SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
MPS3392 onsemi MPS3392 -
RFQ
 ECAD 1862 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо - Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) MPS339 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 500 25 В 100 май - Npn - 150 @ 2ma, 4,5 -
PBSS302NZ,135 Nexperia USA Inc. PBSS302NZ, 135 0,6500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA PBSS302 2 Вт SOT-223 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 4000 20 5,8 А. 100NA (ICBO) Npn 250 мВ @ 290 май, 5,8а 250 @ 2a, 2v 140 мг
KSC1008GTA onsemi KSC1008GTA -
RFQ
 ECAD 6383 0,00000000 OnSemi - Веса Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА KSC1008 800 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 60 700 млн 100NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 50 май, 500 матов 200 @ 500 май, 2 В 50 мг
2SD1766T100Q Rohm Semiconductor 2SD1766T100Q 0,2559
RFQ
 ECAD 4016 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер 243а 2SD1766 2 Вт MPT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 32 2 а 1 мка (ICBO) Npn 800 мВ @ 200 май, 2а 120 @ 500ma, 3V 100 мг
DXTN07100BFG-7 Diodes Incorporated DXTN07100BFG-7 0,5400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 8-powervdfn DXTN07100 900 м Powerdi3333-8 (SWP) typ ux СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 100 2 а 50na (ICBO) Npn 400 мВ 200 май, 2а 100 @ 500 май, 2 В 175 мг
KSA812GAMTF onsemi KSA812GAMTF -
RFQ
 ECAD 6325 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 KSA812 150 м SOT-23-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 100NA (ICBO) Pnp 300 мВ @ 10ma, 100 мая 200 @ 1MA, 6V 180 мг
BFP520FE6327 Infineon Technologies BFP520FE6327 0,1600
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, Плоскилили 100 м 4-tsfp СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 3000 22,5db 3,5 В. 40 май Npn 70 @ 20 май, 2 В 45 Гер 0,95 дебри 1,8 гг
BC337-40,116 NXP USA Inc. BC337-40,116 -
RFQ
 ECAD 2291 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC33 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 45 500 май 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 250 @ 100ma, 1v 100 мг
2SD1723T onsemi 2SD1723T 0,4200
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1
BCR166E6433HTMA1 Infineon Technologies BCR166E6433HTMA1 -
RFQ
 ECAD 6714 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR166 200 м PG-SOT23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 50 100 май 100NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 10 70 @ 5ma, 5 В 160 мг 4.7 Kohms 47 Kohms
MMBT200A onsemi MMBT200A -
RFQ
 ECAD 8255 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT20 350 м SOT-23-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 500 май 50NA Pnp 400 мВ @ 20 май, 200 мая 300 @ 10ma, 1V 250 мг
BC856A-7-F Diodes Incorporated BC856A-7-F 0,2000
RFQ
 ECAD 188 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 300 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 65 100 май 15NA Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 125 @ 2MA, 5V 200 мг
2SD2195T100 Rohm Semiconductor 2SD2195T100 0,3969
RFQ
 ECAD 7876 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер 243а 2SD2195 2 Вт MPT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 100 2 а 10 мк (ICBO) Npn - дарлино 1,5 - @ 1ma, 1a 1000 @ 1a, 2v 80 мг
SJD1031T4 onsemi SJD1031T4 0,2500
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 2500
SMBT1588LT3 onsemi SMBT1588LT3 0,0200
RFQ
 ECAD 870 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 10000
MR759 Solid State Inc. MR759 0,8000
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-MR759 Ear99 8541.10.0080 10
DSC5C01R0L Panasonic Electronic Components DSC5C01R0L -
RFQ
 ECAD 5280 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно 150 ° C (TJ) Пефер SC-85 DSC5C01 150 м Smini3-F2-B - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 100 20 май 1 мка Npn 200 мВ @ 1ma, 10ma 400 @ 2ma, 10 В 140 мг
BC80740 Fairchild Semiconductor BC80740 0,0700
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 310 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 800 млн 100NA Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 1в 100 мг
CM5583 Central Semiconductor Corp CM5583 -
RFQ
 ECAD 5828 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт Не 39 - 1514-CM5583 Управо 500 - 30 500 май Pnp 25 @ 100ma, 2v 1,3 -е -
HS2907ATX/TR Microchip Technology HS2907ATX/TR 10.4937
RFQ
 ECAD 3749 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен - Rohs3 DOSTISH 150-HS2907ATX/Tr 1
MPSA64RLRMG onsemi Mpsa64rlrmg -
RFQ
 ECAD 1970 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА MPSA64 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 30 500 май 100NA (ICBO) PNP - ДАРЛИНГТОН 1,5 -прри 100 мк, 100 май 20000 @ 100ma, 5 В 125 мг
APT13003LZTR-G1 Diodes Incorporated APT13003LZTR-G1 -
RFQ
 ECAD 6804 0,00000000 Дидж - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА APT13003 800 м Создание 92 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH APT13003LZTR-G1DI Ear99 8541.21.0095 2000 450 800 млн - Npn 500 мВ @ 40 май, 200 мая 6 @ 300 май, 10 В -
BCP55-16 Diotec Semiconductor BCP55-16 0,1499
RFQ
 ECAD 4372 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA 1,3 SOT-223 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-BCP55-16 8541.21.0000 4000 60 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 100 @ 150 май, 2 В 100 мг
2N6426RLRAG onsemi 2n6426rlrag -
RFQ
 ECAD 8939 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА 2N6426 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 40 500 май 1 мка Npn - дарлино 1,5- 500 мк, 500 30000 @ 100ma, 5в -
JAN2N3439L Microchip Technology Jan2n3439l -
RFQ
 ECAD 3826 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/368 МАССА Пркрэно -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 800 м По 5 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 350 1 а 2 мка Npn 500 мВ @ 4ma, 50 мая 40 @ 20 май, 10 В -
2N6299 Microchip Technology 2N6299 27.2384
RFQ
 ECAD 6463 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO 213AA, DO 66-2 2N6299 64 Вт TO-66 (DO 213AA) СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 80 8 а 500 мк PNP - ДАРЛИНГТОН 2v @ 80ma, 8a 750 @ 4a, 3v -
62028 Microsemi Corporation 62028 -
RFQ
 ECAD 8529 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо - Neprigodnnый Управо 0000.00.0000 1
DTC143Z onsemi DTC143Z 0,0200
RFQ
 ECAD 40 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен DTC143 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1
BC489AZL1G onsemi Bc489azl1g -
RFQ
 ECAD 7317 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА BC489 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 80 500 май 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 100ma, 1a 100 @ 100ma, 2 В 200 мг
MMBT5087LT3G onsemi MMBT5087LT3G 0,2200
RFQ
 ECAD 26 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT5087 300 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 10000 50 50 май 50na (ICBO) Pnp 300 мВ @ 1MA, 10MA 250 @ 100 мк, 5в 40 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть