SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
DTB113ESTP Rohm Semiconductor DTB113ESTP -
RFQ
 ECAD 3800 0,00000000 ROHM Semiconductor - Веса Управо Чereз dыru SC-72 SFORMIROWOLLYL DTB113 300 м Спт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 5000 50 500 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 2,5 май, 50 33 @ 50ma, 5 В 200 мг 1 kohms 1 kohms
UMA7NTR Rohm Semiconductor Uma7ntr 0,0848
RFQ
 ECAD 3160 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UMA7 150 м UMT5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 мВ 500 мк, 10 30 @ 10ma, 5 В 250 мг 4,7 КОМ 10 Комов
PDTC124EMB,315 Nexperia USA Inc. PDTC124EMB, 315 0,0361
RFQ
 ECAD 7618 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 3-xfdfn PDTC124 250 м DFN1006B-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 934065923315 Ear99 8541.21.0075 10000 50 100 май 100NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 150 мв 500 мк, 10 60 @ 5ma, 5 В 230 мг 22 Kohms 22 Kohms
JANS2N5152U3 Microchip Technology Jans2n5152u3 269.3620
RFQ
 ECAD 7017 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/544 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 1 Вт U3 (SMD-0.5) - DOSTISH 150-JANS2N5152U3 1 80 2 а 50 мк Npn 1,5 Е @ 500 мА, 5A 30 @ 2,5a, 5в -
MPSA63ZL1G onsemi MPSA63ZL1G -
RFQ
 ECAD 6844 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА MPSA63 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 30 500 май 100NA (ICBO) PNP - ДАРЛИНГТОН 1,5 -прри 100 мк, 100 май 10000 @ 100ma, 5 В 125 мг
2PA1576S,135 Nexperia USA Inc. 2PA1576S, 135 0,2100
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 2PA1576 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 50 150 май 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 5ma, 50 ма 270 @ 1MA, 6V 100 мг
2SD21390PA Panasonic Electronic Components 2SD21390PA -
RFQ
 ECAD 1188 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Веса Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 3-sip 2SD2139 2 Вт MT-4-A1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1000 60 3 а 100 мк Npn 1В @ 50 май, 2а 800 @ 500ma, 4V 50 мг
MJD32C-13 Diodes Incorporated MJD32C-13 0,2093
RFQ
 ECAD 7129 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 MJD32 15 Вт 252-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 100 3 а 1 мка Pnp 1,2 - @ 375MA, 3A 10 @ 3A, 4V 3 мг
BC212_D75Z onsemi BC212_D75Z -
RFQ
 ECAD 2391 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC212 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 50 300 май 15NA (ICBO) Pnp 600 мВ @ 5ma, 100 мая 60 @ 2ma, 5 -
BDW84D-S Bourns Inc. Bdw84d-s -
RFQ
 ECAD 8496 0,00000000 Bourns Inc. - Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 218-3 BDW84 3,5 SOT-93 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 300 120 15 а 1MA PNP - ДАРЛИНГТОН 4 В @ 150 май, 15a 750 @ 6a, 3v -
FMMT449 onsemi FMMT449 -
RFQ
 ECAD 5858 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Fmmt44 500 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 1 а 100NA (ICBO) Npn 1В @ 200 май, 2а 100 @ 500 май, 2 В 150 мг
PBRP113ZT,215 NXP USA Inc. PBRP113ZT, 215 0,0400
RFQ
 ECAD 21 0,00000000 NXP USA Inc. - МАССА Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PBRP113 250 м SOT-23 СКАХАТА Ear99 8541.21.0095 8 362 40 600 млн 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 750 мВ @ 6ma, 600 мая 230 @ 300 май, 5в 1 kohms 10 Kohms
NTE55MCP NTE Electronics, Inc NTE55MCP 10.9700
RFQ
 ECAD 8503 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 2W ДО-220 - Rohs3 2368-NTE55MCP Ear99 8541.29.0095 1 - 150 8. Pnp 40 @ 2a, 2v 30 мг -
TIP49TU onsemi TIP49TU -
RFQ
 ECAD 4774 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 TIP49 2 Вт 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 350 1 а 1MA Npn 1V @ 200 мам, 1a 30 @ 300 май, 10 В 10 мг
KSC2330OBU onsemi KSC2330OBU -
RFQ
 ECAD 5468 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА KSC2330 1 Вт ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 500 300 100 май 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 1MA, 10MA 70 @ 20 май, 10 В 50 мг
BFP 620F E7764 Infineon Technologies BFP 620F E7764 -
RFQ
 ECAD 8847 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, Плоскилили BFP 620 185 м 4-tsfp СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 21 дБ 2,8 В. 80 май Npn 110 @ 50ma, 1,5 В 65 -й 0,7 дБ ~ 1,3 дбри При 1,8 Гер
PEMD24,115 Nexperia USA Inc. PEMD24,115 0,4700
RFQ
 ECAD 3919 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SOT-563, SOT-666 PEMD24 300 м SOT-666 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 4000 50 20 май 1 мка 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 150 мв 250 мка, 5 80 @ 5ma, 5в - 100 Ком 100 Ком
RX1214B300YI112 NXP USA Inc. RX1214B300YI112 473.2400
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 NXP USA Inc. - МАССА Актифен ШASCI SOT-439A 570 Вт CDFM2 - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0075 1 8 дБ 60 21А Npn
DTC143EKAT146 Rohm Semiconductor DTC143EKAT146 0,2700
RFQ
 ECAD 648 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC143 200 м SMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 30 @ 10ma, 5 В 250 мг 4.7 Kohms 4.7 Kohms
FPN530A onsemi FPN530A -
RFQ
 ECAD 9054 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА FPN5 1 Вт 226 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1500 30 3 а 100NA (ICBO) Npn 250 мВ @ 100ma, 1a 250 @ 100ma, 2v 150 мг
JAN2N1724 Microchip Technology Jan2n1724 -
RFQ
 ECAD 4048 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/262 МАССА Актифен 175 ° С Стало TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud 3 Вт 121 - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 80 300 мк 300 мк Npn 600 мВ 200 май, 2а 30 @ 2a, 15 -
2SC4520S-TD-E onsemi 2SC4520S-TD-E 0,2000
RFQ
 ECAD 39 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0075 1000
BCP56H,115 Nexperia USA Inc. BCP56H, 115 0,0600
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Nexperia USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0075 1
CEN1179 Central Semiconductor Corp CEN1179 -
RFQ
 ECAD 3987 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо - - - 1514-Cen1179 Управо 500 - - - - - - -
ZXTN2018FTA Diodes Incorporated Zxtn2018fta 0,7900
RFQ
 ECAD 140 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Zxtn2018 1,2 Вт SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 3000 60 5 а 20NA (ICBO) Npn 210MV @ 300MA, 6A 100 @ 2a, 1v 130 мг
BLF10H6600P112 NXP USA Inc. BLF10H6600P112 238.3900
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0075 1
FCX495TA Diodes Incorporated FCX495TA 0,4600
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 243а FCX495 1 Вт SOT-89-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 150 1 а 100NA Npn 300 мВ 50 мам, 500 мат 100 @ 1MA, 10 100 мг
2N3906BU onsemi 2N3906BU 0,3600
RFQ
 ECAD 32 0,00000000 OnSemi - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N3906 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 40 200 май - Pnp 400 мВ @ 5ma, 50 ма 100 @ 10ma, 1в 250 мг
MJD31T4 onsemi MJD31T4 0,2100
RFQ
 ECAD 32 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо - Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 MJD31 15 Вт Dpak СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 40 3 а 50 мк Npn 1,2 - @ 375MA, 3A 10 @ 3A, 4V 3 мг
2SC5658RM3T5G onsemi 2SC5658RM3T5G 0,3800
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SOT-723 2SC5658 260 м SOT-723 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 8000 50 100 май 500NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 5ma, 60 мая 215 @ 1MA, 6V 180 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть