SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Nabahuvый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
KSC838YTA Fairchild Semiconductor KSC838YTA 0,0200
RFQ
 ECAD 1999 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 250 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 1751 30 30 май 100NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 1MA, 10MA 120 @ 2ma, 12 250 мг
FMMT720-TP Micro Commercial Co FMMT720-TP 0,1455
RFQ
 ECAD 9600 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT720 350 м SOT-23 СКАХАТА 353-FMMT720-TP Ear99 8541.21.0075 1 40 1,5 а 100NA (ICBO) Pnp 330 м. При 100 май, 1,5а 300 @ 10ma, 2v 150 мг
HN1C03F-B(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03F-B (TE85L, F) 0,1485
RFQ
 ECAD 6796 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-74, SOT-457 HN1C03 300 м SM6 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 20 300 май 100NA (ICBO) 2 npn (дВОХАНЕй) 100 мВ @ 3ma, 30 ма 350 @ 4MA, 2V 30 мг
PN4275_D26Z onsemi PN4275_D26Z -
RFQ
 ECAD 1626 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА PN427 350 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 15 200 май 400NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 10ma, 100 мая 35 @ 10ma, 1V -
JAN2N2906AUB Microchip Technology Jan2n2906aub 7.9667
RFQ
 ECAD 8560 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/291 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA 2N2906 500 м Ub СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 60 600 май 50NA Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 40 @ 150 май, 10 В -
2N4926 Microchip Technology 2N4926 18.4950
RFQ
 ECAD 1243 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Актифен - DOSTISH 150-2N4926 1
PEMH10,115 NXP USA Inc. PEMH10,115 -
RFQ
 ECAD 3415 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен PEMH1 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.21.0095 4000
PH8906 MACOM Technology Solutions PH8906 -
RFQ
 ECAD 6379 0,00000000 Macom Technology Solutions * МАССА Управо - 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 1
PDTC124TT Nexperia USA Inc. PDTC124TT -
RFQ
 ECAD 1101 0,00000000 Nexperia USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА 0000.00.0000 1
BC847BT TR PBFREE Central Semiconductor Corp BC847BT TR PBFREE 0,4300
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-89, SOT-490 BC847 250 м SOT-523 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 100 май 15NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 100 мг
2N2720 Central Semiconductor Corp 2N2720 -
RFQ
 ECAD 8257 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо - Чereз dыru До 78-6 МЕТАЛЛИСКАСКА 2N272 - 128-6 - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 - - - - - - -
2SC5772FR-TL-E Renesas Electronics America Inc 2SC5772FR-TL-E 0,2800
RFQ
 ECAD 171 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000
BC858CLT3 onsemi BC858CLT3 0,0400
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 OnSemi - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 300 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 30 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 100 мг
BCX70J Fairchild Semiconductor BCX70J 0,0300
RFQ
 ECAD 7992 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо - Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 350 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 490 45 200 май 20NA Npn 550 мв 1,25 май, 50 маточков 250 @ 2ma, 5 125 мг
RN1413,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1413, LF 0,1900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1413 200 м S-Mini СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 100NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 120 @ 1MA, 5V 250 мг 47 Kohms
MS2575A Microsemi Corporation MS2575A -
RFQ
 ECAD 9629 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо - 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 1
PUMH2/HE115 NXP USA Inc. PUMH2/HE115 0,0300
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0095 3000
DTC114TET1 onsemi DTC114TET1 -
RFQ
 ECAD 9370 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-75, SOT-416 DTC114 200 м SC-75, SOT-416 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 250 мВ @ 1MA, 10MA 160 @ 5ma, 10 В 10 Kohms
2SB1399-E Renesas Electronics America Inc 2SB1399-E -
RFQ
 ECAD 7507 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 96
2N7053 onsemi 2N7053 -
RFQ
 ECAD 6039 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N7053 1 Вт 226-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1500 100 1,5 а 200NA Npn - дарлино 1,5 -прри 100 мк, 100 май 1000 @ 1a, 5v 200 мг
BC51PAS115 NXP USA Inc. BC51PAS115 -
RFQ
 ECAD 8256 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 3000
PH1214-300M MACOM Technology Solutions PH1214-300M 464 9400
RFQ
 ECAD 8636 0,00000000 Macom Technology Solutions - МАССА Актифен 200 ° C (TJ) ШASCI 2L-Flg PH1214 583 Вт 2L-Flg - 1465-PH1214-300M 1 8,75 ДБ 90В 21А Npn - - -
KSC1008CYBU onsemi KSC1008CYBU -
RFQ
 ECAD 5154 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSC1008 800 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1000 60 700 млн 100NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 50 май, 500 матов 120 @ 50ma, 2v 50 мг
ADTA123JUAQ-7 Diodes Incorporated ADTA123JUAQ-7 -
RFQ
 ECAD 9915 0,00000000 Дидж * Lenta и катахка (tr) Управо ADTA123 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000
TN6719A Fairchild Semiconductor TN6719A -
RFQ
 ECAD 4174 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1 Вт 226-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0095 1500 300 200 май 100NA (ICBO) Npn 750 мВ @ 3MA, 30 ма 40 @ 30ma, 10 В -
2SA1527-AA onsemi 2SA1527-AA 0,1000
RFQ
 ECAD 33 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1
SS9011FBU Fairchild Semiconductor SS9011FBU -
RFQ
 ECAD 6413 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 400 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0095 9,134 30 30 май 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 1MA, 10MA 54 @ 1MA, 5V 2 мг
RN1908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1908, LXHF (Ct 0,3600
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN1908 200 м US6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 22khh 47komm
KSP8098TA Fairchild Semiconductor KSP8098TA 0,0200
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 2000 60 500 май 100NA Npn 300 мВ @ 10ma, 100 мА 100 @ 1MA, 5 В 150 мг
PDTC124EK,115 NXP USA Inc. PDTC124EK, 115 -
RFQ
 ECAD 7515 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC124 250 м SMT3; Мпп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 1 мка Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 150 мв 500 мк, 10 60 @ 5ma, 5 В 22 Kohms 22 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список RFQ (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть