SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
SD1013 Microsemi Corporation SD1013 -
RFQ
 ECAD 2080 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо 200 ° C (TJ) ШASCI M135 13 Вт M135 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 1 10 дБ 35 1A Npn 10 @ 200 май, 5 В 150 мг -
KSH117ITU onsemi KSH117ITU -
RFQ
 ECAD 8683 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА KSH11 1,75 Вт I-pak СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 70 100 2 а 20 мк PNP - ДАРЛИНГТОН 3v @ 40ma, 4a 1000 @ 2a, 3v 25 мг
BUL310FP STMicroelectronics BUL310FP -
RFQ
 ECAD 8934 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- BUL310 36 Вт 220FP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-12149 Ear99 8541.29.0095 50 500 5 а 250 мк Npn 1.1V @ 600 май, 3а 6 @ 3A, 2,5 -
BC856AW-HF Comchip Technology BC856AW-HF 0,0517
RFQ
 ECAD 5760 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC856 150 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 641-BC856AW-HFTR Ear99 8541.21.0075 3000 65 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 125 @ 2ma, 5V 100 мг
MJD50G onsemi MJD50G 0,8700
RFQ
 ECAD 7403 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 MJD50 156 Вт Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 75 400 1 а 200 мк Npn 1V @ 200 мам, 1a 30 @ 300 май, 10 В 10 мг
DCP69-25-13 Diodes Incorporated DCP69-25-13 -
RFQ
 ECAD 3703 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA DCP69 1 Вт SOT-223-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2500 20 1 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 100ma, 1a 160 @ 500 май, 1в 200 мг
BC547ARL onsemi BC547Arl -
RFQ
 ECAD 2706 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА BC547 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 45 100 май 15NA Npn 250 мВ @ 500 мк, 10 мая 110 @ 2ma, 5 В 300 мг
MMBT3904-QR Nexperia USA Inc. MMBT3904-QR 0,0211
RFQ
 ECAD 4434 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3904 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 3000 40 200 май 50na (ICBO) Npn 300 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 10ma, 1в 300 мг
2SA2169-TL-E onsemi 2SA2169-TL-E 0,9700
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 2SA2169 950 м TP-FA - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 700 50 10 а 10 мк (ICBO) Pnp 580 мВ @ 250ma, 5a 200 @ 1a, 2v 130 мг
2N5195 NTE Electronics, Inc 2N5195 1.0000
RFQ
 ECAD 96 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 40 SOT-32-3 СКАХАТА Rohs3 2368-2N5195 Ear99 8541.29.0095 1 80 4 а 1MA Pnp 1,2 - @ 1a, 4a 20 @ 1,5A, 2V 2 мг
BDV65B onsemi BDV65B -
RFQ
 ECAD 4410 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 218-3 BDV65 125 Вт SOT-93 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 100 10 а 1MA Npn - дарлино 2 w @ 20 май, 5А 1000 @ 5a, 4v -
CMPT2907A TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMPT2907A TR PBFREE 0,7000
RFQ
 ECAD 36 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 CMPT2907 350 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 60 600 май 10NA (ICBO) Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 200 мг
2SD1153-AE onsemi 2SD1153-EA 0,3300
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1
ADTA144VCAQ-13 Diodes Incorporated ADTA144VCAQ-13 0,0526
RFQ
 ECAD 3864 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 ADTA144 310 м SOT-23-3 СКАХАТА DOSTISH 31-ADTA144VCAQ-13TR Ear99 8541.21.0075 10000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 10 33 @ 10ma, 5V 250 мг 47 Kohms 10 Kohms
DTA124XE3HZGTL Rohm Semiconductor DTA124XE3HZGTL 0,4100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-75, SOT-416 DTA124 150 м Emt3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-DTA124XE3HZGTLCT Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 10 68 @ 5ma, 5 В 250 мг 22 Kohms 47 Kohms
PDTC143EMB,315 Nexperia USA Inc. PDTC143EMB, 315 0,2800
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 3-xfdfn PDTC143 250 м DFN1006B-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 50 100 май 1 мка Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 150 мв 500 мк, 10 30 @ 10ma, 5 В 230 мг 4.7 Kohms 4.7 Kohms
RFP2NO8L Harris Corporation RFP2NO8L 0,2300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8542.39.0001 1
2SB1399-E Renesas Electronics America Inc 2SB1399-E -
RFQ
 ECAD 7507 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 96
MPS2907A-BP Micro Commercial Co MPS2907A-BP -
RFQ
 ECAD 2040 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) MPS2907 625 м Создание 92 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 353-MPS2907A-BP Ear99 8541.21.0075 1000 60 600 май 50NA Pnp 600 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 150 май, 10 В 200 мг
2N5151 Microchip Technology 2N5151 26.0015
RFQ
 ECAD 7813 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА MIL-PRF-19500/545 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 2N5151 1 Вт Не 39 СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 80 2 а 50 мк Pnp 1,5 Е @ 500 мА, 5A 30 @ 2,5a, 5в -
PBRN123YT-QR Nexperia USA Inc. PBRN123YT-QR 0,0687
RFQ
 ECAD 7297 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PBRN123 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1727-PBRN123YT-QRTR Ear99 8541.21.0095 3000 40 600 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 1,15 В @ 8MA, 800 мая 500 @ 600 май, 5в 2.2 Ком 10 Kohms
JAN2N1489 Microsemi Corporation Jan2n1489 -
RFQ
 ECAD 3559 0,00000000 Microsemi Corporation ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/208 МАССА Управо 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 75 Вт TO-33 (DO 204AA) - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 40 6 а 25 мк (ICBO) Npn 3V @ 300 май, 1,5а 25 @ 1,5A, 4 В -
MMBT3906 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd MMBT3906 0,1000
RFQ
 ECAD 9516 0,00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 3000 40 200 май 50NA Pnp 400 мВ @ 5ma, 50 ма 100 @ 10ma, 1в 250 мг
FJV92MTF onsemi FJV92MTF -
RFQ
 ECAD 4297 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо - Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 FJV92 SOT-23-3 СКАХАТА DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 350 500 май 250NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 2ma, 20 мая 40 @ 10ma, 10 В 50 мг
BCX6916E6327HTSA1 Infineon Technologies BCX6916E6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 8143 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 243а BCX69 3 Вт PG-SOT89 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 20 1 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 100ma, 1a 100 @ 500 май, 1в 100 мг
JANS2N5416UA/TR Microchip Technology Jans2n5416ua/tr -
RFQ
 ECAD 1395 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/485 Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA 750 м UA - Rohs3 DOSTISH 150-jans2n5416ua/tr Ear99 8541.21.0095 1 300 1 а 1MA Pnp 2V @ 5ma, 50 мая 30 @ 50 мА, 10 В -
JANTX2N2369A Microchip Technology Jantx2n2369a 4.6200
RFQ
 ECAD 49 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/117 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 206aa, 18-3 Металлана Банканка 2N2369 360 м 18-18 (ДО 206AA) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 15 400NA Npn 450 мВ @ 10ma, 100 мая 20 @ 100ma, 1в -
ZTX749A_J61Z onsemi Ztx749a_j61z -
RFQ
 ECAD 3757 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА ZTX749 1 Вт ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 35 2 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ 200 май, 2а 100 @ 1a, 2v 100 мг
CZT2222A TR PBFREE Central Semiconductor Corp CZT2222A TR PBFREE 0,9900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA CZT2222 2 Вт SOT-223 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 40 600 май 10NA (ICBO) Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 300 мг
BC307B Fairchild Semiconductor BC307B 0,0400
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 5000 45 100 май 15NA Pnp 300 мВ 500 мк, 10 180 @ 2ma, 5 130 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть