SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanee эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
FJN5471BU onsemi FJN5471BU -
RFQ
 ECAD 5819 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) FJN547 750 м ДО 92-3 - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 20 5 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 100ma, 3a 700 @ 500ma, 2V 150 мг
S200-50 Microsemi Corporation S200-50 -
RFQ
 ECAD 5529 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо 150 ° C (TJ) ШASCI 55HX 320 Вт 55HX СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 12db ~ 14,5db 110В 30A Npn 10 @ 1a, 5v 1,5 мг ~ 30 млн. -
BF799WE6327BTSA1 Infineon Technologies BF799WE6327BTSA1 -
RFQ
 ECAD 4440 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BF799 280 м PG-SOT323 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 - 20 35 май Npn 40 @ 20 май, 10 В 800 мг 3db @ 100mgц
PP9063 Microsemi Corporation PP9063 -
RFQ
 ECAD 4566 0,00000000 Microsemi Corporation * МАССА Управо - Rohs Neprigodnnый Управо 0000.00.0000 1
NSVT3906DXV6T1G onsemi NSVT3906DXV6T1G 0,1154
RFQ
 ECAD 4920 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-563, SOT-666 NSVT3906 500 м SOT-563 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 4000 40 200 май - 2 PNP (DVOйNOй) 400 мВ @ 5ma, 50 ма 100 @ 10ma, 1в 250 мг
KSD1616ALTA onsemi KSD1616ALTA -
RFQ
 ECAD 5465 0,00000000 OnSemi - Веса Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА KSD1616 750 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 60 1 а 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 50ma, 1a 300 @ 100ma, 2v 160 мг
PUMH9,115 Nexperia USA Inc. Pumh9,115 0,2900
RFQ
 ECAD 34 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 Pumh9 300 м 6-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 1 мка 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 100 мВ @ 250 мк, 5 мая 100 @ 5ma, 5 - 10 Комов 47komm
2C2432 Microchip Technology 2C2432 6.9150
RFQ
 ECAD 7765 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Актифен - DOSTISH 150-2C2432 1
2N4387 Microchip Technology 2N4387 55 8750
RFQ
 ECAD 6034 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO 213AA, DO 66-2 20 Вт TO-66 (DO 213AA) - DOSTISH 150-2N4387 Ear99 8541.29.0095 1 40 2 а - Pnp - - -
JAN2N3420S Microchip Technology Jan2n3420s 16.5053
RFQ
 ECAD 3957 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/393 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 2N3420 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 60 3 а 5 Мка Npn 500 мВ 200 май, 2а 40 @ 1a, 2v -
MMBT4124 onsemi MMBT4124 -
RFQ
 ECAD 7141 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT4124 350 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 25 В 200 май 50na (ICBO) Npn 300 мВ @ 5ma, 50 мая 120 @ 2ma, 1V 300 мг
2SC4617EBTLR Rohm Semiconductor 2SC4617EBTLR 0,2600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер SC-89, SOT-490 2SC4617 150 м EMT3F (SOT-416FL) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 150 май 100NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 5ma, 50 ма 120 @ 1MA, 6V 180 мг
2N4410_D27Z onsemi 2N4410_D27Z -
RFQ
 ECAD 6969 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 2N4410 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 80 200 май 10NA (ICBO) Npn 200 м. Прри 100 мк, 1 мая 60 @ 10ma, 1v -
NHDTA123JTVL Nexperia USA Inc. NHDTA123JTVL 0,2200
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 NHDTA123 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 80 100 май 100NA Pnp - prervariotelno-cmepts 100 мВ @ 500 мк, 10 мая 100 @ 10ma, 5 В 150 мг 2.2 Ком 47 Kohms
2N2903A Central Semiconductor Corp 2n2903a -
RFQ
 ECAD 2544 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru До 78-6 МЕТАЛЛИСКАСКА 2N2903 1,2 Вт 128-6 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1 30 50 май 10NA (ICBO) 2 npn (дВОХАНЕй) 1 В @ 500 мк, 5 мая 125 @ 1MA, 5V 60 мг
DMA5640M0R Panasonic Electronic Components DMA5640M0R -
RFQ
 ECAD 9641 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер 6-SMD, Плоскильлид DMA5640M 150 м Smini6-F3-B - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 250 мВ @ 500 мк, 10 мая 80 @ 5ma, 10 В - 2,2KOM 47komm
AT-32032-TR1G Broadcom Limited AT-32032-TR1G -
RFQ
 ECAD 1244 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 AT-32032 200 м SC-70-3 - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 13,5db ~ 15db 5,5 В. 40 май Npn 70 @ 5ma, 2,7 В - 1db ~ 1,3 dbpri 900 мг.
1214-150L Microsemi Corporation 1214-150L -
RFQ
 ECAD 6228 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо 200 ° C (TJ) ШASCI 55ST-1 320 Вт 55ST-1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1 7,15 дБ ~ 8,7 ДБ 65 15A Npn 20 @ 1a, 5v 1,2 Гер -
RN4901(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4901 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 4562 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN4901 200 м US6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 30 @ 10ma, 5 В 200 метров, 250 мгр. 4,7 КОМ 4,7 КОМ
HN1B04FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE-GR, LXHF 0,4500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SOT-563, SOT-666 HN1B04 100 м ES6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 150 май 100NA (ICBO) NPN, Pnp 250 мВ @ 10ma, 100ma / 300MV @ 10ma, 100ma 200 @ 2MA, 6V 80 мг
2SA06830R Panasonic Electronic Components 2SA06830R -
RFQ
 ECAD 3921 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SA068 1 Вт TO-92L-A1 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 200 25 В 1 а 100NA (ICBO) Pnp 400 мВ @ 50 май, 500 матов 120 @ 500 май, 10 В 200 мг
PMBT5550,235 Nexperia USA Inc. PMBT5550,235 0,3400
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBT5550 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 140 300 май 50na (ICBO) Npn 250 мВ @ 5ma, 50 ма 60 @ 10ma, 5 В 300 мг
BC846BR13 Diotec Semiconductor BC846BR13 0,0182
RFQ
 ECAD 9906 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-BC846BR13TR 8541.21.0000 10000 65 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 300 мг
2SA1381FSTU onsemi 2SA1381FSTU -
RFQ
 ECAD 5129 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 2SA1381 7 Вт 126-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 60 300 100 май 100NA (ICBO) Pnp 600 мВ @ 2ma, 20 мая 160 @ 10ma, 10 В 150 мг
2N1016D Microsemi Corporation 2n1016d -
RFQ
 ECAD 5233 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 2N1016 150 Вт О 82 СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 200 7,5 а 1MA Npn 2,5 - @ 1a, 5a 6 @ 7,5A, 4V -
RCA423 Solid State Inc. RCA423 3.9500
RFQ
 ECAD 5934 0,00000000 Solid State Inc. - МАССА Актифен - Чereз dыru TO-204AA, TO-3 По 3 - Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-RCA423 Ear99 8541.10.0080 10 - Npn - - -
2SC3571-AZ Renesas Electronics America Inc 2SC3571-AZ 2.2200
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1
PMBT3904,235 Nexperia USA Inc. PMBT3904,235 0,1300
RFQ
 ECAD 147 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBT3904 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 40 200 май 50na (ICBO) Npn 300 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 10ma, 1в 300 мг
TIP41 onsemi TIP41 -
RFQ
 ECAD 7135 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 TIP41 2 Вт 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 200 40 6 а 700 мк Npn 1,5 h @ 600ma, 6a 15 @ 3A, 4V 3 мг
ZXTN19100CZTA Diodes Incorporated Zxtn19100czta 0,7400
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 243а ZXTN19100 2,4 SOT-89-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 100 5,25 а 50na (ICBO) Npn 350 мв 525 май, 5,25а 200 @ 100ma, 2v 150 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть