SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Власта - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Ток - Колемкшионер (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
2SC441000L Panasonic Electronic Components 2SC441000L -
RFQ
 ECAD 3032 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 2SC4410 50 м Smini3-G1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 7 V. 10 май 1 мка (ICBO) Npn - 50 @ 1MA, 1V 4 Гер
BCX53-10115 Nexperia USA Inc. BCX53-10115 0,0700
RFQ
 ECAD 47 0,00000000 Nexperia USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Ear99 8541.29.0075 1
MUN5116DW1T1G onsemi MUN5116DW1T1G 0,3500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 MUN5116 250 м SC-88/SC70-6/SOT-363 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 250 мВ @ 1MA, 10MA 160 @ 5ma, 10 В - 4,7 КОМ -
PUMH10,115 Nexperia USA Inc. Pumh10,115 0,2900
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 PUM10 300 м 6-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 1 мка 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 100 мВ @ 250 мк, 5 мая 100 @ 10ma, 5 В - 2,2KOM 47komm
JANTXV2N3636L Microchip Technology Jantxv2n3636l 14.3906
RFQ
 ECAD 4627 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/357 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 2N3636 1 Вт По 5 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 175 1 а 10 мк Pnp 600 мВ @ 5ma, 50 мая 50 @ 50ma, 10 В -
2SD1864TV2Q Rohm Semiconductor 2SD1864TV2Q -
RFQ
 ECAD 8622 0,00000000 ROHM Semiconductor - Веса Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 3-sip 2SD1864 1 Вт Квадран СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2500 50 3 а 1 мка (ICBO) Npn 1В @ 200 май, 2а 120 @ 500ma, 3V 90 мг
RN4986(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4986 (T5L, F, T) 0,3000
RFQ
 ECAD 483 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN4986 200 м US6 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 100 мк (ICBO) 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг, 200 мг 4,7 КОМ 47komm
BCR35PNH6433XTMA1 Infineon Technologies BCR35PNH6433XTMA1 0,0975
RFQ
 ECAD 8475 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Прохл Пефер 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR35 250 м PG-SOT363-PO СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 10000 50 100 май - 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 мВ 500 мк, 10 70 @ 5ma, 5 В 150 мг 10 Комов 47komm
PBSS8110D,115 Nexperia USA Inc. PBSS8110D, 115 0,4700
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-74, SOT-457 PBSS8110 700 м 6-й стоп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 100 1 а 100NA Npn 200 мВ @ 100ma, 1a 150 @ 250 май, 10 В 100 мг
BC850CMTF onsemi BC850CMTF -
RFQ
 ECAD 3969 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC850 310 м SOT-23-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 300 мг
STFN42 STMicroelectronics STFN42 -
RFQ
 ECAD 3982 0,00000000 Stmicroelectronics - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 243а STFN42 1,4 м SOT-89-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 400 1 а 100 мк Npn 1,5 Е @ 250 май, 750 мая 10 @ 400 май, 5в -
BDX53C STMicroelectronics BDX53C 1,3000
RFQ
 ECAD 2448 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 BDX53 60 ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 100 8 а 500 мк Npn - дарлино 2V @ 12ma, 3a 750 @ 3A, 3V -
BD645-S Bourns Inc. BD645-S. -
RFQ
 ECAD 3413 0,00000000 Bourns Inc. - Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 BD645 2 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) BD645S Ear99 8541.29.0095 50 60 8 а 500 мк Npn - дарлино 2,5 - @ 50ma, 5a 750 @ 3A, 3V -
XN0121100L Panasonic Electronic Components XN0121100L -
RFQ
 ECAD 5460 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-74A, SOT-753 XN0121 300 м Mini5-g1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 35 @ 5ma, 10 В 150 мг 10 Комов 10 Комов
MJD44H11T5G onsemi MJD44H11T5G -
RFQ
 ECAD 2439 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 MJD44 1,75 Вт Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2500 80 8 а 1 мка Npn 1v @ 400 май, 8a 40 @ 4a, 1v 85 мг
RN1911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1911 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 2298 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN1911 100 м US6 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 120 @ 1MA, 5V 250 мг 4,7 КОМ -
RN2610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2610 (TE85L, F) 0,4800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-74, SOT-457 RN2610 300 м SM6 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 120 @ 1MA, 5V 200 мг 4,7 КОМ -
PDTA114EE,115 Philips PDTA114EE, 115 -
RFQ
 ECAD 2957 0,00000000 Филипс - МАССА Актифен Пефер SC-75, SOT-416 PDTA114 150 м SC-75 - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан 3000 50 100 май 100NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 150 мв 500 мк, 10 30 @ 5ma, 5в 180 мг 10 Kohms 10 Kohms
UTV8100B Microsemi Corporation UTV8100B -
RFQ
 ECAD 8059 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо 200 ° C (TJ) ШASCI 55rt 290 Вт 55rt СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1 8,5 дб ~ 9,5 дБ 60 15A Npn 20 @ 1a, 5v 470 мг ~ 860 мг -
TIP42 onsemi TIP42 -
RFQ
 ECAD 6291 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 TIP42 2 Вт 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 200 40 6 а 700 мк Pnp 1,5 h @ 600ma, 6a 15 @ 3A, 4V 3 мг
BC560C_J35Z onsemi BC560C_J35Z -
RFQ
 ECAD 8663 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC560 500 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 45 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 150 мг
2N3904_J05Z onsemi 2N3904_J05Z -
RFQ
 ECAD 9601 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N3904 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1500 40 200 май - Npn 300 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 10ma, 1в 300 мг
HR1F3P(0)-T1-AZ Renesas HR1F3P (0) -T1 -AZ 0,4600
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 RerneзAs - МАССА Управо Пефер 243а HR1F3P 2 Вт SC-62 - Rohs DOSTISH 2156-HR1F3P (0) -T1-AZ Ear99 8541.29.0095 1 60 1 а 100NA Pnp - prervariotelno-cmepts 350 мВ @ 10ma, 500 мая 100 @ 500 май, 2 В 2 kohms 10 Kohms
FZTA14TA Diodes Incorporated FZTA14TA 0,4800
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA FZTA14 2 Вт SOT-223-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 30 1 а 100NA (ICBO) Npn - дарлино 1,6 - @ 1ma, 1a 20000 @ 100ma, 5 В 170 мг
JANKCB2N5004 Microchip Technology Jankcb2n5004 97.9279
RFQ
 ECAD 5388 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/534 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Стало Умират 2 Вт Умират - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 80 50 мк 50 мк Npn 1,5 Е @ 500 мА, 5A 70 @ 2,5A, 5 В -
SG2821J-DESC Microchip Technology SG2821J-DESC -
RFQ
 ECAD 7302 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Поднос Актифен -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Чereз dыru 18-CDIP (0,300 ", 7,62 ММ) SG2821 - 18-Cerdip СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 150-SG2821J-DESC Ear99 8541.29.0095 21 95V 500 май - 8 npn Дарлино 1,6 В 500 мк, 350 мая 1000 @ 350 май, 2 В -
RN2306,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2306, LF 0,1900
RFQ
 ECAD 2146 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 RN2306 100 м SC-70 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 мг 4.7 Kohms 47 Kohms
GES5816 Harris Corporation GES5816 0,1000
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN - МАССА Актифен -55 ° C ~ 135 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 1 40 750 май 100NA (ICBO) Npn 750 мВ 50 мам, 500 маточков 100 @ 2MA, 2V 120 мг
NSS35200CF8TIG onsemi NSS35200CF8TIG 1.0000
RFQ
 ECAD 6223 0,00000000 OnSemi - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-SMD, Плоскин С.С. 635 м Chipfet ™ - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 1 35 2 а 100NA Pnp 300 мВ @ 20 май, 2а 100 @ 1,5A, 2V 100 мг
64065 Microsemi Corporation 64065 -
RFQ
 ECAD 7262 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо - Neprigodnnый Управо 0000.00.0000 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть