SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
MUN2132T1G onsemi MUN2132T1G 0,0386
RFQ
 ECAD 1480 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MUN2132 230 м SC-59 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 250 мВ @ 1MA, 10MA 15 @ 5ma, 10 В 4.7 Kohms 4.7 Kohms
FMMT5240-TP Micro Commercial Co FMMT5240-TP 0,1224
RFQ
 ECAD 6315 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT5240 300 м SOT-23 СКАХАТА 353-FMMT5240-TP Ear99 8541.21.0075 1 40 2 а 100NA (ICBO) Pnp 350 мВ 200 май, 2а 300 @ 100ma, 2v 100 мг
BC68-25PAS115 NXP USA Inc. BC68-25PAS115 -
RFQ
 ECAD 5817 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 3000
BCP56-16T,115 Nexperia USA Inc. BCP56-16T, 115 -
RFQ
 ECAD 2023 0,00000000 Nexperia USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан 1
DTC124ECAT116 Rohm Semiconductor DTC124ECAT116 0,2800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC124 200 м SST3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 56 @ 5ma, 5V 250 мг 22 Kohms 22 Kohms
KSB906YTU onsemi KSB906YTU -
RFQ
 ECAD 9044 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА KSB906 1 Вт I-pak СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5040 60 3 а 100 мк (ICBO) Pnp 1,7 - @ 300 май, 3а 100 @ 500 май, 5в 9 мг
MPSA18 PBFREE Central Semiconductor Corp MPSA18 Pbfree 0,9600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) MPSA18 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2500 45 200 май 50na (ICBO) Npn 300 мВ @ 5ma, 50 мая 500 @ 10ma, 5 В 100 мг
BC847BW/DG,115 NXP USA Inc. BC847BW/DG, 115 0,0200
RFQ
 ECAD 21 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 15 000
BCM857BS,135 NXP USA Inc. BCM857BS, 135 -
RFQ
 ECAD 8140 0,00000000 NXP USA Inc. - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 BCM857 300 м SOT-363 СКАХАТА Ear99 8541.21.0075 1 45 100 май 15NA (ICBO) 2 pnp (дВОНСКА) 400 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 175 мг
PDTC144ET-QVL Nexperia USA Inc. PDTC144ET-QVL 0,0254
RFQ
 ECAD 7623 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC144 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1727-PDTC144ET-QVLTR Ear99 8541.21.0075 10000 50 100 май 1 мка Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 150 мв 500 мк, 10 80 @ 5ma, 5в 230 мг 47 Kohms 47 Kohms
2N5884 NTE Electronics, Inc 2N5884 4.0800
RFQ
 ECAD 7549 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 200 th № 204 года (3). СКАХАТА Rohs3 2368-2N5884 Ear99 8541.29.0095 1 80 25 а 2MA Pnp 4V @ 6,25A, 25a 20 @ 10a, 4v 4 мг
BC856W-QF Nexperia USA Inc. BC856W-QF 0,0252
RFQ
 ECAD 5002 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC856 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 1727-BC856W-Qftr Ear99 8541.21.0095 10000 65 100 май 15NA (ICBO) Pnp 600 мВ @ 5ma, 100 мая 125 @ 2ma, 5V 100 мг
MT3S111TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111TU, LF 0,5800
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, Плоскин С.С. MT3S111 800 м UFM СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 12,5db 6в 100 май Npn 200 @ 30ma, 5 В 10 -е 0,6 дБ ~ 0,85 дебр.
SS8550-LQ Yangjie Technology SS8550-LQ 0,0320
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-SS8550-LQTR Ear99 3000
DTC143E onsemi DTC143E 0,0200
RFQ
 ECAD 67 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен DTC143 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1
FJV3110RMTF onsemi FJV3110RMTF -
RFQ
 ECAD 1236 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 FJV311 200 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 40 100 май 100NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ @ 1MA, 10MA 100 @ 1MA, 5 В 250 мг 10 Kohms
PUMD16-QX Nexperia USA Inc. PUMD16-QX 0,0544
RFQ
 ECAD 3609 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 PUMD16 300 м 6-tssop - Rohs3 DOSTISH 1727-PUMD16-QXTR Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 1 мка 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 150 мв 500 мк, 10 80 @ 5ma, 5в - 22khh 47komm
BC859A Diotec Semiconductor BC859A 0,0182
RFQ
 ECAD 4559 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-BC859ATR 8541.21.0000 3000 30 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 125 @ 2ma, 5V 100 мг
TIP30B Harris Corporation TIP30B 0,3200
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 2 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 80 1 а 300 мк Pnp 700 мВ @ 125ma, 1a 40 @ 200 май, 4 В 3 мг
2SA2142(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2142 (TE16L1, NQ) 0,9700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 1 Вт PW-Mold СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 2000 600 500 май 10 мк (ICBO) Pnp 1- @ 10 май, 100 мая 100 @ 50ma, 5 В 35 мг
DRA3114E0L Panasonic Electronic Components DRA3114E0L -
RFQ
 ECAD 6029 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер SOT-723 DRA3114 100 м SSSMINI3-F2-B - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 10000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 250 мВ @ 500 мк, 10 мая 35 @ 5ma, 10 В 10 Kohms 10 Kohms
PDTD143EU135 NXP USA Inc. PDTD143EU135 0,0300
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 10000
BC807-25/6235 NXP USA Inc. BC807-25/6235 0,0200
RFQ
 ECAD 370 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 10000
DDTC114GUA-7-F Diodes Incorporated DDTC114GUA-7-F 0,0435
RFQ
 ECAD 2982 0,00000000 Дидж Ddtc (serkipymymypolgoco r2) ua Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 DDTC114 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH DDTC114GUA-FDITR Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 30 @ 5ma, 5в 250 мг 10 Kohms
2SC4440 onsemi 2SC4440 -
RFQ
 ECAD 1036 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1
KSD880OPATU onsemi KSD880Opatu -
RFQ
 ECAD 6476 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 KSD880 30 st 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 60 3 а 100 мк (ICBO) Npn 1V @ 300 май, 3а 60 @ 500 май, 5в 3 мг
D44H11 Fairchild Semiconductor D44H11 -
RFQ
 ECAD 6175 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 2 Вт 220-3 СКАХАТА Rohs Ear99 8541.29.0075 50 80 10 а 10 мк Npn 1v @ 400 май, 8a 60 @ 2a, 1v 50 мг
BC807K-16,235 Nexperia USA Inc. BC807K-16,235 1.0000
RFQ
 ECAD 8550 0,00000000 Nexperia USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА 0000.00.0000 1
MMBT3904L-UA RFG Taiwan Semiconductor Corporation MMBT3904L-UA RFG -
RFQ
 ECAD 4856 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 300 м SOT-23 - 1801-MMBT3904L-UARFG Управо 1 40 200 май 50NA Npn 300 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 10ma, 1в 250 мг
KST43MTF Fairchild Semiconductor KST43MTF 0,0400
RFQ
 ECAD 6639 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 350 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 6000 200 500 май 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 2ma, 20 мая 40 @ 30ma, 10 В 50 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть