SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Raboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
BC807-16LT1 onsemi BC807-16LT1 0,0200
RFQ
 ECAD 383 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо BC807 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000
2N6057 Microchip Technology 2N6057 54 2700
RFQ
 ECAD 8311 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Активна -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 150 Вт До 204AA (TO-3) - DOSTISH 150-2N6057 Ear99 8541.29.0095 1 60 12 а 1MA Npn - дарлино 2V @ 24ma, 6a 750 @ 6a, 3v -
DTC123JCA Yangjie Technology DTC123JCA 0,0200
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Активна DTC123 - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-DTC123JCATR Ear99 3000
PH1090-175L MACOM Technology Solutions PH1090-175L 406.4200
RFQ
 ECAD 7629 0,00000000 Macom Technology Solutions - Поднос Активна 200 ° C (TJ) ШASCI - PH1090 188 Вт - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 1465-1193 Ear99 8541.29.0075 20 8,58 ДБ 80 10,5а Npn - - -
NSC1168 Microchip Technology NSC1168 -
RFQ
 ECAD 5321 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Активна - Rohs3 DOSTISH 150-NSC1168 1
BFS19,235 Nexperia USA Inc. BFS19 235 0,4200
RFQ
 ECAD 2225 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Активна 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BFS19 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 20 30 май 100NA (ICBO) Npn - 65 @ 1MA, 10 В 260 мг
RN2707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Rn2707je (te85l, f) 0,4800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Активна Пефер SOT-553 RN2707 100 м Эs СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 мг 10 Комов 47komm
2N6296 Microchip Technology 2N6296 26.9724
RFQ
 ECAD 3762 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Активна 2N6296 - Rohs DOSTISH 0000.00.0000 1
STE07DE220 STMicroelectronics Ste07de220 -
RFQ
 ECAD 3491 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо 125 ° C (TJ) ШASCI Иотоп Ste07 220 Вт Isotop® СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10 2200 7 а - Npn - эmitterpereklючenenenepolairnый - - -
PBSS5420D,115 Nexperia USA Inc. PBSS5420D, 115 0,1893
RFQ
 ECAD 3967 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Активна 150 ° C (TJ) Пефер SC-74, SOT-457 PBSS5420 1,1 6-й стоп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 3000 20 4 а 100NA Pnp 420 мВ @ 600 май, 6а 200 @ 2a, 2v 80 мг
CZT3055 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CZT3055 TR PBFREE -
RFQ
 ECAD 6288 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1514-CZT3055TRPBREETR Ear99 8541.29.0095 1
2SD1247S onsemi 2SD1247S 0,4100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 OnSemi * МАССА Активна СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1
DSC9001R0L Panasonic Electronic Components DSC9001R0L -
RFQ
 ECAD 7019 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) ПРЕКРЕВО 150 ° C (TJ) Пефер SC-89, SOT-490 DSC9001 125 м SSMINI3-F3-B СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 100 мк Npn 300 мВ @ 10ma, 100 мА 210 @ 2ma, 10 В 150 мг
NTE289 NTE Electronics, Inc NTE289 1.3300
RFQ
 ECAD 140 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Активна 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 600 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE289 Ear99 8541.29.0095 1 30 800 млн 100NA (ICBO) Npn 800 мВ @ 20 май, 500 мат 120 @ 50ma, 2V 140 мг
PUMH9/ZL135 Nexperia USA Inc. PUMH9/ZL135 0,0200
RFQ
 ECAD 160 0,00000000 Nexperia USA Inc. * МАССА Активна СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0095 10000
2SA1037AKT146Q Rohm Semiconductor 2SA1037AKT146Q 0,2800
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Активна 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1037 200 м SMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 150 май 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 5ma, 50 ма 120 @ 1MA, 6V 140 мг
BCR35PNE6433HTMA1 Infineon Technologies BCR35PNE6433HTMA1 -
RFQ
 ECAD 4808 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR35 250 м PG-SOT363-PO СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 10000 50 100 май - 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 мВ 500 мк, 10 70 @ 5ma, 5 В 150 мг 10 Комов 47komm
D44C8 Solid State Inc. D44C8 0,5000
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - МАССА Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 30 st ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-D44C8 Ear99 8541.10.0080 10 60 4 а 10 мк Npn 500 мВ @ 50ma, 1a 100 @ 200 май, 1в 50 мг
PDTC124ES,126 NXP USA Inc. PDTC124ES, 126 -
RFQ
 ECAD 6655 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАННА PDTC124 500 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 50 100 май 1 мка Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 150 мв 500 мк, 10 60 @ 5ma, 5 В 22 Kohms 22 Kohms
KSC1393YTA onsemi KSC1393YTA -
RFQ
 ECAD 7128 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАННА KSC1393 250 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 20 дБ ~ 24 дБ 30 20 май Npn 90 @ 2ma, 10 В 700 мг 2 дБ ~ 3 дБ перо 200 мг
2N5679 Microchip Technology 2N5679 20.6416
RFQ
 ECAD 4454 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Активна -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) - DOSTISH 2N5679 мс Ear99 8541.29.0095 1 100 10 мк 10 мк Pnp 1 В @ 50 май, 500 маточков 40 @ 250 мА, 2 В -
NE85633-R23-A CEL NE85633-R23-A -
RFQ
 ECAD 8181 0,00000000 СМЕРЕЛЕР - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 NE85633 200 м SOT-23-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 11,5db 12 100 май Npn 50 @ 20 май, 10 В 7 гер 1,1db @ 1ggц
2N5323 Harris Corporation 2N5323 -
RFQ
 ECAD 9647 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN - МАССА Активна - Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 2N532 10 st По 5 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 50 2 а - Pnp - - -
DTD123YCHZGT116 Rohm Semiconductor DTD123YCHZGT116 0,3700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Активна Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DTD123 200 м SST3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 500 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 2,5 май, 50 56 @ 50ma, 5 В 200 мг 2.2 Ком 10 Kohms
PBLS2022D,115 Nexperia USA Inc. PBLS2022D, 115 0,4100
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Активна Пефер SC-74, SOT-457 PBLS2022 760 м 6-й стоп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 В, 20 В. 100 май, 1,8а 1 мка, 100na 1 pnp, prervariotelnonos -sэtapnый, 1 pnp 150 мв 500 мк, 10 мам / 210 м. 30 @ 10ma, 5v / 200 @ 1a, 2v 130 мг 4,7 КОМ 4,7 КОМ
BC847S Diotec Semiconductor BC847S 0,0482
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC847 250 м SOT-363 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 8541.21.0000 3000 45 100 май 15NA (ICBO) 2 npn (дВОХАНЕй) 600 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 100 мг
BC857BT Yangjie Technology BC857BT 0,0250
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-523 BC857 150 м SOT-523 - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-BC857BTTR Ear99 3000 45 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 220 @ 2MA, 5V 100 мг
TMBT3906,LM Toshiba Semiconductor and Storage TMBT3906, LM 0,1800
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Активна 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 TMBT3906 320 м SOT-23-3 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 150 май 100NA (ICBO) Pnp 400 мВ @ 5ma, 50 ма 100 @ 10ma, 1в 250 мг
CMLT5087EM TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMLT5087EM TR PBFREE 0,2920
RFQ
 ECAD 8415 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Активна -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-563, SOT-666 CMLT5087 350 м SOT-563 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 50na (ICBO) 2 PNP (DVOйNOй) 400 мВ @ 10ma, 100 мая 300 @ 100 мк, 5в 100 мг
PBSS4021PT,215 Nexperia USA Inc. PBSS4021PT, 215 0,4700
RFQ
 ECAD 161 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Активна 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PBSS4021 1,1 TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 3000 20 3,5 а 100NA Pnp 330 мВ @ 400 май, 4а 140 @ 2a, 2v 155 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть