SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
CMPTA42E TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMPTA42E TR PBFREE 0,7700
RFQ
 ECAD 37 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 CMPTA42 350 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 350 500 май 250NA (ICBO) Npn 350 мВ @ 5ma, 50 мая 50 @ 30 мА, 10 В 75 мг
DMA964070R Panasonic Electronic Components DMA964070R -
RFQ
 ECAD 5785 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер SOT-563, SOT-666 DMA96407 125 м SSMINI6-F3-B СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 250 мВ @ 500 мк, 10 мая 160 @ 5ma, 10 В - 22khh -
JANTX2N5339 MACOM Technology Solutions Jantx2n5339 10.5939
RFQ
 ECAD 7900 0,00000000 Macom Technology Solutions ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/560 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1 100 5 а 100 мк Npn 1,2 - @ 500 май, 5а 60 @ 2a, 2v -
DRDP006W-7 Diodes Incorporated DRDP006W-7 0,1040
RFQ
 ECAD 1825 0,00000000 Дидж DRD (XXXX) w Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 DRDP006 200 м SOT-363 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH DRDP006WDITR Ear99 8541.21.0075 3000 60 600 май 10NA (ICBO) Pnp - prervariotelnos -cmelый + diod 400 мВ @ 15 май, 150 мат - 200 мг
JAN2N335A Microchip Technology Jan2n335a -
RFQ
 ECAD 6196 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен 175 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 205AA, МАТА По 5 - Rohs DOSTISH 0000.00.0000 1 45 10 май - Npn - - -
DTA124EMFHAT2L Rohm Semiconductor DTA124EMFHAT2L 0,0668
RFQ
 ECAD 9367 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SOT-723 DTA124 150 м VMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 8000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 10 56 @ 5ma, 5V 250 мг 22 Kohms 22 Kohms
2SC25900Q Panasonic Electronic Components 2SC25900Q -
RFQ
 ECAD 5255 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 2SC259 1,2 Вт 126B-A1 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1000 120 500 май - Npn 1 В @ 30 май, 300 маточков 90 @ 150 май, 10 В 200 мг
FZT953TA Diodes Incorporated FZT953TA 0,9900
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA FZT953 3 Вт SOT-223-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 100 5 а 50na (ICBO) Pnp 460 мВ @ 500MA, 5A 100 @ 2a, 1v 120 мг
PHE13003A,412 NXP USA Inc. PHE13003A, 412 -
RFQ
 ECAD 7567 0,00000000 NXP USA Inc. - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2.1 ДО 92-3 СКАХАТА Ear99 8541.29.0095 950 400 1 а 1MA Npn 1,5 Е @ 250 май, 750 мая 10 @ 400 май, 5в -
KSE13007FSMTU Fairchild Semiconductor KSE13007FSMTU 1.0000
RFQ
 ECAD 2827 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- KSE13007 TO-220F-3 СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 - Npn 3v @ 2a, 8a 8 @ 2a, 5v 4 мг
FZT857TC Diodes Incorporated FZT857TC -
RFQ
 ECAD 6219 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA FZT857 3 Вт SOT-223-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 4000 300 3,5 а 50na (ICBO) Npn 345 мВ @ 600 май, 3,5а 100 @ 500 май, 10 В 80 мг
DTA123ECAT116 Rohm Semiconductor DTA123ECAT116 0,2700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA123 200 м SST3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 10 20 @ 20 май, 5в 250 мг 2.2 Ком 2.2 Ком
BC850BW Taiwan Semiconductor Corporation BC850BW 0,0357
RFQ
 ECAD 5078 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC850 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BC850BWTR Ear99 8541.21.0075 18 000 45 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 100 мг
BCX17T116 Rohm Semiconductor BCX17T116 0,3900
RFQ
 ECAD 5772 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX17 425 м SST3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 500 май 100NA (ICBO) Pnp 620 мВ @ 50 май, 500 мая 100 @ 100ma, 1в 200 мг
JANS2N3500 Microchip Technology Jans2n3500 54 3900
RFQ
 ECAD 3094 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/366 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 2N3500 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 150 300 май 10 мк (ICBO) Npn 400 мВ @ 15 май, 150 мат 40 @ 150 май, 10 В -
NSVMUN5111DW1T3G onsemi NSVMUN5111DW1T3G 0,4100
RFQ
 ECAD 7885 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 NSVMUN5111 250 м SC-88/SC70-6/SOT-363 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 10000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 35 @ 5ma, 10 В - 10 Комов 10 Комов
BFU550WX NXP USA Inc. BFU550WX 0,8600
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 NXP USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BFU550 450 м SC-70 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 18 дБ 12 50 май Npn 60 @ 15ma, 8 В 11 -е 0,6 дБ @ 900 мгц
2SA854STPR Rohm Semiconductor 2SA854STPR -
RFQ
 ECAD 4915 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru SC-72 SFORMIROWOLLYL 300 м Спт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 5000 32 500 май 1 мка (ICBO) Pnp 600 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 180 @ 100ma, 3v 200 мг
DMA961040R Panasonic Electronic Components DMA961040R -
RFQ
 ECAD 6253 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер SOT-665 DMA96104 125 м SSMINI5-F4-B СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 250 мВ @ 500 мк, 10 мая 80 @ 5ma, 10 В - 10 Комов 47komm
JANTX2N3743 Microchip Technology Jantx2n3743 -
RFQ
 ECAD 3998 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/397 МАССА Актифен - Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 2N3743 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 300 200 май 250NA (ICBO) Pnp 1,2 - @ 3ma, 30 ма 50 @ 30 мА, 10 В -
DSS20200L-7 Diodes Incorporated DSS20200L-7 0,3500
RFQ
 ECAD 3999 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DSS20200 600 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 20 2 а 100NA (ICBO) Pnp 180mv @ 200ma, 2a 180 @ 1a, 2v 100 мг
PDTA123YE,115 NXP USA Inc. PDTA123YE, 115 -
RFQ
 ECAD 1950 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-75, SOT-416 PDTA123 150 м SC-75 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 1 мка Pnp - prervariotelno-cmepts 150 мв 500 мк, 10 35 @ 5ma, 5V 2.2 Ком 10 Kohms
UML4NTR Rohm Semiconductor Uml4ntr 0,1504
RFQ
 ECAD 5632 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UML4 120 м UMT5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 12 500 май 100NA (ICBO) Pnp + diod (иолировананн) 250 мВ @ 10ma, 200 мая 270 @ 10ma, 2v 260 мг
JANSR2N2221AL Microchip Technology Jansr2n2221al 91.0606
RFQ
 ECAD 7911 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/255 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 206aa, 18-3 Металлана Банканка 500 м 18-18 (ДО 206AA) - DOSTISH 150-JANSR2N2221AL 1 50 800 млн 50NA Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 40 @ 150 май, 10 В -
2SC3393T-AC-ON onsemi 2SC3393T-AC-ON 0,1000
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан 1
DMA502010R Panasonic Electronic Components DMA502010R -
RFQ
 ECAD 4723 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно 150 ° C (TJ) Пефер 5-SMD, Ploskie prowovodky DMA50201 150 м Smini5-F3-B СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 100 мк 2 PNP (DVOйNOй) 500 мВ @ 10ma, 100 мая 210 @ 2ma, 10 В 150 мг
BC847BPN,135 Nexperia USA Inc. BC847BPN, 135 0,2800
RFQ
 ECAD 64 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 BC847 300 м 6-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 45 100 май 15NA (ICBO) NPN, Pnp 300 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 100 мг
BFP640E6327 Infineon Technologies BFP640E6327 0,3500
RFQ
 ECAD 26 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-82A, SOT-343 200 м PG-SOT343-4 СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 3000 24 дБ 4,5 В. 50 май Npn 110 @ 30ma, 3v 40 Гер 0,65 деб ~ 1,2 дебр 1,8 гг ~ 6 гг.
BCR191WE6327HTSA1 Infineon Technologies BCR191WE6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 8279 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-70, SOT-323 BCR191 250 м PG-SOT323 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 100NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 10 50 @ 5ma, 5 В 200 мг 22 Kohms 22 Kohms
PXT4401,115 Nexperia USA Inc. PXT4401,115 0,4200
RFQ
 ECAD 730 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а PXT4401 1,1 SOT-89 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 40 600 май 50na (ICBO) Npn 750 мВ 50 мам, 500 маточков 100 @ 150 май, 1в 250 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть