ
 ECAD 1293 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 MSC39 200 м SC-70-3 (SOT323) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 - 20 30 май Npn 70 @ 1ma, 10 В 150 мг -
FJP5355TU onsemi FJP5355TU -
RFQ
 ECAD 6827 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо - Чereз dыru 220-3 FJP535 50 st 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 440 5 а - Npn 400 мВ 800 май, 2,5а 7 @ 2,5A, 2V 4 мг
MMUN2116LT1G onsemi Mmun2116lt1g 0,1300
RFQ
 ECAD 54 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Mmun2116 246 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 250 мВ @ 1MA, 10MA 160 @ 5ma, 10 В 4.7 Kohms
BC307B onsemi BC307B -
RFQ
 ECAD 4071 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА BC307 350 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 5000 45 100 май 15NA Pnp 250 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 280 мг
KSA940 Fairchild Semiconductor KSA940 1.0000
RFQ
 ECAD 4371 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 1,5 220-3 - Rohs3 Ear99 8541.29.0095 200 150 1,5 а 10 мк (ICBO) Pnp 1,5 Е @ 50 MMA, 500 MMA 40 @ 500 май, 10 В 4 мг
BC856B-HF Comchip Technology BC856B-HF 0,0434
RFQ
 ECAD 4231 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 250 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 65 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 220 @ 2,2 мая, 5 100 мг
PMZB370UNE,315 NXP Semiconductors Pmzb370une, 315 0,0400
RFQ
 ECAD 33 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-PMZB370une, 315-954 1
2SD12680P Panasonic Electronic Components 2SD12680P -
RFQ
 ECAD 8667 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- 2SD126 2 Вт TO-220F-A1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 100 80 3 а 10 мк (ICBO) Npn 500 мВ @ 100ma, 2a 130 @ 500ma, 2V 30 мг
JANTXV2N5686 Microchip Technology Jantxv2n5686 450.4500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/464 МАССА Пркрэно -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AE 300 Вт По 3 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 80 50 а 500 мк Npn 5V @ 10a, 50a 15 @ 25a, 2v -
DDTA123EE-7-F Diodes Incorporated DDTA123EE-7-F 0,0605
RFQ
 ECAD 9254 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-523 DDTA123 150 м SOT-523 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 10 20 @ 20 май, 5в 250 мг 2.2 Ком 2.2 Ком
NJVMJD44H11D3T4G onsemi NJVMJD44H11D3T4G -
RFQ
 ECAD 3283 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 NJVMJD44 20 Вт Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2832-NJVMJD44H11D3T4GTR Ear99 8541.29.0075 2500 80 8 а 1 мка Npn 1v @ 400 май, 8a 40 @ 4a, 1v 85 мг
BUL1102EFP STMicroelectronics BUL1102EFP 1,7000
RFQ
 ECAD 740 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- BUL1102 30 st 220FP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 450 4 а 100 мк Npn 1,5 В @ 400 май, 2а 12 @ 2a, 5v -
2SB1308T100P Rohm Semiconductor 2SB1308T100P -
RFQ
 ECAD 4385 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 243а 2SB1308 2 Вт MPT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 20 3 а 500NA (ICBO) Pnp 450 мв 150 май, 1,5а 82 @ 500 май, 2 В 120 мг
MPSA05RLRA onsemi MPSA05RLRA -
RFQ
 ECAD 1716 0,00000000 OnSemi - Веса Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА MPSA05 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 60 500 май 100NA Npn 250 мВ @ 10ma, 100 мая 100 @ 10ma, 1в 100 мг
BC337-16 B1 Taiwan Semiconductor Corporation BC337-16 B1 -
RFQ
 ECAD 7520 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 м Создание 92 - DOSTISH 1801-BC337-16B1 Управо 1 45 800 млн 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 250 @ 100ma, 5 В 100 мг
2N5682E3 Microchip Technology 2N5682E3 20.8012
RFQ
 ECAD 9543 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 1 Вт По 5 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1 120 10 мк 10 мк Npn 40 @ 250 май, 2 В 30 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть