SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
PHPT60406NY115 NXP USA Inc. Phpt60406ny115 -
RFQ
 ECAD 8266 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0075 1500
L6221AS STMicroelectronics L6221as -
RFQ
 ECAD 5765 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru - 16221 1 Вт 16-Powerdip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 20 50 1,8а - 4 NPN Darlington (Quad) 1,6 В @ 1,8а - -
PHE13005,127 WeEn Semiconductors Phe13005,127 0,6000
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Weenpoluprovodonnyki - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 Phe13 75 Вт ДО-220AB СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 50 400 4 а 100 мк Npn 1v @ 1a, 4a 10 @ 2a, 5v -
SPS9544QRLRP onsemi SPS9544QRLRP 1.0000
RFQ
 ECAD 8067 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен - Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 2000
2SD2374AP Panasonic Electronic Components 2SD2374AP -
RFQ
 ECAD 1042 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- 2SD237 2 Вт ° 220D-A1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 500 80 3 а 300 мк Npn 1,2 - @ 375MA, 3A 120 @ 1a, 4v 30 мг
AC847BQ-7 Diodes Incorporated AC847BQ-7 0,0366
RFQ
 ECAD 8575 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 AC847 310 м SOT-23-3 СКАХАТА DOSTISH 31-AC847BQ-7TR Ear99 8541.21.0075 3000 45 100 май 15NA Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 300 мг
SMMUN2113LT1G onsemi Smmun2113lt1g 0,3300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Smmun2113 246 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 80 @ 5ma, 10 В 47 Kohms 47 Kohms
SMBT2907A-TP Micro Commercial Co SMBT2907A-TP 0,0663
RFQ
 ECAD 9921 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 SMBT2907 700 м SOT-23-6L СКАХАТА 353-SMBT2907A-TP Ear99 8541.21.0075 1 60 600 май 50NA 2 Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 200 мг
BC857C/DG/B3,215 Nexperia USA Inc. BC857C/DG/B3,215 -
RFQ
 ECAD 3706 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 934066603215 Ear99 8541.21.0075 3000 45 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 125 @ 2MA, 5V 100 мг
KSC2335RTU Fairchild Semiconductor KSC2335RTU 1.0000
RFQ
 ECAD 2324 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 1,5 220-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 50 400 7 а 10 мк (ICBO) Npn 1В @ 600 май, 3а 20 @ 1a, 5v -
TDTC143Z,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC143Z, LM 0,1800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTC143 320 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 80 @ 10ma, 5в 250 мг 4.7 Kohms
MUN2213JT1 onsemi MUN2213JT1 -
RFQ
 ECAD 4001 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MUN2213 338 м SC-59 - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 80 @ 5ma, 10 В 47 Kohms 47 Kohms
2N3740 Central Semiconductor Corp 2N3740 -
RFQ
 ECAD 3497 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO 213AA, DO 66-2 25 Вт 126 СКАХАТА DOSTISH 1514-2N3740 Ear99 8541.29.0095 1 60 4 а 1MA 600 мВ @ 125ma, 1a 40 @ 100ma, 1в 4 мг
DRC2114Y0L Panasonic Electronic Components DRC2114Y0L -
RFQ
 ECAD 1725 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DRC2114 200 м Mini3-g3-b СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 250 мВ @ 500 мк, 10 мая 80 @ 5ma, 10 В 10 Kohms 47 Kohms
BC337-40 B1 Taiwan Semiconductor Corporation BC337-40 B1 -
RFQ
 ECAD 3889 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 м Создание 92 - DOSTISH 1801-BC337-40B1 Управо 1 45 800 млн 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 250 @ 100ma, 5 В 100 мг
JAN2N6032 Microchip Technology Jan2n6032 401.1280
RFQ
 ECAD 6595 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/528 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TA) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 140 Вт По 3 - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 90 50 а 25 май (ICBO) Npn 10 @ 50a, 2,6 В -
ZTX790ASTOB Diodes Incorporated Ztx790astob -
RFQ
 ECAD 4316 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru E-line-3, obrahawannele-ledы ZTX790A 1 Вт Электронная линия (до 92 года СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 40 2 а 100NA (ICBO) Pnp 750 мВ @ 50ma, 2a 300 @ 10ma, 2v 100 мг
JANKCAP2N3634 Microchip Technology Jankcap2n3634 -
RFQ
 ECAD 7703 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/357 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) - DOSTISH 150-jankcap2n3634 100 140 1 а 10 мк Pnp 600 мВ @ 5ma, 50 мая 50 @ 50ma, 10 В -
DMC261050R Panasonic Electronic Components DMC261050R -
RFQ
 ECAD 7479 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер SC-74A, SOT-753 DMC26105 300 м Mini5-g3-b СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 250 мВ @ 500 мк, 10 мая 160 @ 5ma, 10 В - 10 Комов -
BCX53,115 Nexperia USA Inc. BCX53,115 0,4700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а BCX53 1,3 SOT-89 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 80 1 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 63 @ 150 май, 2 В 145 мг
BFP 620F E7764 Infineon Technologies BFP 620F E7764 -
RFQ
 ECAD 8847 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, Плоскилили BFP 620 185 м 4-tsfp СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 21 дБ 2,8 В. 80 май Npn 110 @ 50ma, 1,5 В 65 -й 0,7 дБ ~ 1,3 дбри При 1,8 Гер
RN2911FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2911FE (TE85L, F) 0,3500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-563, SOT-666 RN2911 100 м ES6 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 120 @ 1MA, 5V 200 мг 10 Комов -
JANSL2N2907AUBC/TR Microchip Technology Jansl2n2907aubc/tr 306.0614
RFQ
 ECAD 8066 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/291 Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 500 м UBC - DOSTISH 150-jansl2n2907aubc/tr 50 60 600 май 50NA Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В -
PBSS4520X,146 Nexperia USA Inc. PBSS4520X, 146 -
RFQ
 ECAD 5148 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 243а PBSS4520 550 м SOT-89 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1000 20 5 а 100NA Npn 220 мВ @ 500 май, 5а 250 @ 2a, 2v 125 мг
AA1A4M-T(ND)-A Renesas Electronics America Inc AA1A4M -T (ND) -A 0,4400
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0095 1
JANTXV2N2369AUB Microchip Technology Jantxv2n2369aub 26.5335
RFQ
 ECAD 8710 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/117 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA 2N2369 400 м Ub СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 20 400NA Npn 450 мВ @ 10ma, 100 мая 20 @ 100ma, 1в -
PN2222ARP Fairchild Semiconductor PN2222ARP -
RFQ
 ECAD 7038 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен - Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN2222 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 1 40 1 а 10NA Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 300 мг
DRC3123J0L Panasonic Electronic Components DRC3123J0L -
RFQ
 ECAD 3633 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер SOT-723 DRC3123 100 м SSSMINI3-F2-B - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 10000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 250 мВ @ 500 мк, 10 мая 80 @ 5ma, 10 В 2.2 Ком 47 Kohms
BC557ZL1 onsemi BC557ZL1 0,0200
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000
NESG2046M33-A CEL NESG2046M33-A -
RFQ
 ECAD 3837 0,00000000 СМЕРЕЛЕР - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, Плоскин С.С. NESG2046 130 м 3-Superminimold (M33) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1 9,5 дб ~ 11,5 дБ 5в 40 май Npn 140 @ 2ma, 1V 18 Гер 0,8 деб ~ 1,5 дбри При 2 Гер
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть