SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
BCX6825QTA Diodes Incorporated BCX6825QTA 0,1756
RFQ
 ECAD 7854 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 243а BCX6825 1 Вт SOT-89-3 СКАХАТА DOSTISH 31-BCX6825QTATR Ear99 8541.29.0075 1000 20 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 100ma, 1a 160 @ 500 май, 1в 100 мг
PUMD9-QX Nexperia USA Inc. PUMD9-QX 0,0368
RFQ
 ECAD 7473 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 Pumd9 200 м 6-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 1 мка 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 100 мВ @ 250 мк, 5 мая 100 @ 5ma, 5 230 мгр, 180 мгр 10 Комов 47komm
2N2222AUB TT Electronics/Optek Technology 2n222222aub 38.2400
RFQ
 ECAD 551 0,00000000 TT Electronics/Optek Technology - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 3-LCC 2N2222 300 м Kermiчeskyй smd СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 30 50 800 млн 50NA Npn 1 В @ 15 май, 500 мат 75 @ 1MA, 10 В -
NST3906DP6T5G onsemi NST3906DP6T5G 0,3900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-963 NST3906 350 м SOT-963 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 488-NST3906DP6T5GTR Ear99 8541.21.0075 8000 40 200 май - 2 PNP (DVOйNOй) 400 мВ @ 5ma, 50 ма 100 @ 10ma, 1в 250 мг
AT-31011-BLKG Broadcom Limited AT-31011-BLKG -
RFQ
 ECAD 2723 0,00000000 Broadcom Limited - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Пефер 253-4, 253а AT-31011 150 м SOT-143 - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 100 11db ~ 13db 5,5 В. 16ma Npn 70 @ 1ma, 2,7 В - 0,9 дБ ~ 1,2 дбри При 900 мг.
PMBT2222A,215 NXP USA Inc. PMBT2222A, 215 -
RFQ
 ECAD 6473 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен PMBT2222 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000
2SC2839E-SPA-AC onsemi 2SC2839E-SPA-AC 0,0500
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 OnSemi - МАССА Актифен Чereз dыru 3-sip 150 м 3-Spa - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан 1 25 дБ 20 30 май Npn 60 @ 1MA, 6V 320 мг 3db @ 100mgц
JANS2N3762L Microchip Technology Jans2n3762l -
RFQ
 ECAD 5200 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/396 МАССА Актифен -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 1 Вт По 5 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 40 1,5 а 100 мк (ICBO) Pnp 900 мВ @ 100ma, 1a 40 @ 500 май, 1в -
2SK1896 Sanyo 2SK1896 0,8300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 САНО * МАССА Актифен СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-2SK1896-600057 1
EMB1 Yangjie Technology Эmbalnый 0,0260
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-EMB1TR Ear99 3000
SS8050DTA Fairchild Semiconductor SS8050DTA 0,0600
RFQ
 ECAD 620 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 1 Вт ДО 92-3 СКАХАТА 0000.00.0000 5124 25 В 1,5 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 80 май, 800 мая 160 @ 100ma, 1v 100 мг
2SA1859 Sanken Electric USA Inc. 2SA1859 15000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Sanken Electric USA Inc. - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- 20 Вт DO-220F СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 2SA1859 DK Ear99 8541.29.0075 1000 150 2 а 10 мк (ICBO) Pnp 1 В @ 70 май, 700 маточков 60 @ 700 май, 10 В 60 мг
BC556BTFR onsemi BC556BTFR 0,4100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC556 500 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 65 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 150 мг
2SD1153-AE onsemi 2SD1153-EA 0,3300
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1
PBLS4001Y,115 NXP USA Inc. PBLS4001Y, 115 0,0700
RFQ
 ECAD 345 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен PBLS40 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000
FJV3107RMTF onsemi FJV3107RMTF -
RFQ
 ECAD 8400 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 FJV310 200 м SOT-23-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 100NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 68 @ 5ma, 5 В 250 мг 22 Kohms 47 Kohms
JANTXV2N3506 Microchip Technology Jantxv2n3506 17.7023
RFQ
 ECAD 2721 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/349 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 2N3506 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 40 3 а - Npn 1,5 -прри 250 май, 2,5а 40 @ 1,5A, 2V -
MMST3904-TP-HF Micro Commercial Co MMST3904-TP-HF -
RFQ
 ECAD 9832 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 MMST3904 200 м SOT-323 СКАХАТА 353-MMST3904-TP-HF Ear99 8541.21.0075 1 40 200 май 50NA Npn 300 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 10ma, 1в 300 мг
KSE701STU onsemi KSE701STU -
RFQ
 ECAD 2941 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 KSE70 40 126-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1920 60 4 а 100 мк PNP - ДАРЛИНГТОН 2,8 В @ 40 май, 2а 750 @ 2a, 3v -
BC847C Yangjie Technology BC847C 0,0150
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 225 м SOT-23 - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-BC847CTR Ear99 3000 45 100 май 100NA Npn 500 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 100 мг
KSC2690YSTU Fairchild Semiconductor KSC2690YSTU 0,1900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 1,2 Вт 126-3 СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-KSC2690YSTU-600039 1750 120 1,2 а 1 мка (ICBO) Npn 700 м. 160 @ 300 май, 5в 155 мг
DTA015TUBTL Rohm Semiconductor DTA015Tubtl 0,0536
RFQ
 ECAD 5225 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-85 DTA015 200 м Umt3f СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 250 мв 250 мка, 5 100 @ 5ma, 10 В 250 мг 100 км
MMBTA13-7 Diodes Incorporated MMBTA13-7 -
RFQ
 ECAD 8545 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA13 300 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 300 май 100NA (ICBO) Npn - дарлино 1,5 -прри 100 мк, 100 май 10000 @ 100ma, 5 В 125 мг
DTC123JET1G onsemi DTC123JET1G 0,1700
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-75, SOT-416 DTC123 200 м SC-75, SOT-416 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 250 мВ @ 1MA, 10MA 80 @ 5ma, 10 В 2.2 Ком 47 Kohms
RN1417(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1417 (TE85L, F) 0,3500
RFQ
 ECAD 384 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1417 200 м S-Mini СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 30 @ 10ma, 5 В 250 мг 10 Kohms 4.7 Kohms
BD159G onsemi BD159G -
RFQ
 ECAD 5698 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 BD159 20 Вт 126 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 350 500 май 100 мк (ICBO) Npn - 30 @ 50ma, 10 В -
2PB709ASL,235 Nexperia USA Inc. 2PB709ASL, 235 0,0251
RFQ
 ECAD 4439 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-101, SOT-883 2PB709 250 м SOT-883 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 10000 45 100 май 10NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 10ma, 100 мая 290 @ 2ma, 10 В 80 мг
UMB6NTR Rohm Semiconductor Umb6ntr 0,0848
RFQ
 ECAD 2555 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 UMB6 150 м UMT6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 30 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 мВ 500 мк, 10 68 @ 5ma, 5 В 250 мг 47komm 47komm
BCM857BS/ZLX Nexperia USA Inc. BCM857BS/ZLX -
RFQ
 ECAD 2802 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 BCM857 6-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000
UP03397G0L Panasonic Electronic Components UP03397G0L -
RFQ
 ECAD 3932 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-665 UP0339 125 м SSMINI5-F3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 8000 50 В, 30 В 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 250 мв 300 мк, 10 май / 1,2 Вр. 330 мк, 50 мая 35 @ 5ma, 10 v / 80 @ 5ma, 10 150 мг, 80 мгр 10 Комов 10KOHMS, 47KOMM
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть