SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanee эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
UMF17NTR Rohm Semiconductor UMF17ntr -
RFQ
 ECAD 6657 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 UMF17 150 м UMT6 - Rohs3 DOSTISH 846-UMF17NTR 3000 50 100 май, 150 мат 500NA, 100NA (ICBO) 1 npn - predvariotelnonos -smehen, 1 pnp 300 мв 500 мк, 10 мам / 500 м. 20 @ 20 май, 5 В / 180 @ 1MA, 6V 250 мг, 140 мг 2,2KOM 2,2KOM
MS2554A Microsemi Corporation MS2554A -
RFQ
 ECAD 7265 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо 200 ° C. ШASCI M216 600 Вт M216 - 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 1 6,2db 65 17.8a Npn 15 @ 1a, 5v 1 025 гг ~ 1,15 гг. -
APT27XZTR-G1 Diodes Incorporated Apt27xztr-g1 -
RFQ
 ECAD 2947 0,00000000 Дидж - Lenta и коробка (TB) Управо APT27 - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 31-APT27XZTR-G1TB Управо 2000
UMF4NTR Rohm Semiconductor UMF4ntr 0,1189
RFQ
 ECAD 2379 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 UMF4 150 м UMT6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 В, 12 В. 100 май, 500 мат 500NA 1 npn, prervariotelnonos -sэtapnый, 1 pnp 300 мв 500 мк, 10 мам / 250 м. 20 @ 20 май, 5 В / 270 @ 10ma, 2V 250 мг, 260 мг 2,2KOM 2,2KOM
DDTC144EUA-7-F-50 Diodes Incorporated DDTC144EUA-7-F-50 0,0391
RFQ
 ECAD 1007 0,00000000 Дидж Automotive, AEC-Q101, DDTC (R1 = R2 Series) UA МАССА Актифен Пефер SC-70, SOT-323 DDTC144 200 м SOT-323 СКАХАТА 31-DDTC144EUA-7-F-50 Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 68 @ 5ma, 5 В 250 мг 47 Kohms 47 Kohms
FJA4210OTU onsemi FJA4210OTU 2.8100
RFQ
 ECAD 442 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 FJA4210 100 y 12 с СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 2832-FJA4210OTU Ear99 8541.29.0075 450 140 10 а 10 мк (ICBO) Pnp 500 мВ @ 500 мА, 5а 70 @ 3A, 4V 30 мг
PDTC143ZM,315 Nexperia USA Inc. PDTC143ZM, 315 0,3000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-101, SOT-883 PDTC143 250 м SOT-883 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 10000 50 100 май 1 мка Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 100 мВ @ 250 мк, 5 мая 100 @ 10ma, 5 В 4.7 Kohms 47 Kohms
KSB1116ALTA onsemi KSB1116Alta -
RFQ
 ECAD 8046 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА KSB11 750 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 60 1 а 100NA (ICBO) Pnp 300 мВ @ 50ma, 1a 300 @ 100ma, 2v 120 мг
PBSS4021PX,115 Nexperia USA Inc. PBSS4021PX, 115 0,6400
RFQ
 ECAD 2882 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а PBSS4021 2,5 SOT-89 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 20 6,2 а 100NA Pnp 265MV @ 345MA, 6.9a 150 @ 4a, 2v 105 мг
EMH2FHAT2R Rohm Semiconductor EMH2FHAT2R 0,0958
RFQ
 ECAD 3681 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SOT-563, SOT-666 Emh2fhat2 150 м Emt6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 8000 50 100 май 500NA 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 мВ 500 мк, 10 68 @ 5ma, 5 В 250 мг 47komm 47komm
KSP13TA onsemi KSP13TA 0,4100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 OnSemi - Веса Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА KSP13 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 30 500 май 100NA (ICBO) Npn - дарлино 1,5 -прри 100 мк, 100 май 10000 @ 100ma, 5 В 125 мг
2N5740 Microchip Technology 2N5740 37.1850
RFQ
 ECAD 3462 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO 213AA, DO 66-2 35 Вт TO-66 (DO 213AA) - DOSTISH 150-2N5740 Ear99 8541.29.0095 1 100 10 а - Pnp 500 мВ 500 мк, 5 - -
BC848B Yangjie Technology BC848B 0,0170
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 225 м SOT-23 - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-BC848BTR Ear99 3000 30 100 май 100NA Npn 500 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 100 мг
FMMT459TA-50 Diodes Incorporated FMMT459TA-50 0,1317
RFQ
 ECAD 7893 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT459 625 м SOT-23-3 СКАХАТА 31-FMMT459TA-50 Ear99 8541.21.0095 3000 450 150 май 100NA Npn 90mv @ 5ma, 50 мая 50 @ 30 мА, 10 В 50 мг
NTE385 NTE Electronics, Inc NTE385 10.0300
RFQ
 ECAD 219 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 175 Вт По 3 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE385 Ear99 8541.29.0095 1 400 15 а 200 мк Npn 1,5 Е @ 1.6a, 8a 8 @ 10a, 5v -
2SD667-D-BP Micro Commercial Co 2SD667-D-BP -
RFQ
 ECAD 1937 0,00000000 МИКРОКОМЕРСКИЙСКИЙС - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SD667 900 м TO-92MOD СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 353-2SD667-D-BP Ear99 8541.21.0075 1000 80 1 а 10 мк (ICBO) Npn 1 В @ 50 май, 500 маточков 160 @ 150 май, 5в 140 мг
NSBC143ZPDXV6T1G onsemi NSBC143ZPDXV6T1G 0,4800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-563, SOT-666 NSBC143 500 м SOT-563 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 250 мВ @ 1MA, 10MA 80 @ 5ma, 10 В - 4,7 КОМ 47komm
2N4870 NTE Electronics, Inc 2N4870 3.0000
RFQ
 ECAD 52 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 300 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 2368-2N4870 Ear99 8541.21.0095 1 - Pnp - - -
2C3762 Microchip Technology 2C3762 8.4600
RFQ
 ECAD 3657 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Актифен - DOSTISH 150-2C3762 1
DTC143ZE-TP Micro Commercial Co DTC143ZE-TP 0,1900
RFQ
 ECAD 2812 0,00000000 МИКРОКОМЕРСКИЙСКИЙС - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-523 DTC143 150 м SOT-523 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 4.7 Kohms
PBSS4021PZ,115 Nexperia USA Inc. PBSS4021PZ, 115 0,7100
RFQ
 ECAD 4594 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA PBSS4021 2,6 SOT-223 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 20 6,6 а 100NA Pnp 240MV @ 350MA, 7A 150 @ 4a, 2v 85 мг
NE68833-T1-A CEL NE68833-T1-A -
RFQ
 ECAD 6383 0,00000000 СМЕРЕЛЕР - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 200 м SOT-23-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 - 6в 100 май Npn 80 @ 3MA, 1V 4,5 -е 1,7 дб ~ 2,5 дбри При 2 Гер
2N5795A Microchip Technology 2n5795a 71.0700
RFQ
 ECAD 8390 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru До 78-6 МЕТАЛЛИСКАСКА 2N5795 600 м 128-6 - DOSTISH 150-2N5795A Ear99 8541.21.0095 1 60 600 май 10 мк (ICBO) 2 PNP (DVOйNOй) 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 40 @ 150 май, 10 В -
2SB1181TLP Rohm Semiconductor 2SB1181TLP 0,3735
RFQ
 ECAD 6426 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 2SB1181 1 Вт CPT3 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2500 80 1 а 1 мка (ICBO) Pnp 400 мВ @ 50 май, 500 матов 82 @ 100ma, 3v 100 мг
MMSTA42-TP Micro Commercial Co MMSTA42-TP 0,2700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 МИКРОКОМЕРСКИЙСКИЙС - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 MMSTA42 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 300 200 май 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 2ma, 20 мая 40 @ 30ma, 10 В 50 мг
PMST4401,115 Nexperia USA Inc. PMST4401,115 0,2200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 PMST4401 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 40 600 май 50na (ICBO) Npn 750 мВ 50 мам, 500 маточков 100 @ 150 май, 1в 250 мг
SS9015CTA onsemi SS9015CTA -
RFQ
 ECAD 5753 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА SS9015 450 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 45 100 май 50na (ICBO) Pnp 700 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 1MA, 5V 190 мг
KSB564AYBU Fairchild Semiconductor KSB564AYBU 0,0300
RFQ
 ECAD 6872 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 800 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 9000 25 В 1 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 100ma, 1a 120 @ 100ma, 1v 110 мг
2PA1576S,115 NXP USA Inc. 2PA1576S, 115 0,0200
RFQ
 ECAD 7813 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен 2pa15 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000
JANSF2N4449 Microchip Technology Jansf2n4449 129.0708
RFQ
 ECAD 2863 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/117 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-206AB, TO-46-3 METLAC BAN BAN 2N4449 360 м TO-46 (TO-206AB) - Rohs DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 20 400NA Npn 450 мВ @ 10ma, 100 мая 20 @ 100ma, 1в -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть