SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
2SC3117S onsemi 2SC3117S 0,2400
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1
BCX19,235 NXP USA Inc. BCX19 235 -
RFQ
 ECAD 4304 0,00000000 NXP USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м SOT-23 СКАХАТА Ear99 8541.21.0075 1 45 500 май 100NA (ICBO) Npn 620 мВ @ 50 май, 500 мая 100 @ 100ma, 1в 100 мг
2SC3595D Sanyo 2SC3595D 0,6100
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 САНО * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 0000.00.0000 1
MMBT3904T Yangjie Technology MMBT3904T 0,0150
RFQ
 ECAD 600 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOT-523 MMBT3904 150 м SOT-523 - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-MMBT3904TTR Ear99 3000 40 200 май 50na (ICBO) Npn 300 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 10ma, 1в 300 мг
2SAR567F3TR Rohm Semiconductor 2SAR567F3TR 1.2100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 3-udfn otkrыtaiNavaIn-o 1 Вт Huml2020L3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-2SAR567F3TRCT Ear99 8541.29.0095 3000 120 2,5 а 1 мка (ICBO) Pnp 200 мВ @ 80 май, 800 мат 120 @ 100ma, 5 В 220 мг
MBT2222ADW1T onsemi MBT222222ADW1T 0,0200
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 3000
PHPT60610PYX NXP Semiconductors Phpt60610pyx -
RFQ
 ECAD 8194 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен 175 ° C (TJ) Пефер SC-100, SOT-669 1,5 LFPAK56, Power-So8 СКАХАТА Ear99 8541.29.0075 1 60 10 а 100NA Pnp 470 мВ @ 1a, 10a 120 @ 500 май, 2 В 85 мг
RN1706,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1706, LF 0,3000
RFQ
 ECAD 939 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1706 200 м USV СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 4,7 КОМ 47komm
CP229-2N5109-WN Central Semiconductor Corp CP229-2N5109-WN -
RFQ
 ECAD 2179 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер Умират - Умират - 1514-CP229-2N5109-WN Управо 500 11 дБ 20 400 май Npn 40 @ 50ma, 15 1,2 -е 3db @ 200 мг.
SMUN2232T1 onsemi SMUN2232T1 -
RFQ
 ECAD 5443 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен SMUN2232 - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3000
RN2707,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2707, LF 0,2900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2707 200 м USV СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 мг 10 Комов 47komm
TIP42CTU-T Fairchild Semiconductor TIP42CTU-T 0,3000
RFQ
 ECAD 422 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 2 Вт 220-3 СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-TIP42CTU-T-600039 1 100 6 а 700 мк Pnp 1,5 h @ 600ma, 6a 15 @ 3A, 4V 3 мг
JANTX2N6989U/TR Microchip Technology Jantx2n6989u/tr 78.7002
RFQ
 ECAD 8718 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/559 Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 20-CLCC 2N6989 1 Вт 20-CLCC - Rohs3 DOSTISH 150 Jantx2n6989u/tr Ear99 8541.29.0095 1 50 800 май 10 мк (ICBO) 4 npn (квадрат) 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В -
BSX62-10 Central Semiconductor Corp BSX62-10 -
RFQ
 ECAD 1513 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 5 Вт Не 39 СКАХАТА DOSTISH 1514-BSX62-10 Ear99 8541.29.0095 1 40 3 а 100NA (ICBO) Npn 800 мВ @ 200 май, 2а 63 @ 1a, 1v 30 мг
NST1602CLTWG onsemi NST1602CLTWG 0,2459
RFQ
 ECAD 4140 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен 175 ° C (TJ) Пефер SOT-1205, 8-LFPAK56 800 м 8-lfpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 488-NST1602CLTWGTR Ear99 8541.21.0075 3000 160 1,5 а 100NA (ICBO) Npn 140mv @ 50ma, 500 маточков 140 @ 100ma, 5 100 мг
PDTA124ET-QR Nexperia USA Inc. PDTA124ET-QR 0,1800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTA124 250 м SOT-23 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 100NA Pnp - prervariotelno-cmepts 150 мВ @ 10ma 60 @ 5ma, 5 В 180 мг 22 Kohms 22 Kohms
CP188-2N2919-CT Central Semiconductor Corp CP188-2N2919-CT -
RFQ
 ECAD 6395 0,00000000 Central Semiconductor Corp CP188 Поднос Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Умират 300 м Умират СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 1514-CP188-2N2919-CT Ear99 8541.29.0040 1 60 30 май 2NA 350 мВ 100 мк, 1 мая 150 @ 1MA, 5V
BC807-40QA147 NXP USA Inc. BC807-40QA147 -
RFQ
 ECAD 6566 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Ear99 8541.21.0095 1
KSA733CYTA Fairchild Semiconductor KSA733Cyta -
RFQ
 ECAD 1594 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА KSA733 250 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 9 616 50 150 май 100NA (ICBO) Pnp 300 мВ @ 10ma, 100 мА 120 @ 1MA, 6V 180 мг
MPSW56 Fairchild Semiconductor MPSW56 0,1200
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1 Вт 226-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0075 1500 80 1 а 500NA Pnp 500 мВ @ 10ma, 250 50 @ 250 май, 1в 50 мг
PBHV8115TLHR NXP Semiconductors PBHV8115TLHR -
RFQ
 ECAD 4414 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 300 м SOT23-3 (TO-236) - 2156-PBHV8115TLHR 1 150 1 а 100NA Npn 60 мВ @ 10ma, 100 мая 70 @ 50ma, 10 В 30 мг
MNS2N2222AUBP Microchip Technology MNS2N222222AUBP 12.3700
RFQ
 ECAD 2244 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/255 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 500 м Ub - DOSTISH 150-MNS2N222222AUBP Ear99 8541.21.0095 1 50 800 млн 50NA Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В -
MMBT3906Q-7-F Diodes Incorporated MMBT3906Q-7-F 0,1800
RFQ
 ECAD 6467 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 310 м SOT-23-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 40 200 май 50NA Pnp 400 мВ @ 5ma, 50 ма 100 @ 10ma, 1в 250 мг
PDTC143ET-QVL Nexperia USA Inc. PDTC143ET-QVL 0,0254
RFQ
 ECAD 1827 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC143 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1727-PDTC143ET-QVLTR Ear99 8541.21.0075 10000 50 100 май 1 мка Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 150 мв 500 мк, 10 30 @ 10ma, 5 В 230 мг 4.7 Kohms 4.7 Kohms
PEMH17,115 NXP USA Inc. PEMH17,115 0,0400
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 NXP USA Inc. - МАССА Актифен Пефер SOT-563, SOT-666 PEMH17 300 м SOT-666 СКАХАТА Ear99 8541.21.0095 1 50 100 май 1 мка 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 150 мв 500 мк, 10 60 @ 5ma, 5 В - 47komm 22khh
RN2709,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2709, LF 0,3100
RFQ
 ECAD 8528 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2709 200 м USV СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 70 @ 10ma, 5v 200 мг 47komm 22khh
BC807-40 Taiwan Semiconductor Corporation BC807-40 0,0435
RFQ
 ECAD 1172 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BC807-40TR Ear99 8541.21.0075 6000 45 500 май 100NA (ICBO) Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 250 @ 100ma, 1v 100 мг
PTFFS40120AF onsemi PTFFS40120AF -
RFQ
 ECAD 8100 0,00000000 OnSemi - МАССА Прохл PTFFS40120 - 488-PTFFS40120AF 1
BC817-25Q Yangjie Technology BC817-25Q 0,0190
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен BC817 - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-BC817-25QTR Ear99 3000
PMBTA92-QVL Nexperia USA Inc. PMBTA92-QVL 0,0359
RFQ
 ECAD 5051 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1727-PMBTA92-Qvltr Ear99 8541.21.0095 10000 300 100 май 250NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 2ma, 20 мая 40 @ 10ma, 10 В 50 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть