SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Ток - коллекционер (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)
NTE285MP NTE Electronics, Inc NTE285MP 55 6200
RFQ
 ECAD 8603 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 150 Вт По 3 СКАХАТА Rohs 2368-NTE285MP Ear99 8541.29.0095 1 180 16 а 100 мк (ICBO) Pnp 3v @ 1a, 10a 70 @ 2a, 5v 6 мг
BC560_J35Z onsemi BC560_J35Z -
RFQ
 ECAD 3554 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC560 500 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 45 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 110 @ 2ma, 5 В 150 мг
BC182LB Fairchild Semiconductor BC182LB 0,0400
RFQ
 ECAD 9690 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 350 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 5582 50 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 40 @ 10 мк, 5в 150 мг
BC817-16W-QX Nexperia USA Inc. BC817-16W-QX 0,0392
RFQ
 ECAD 9508 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC817 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1727-BC817-16W-QXTR Ear99 8541.21.0095 3000 45 500 май 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 1в 100 мг
BC337-40 A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC337-40 A1 -
RFQ
 ECAD 3711 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 625 м Создание 92 СКАХАТА DOSTISH 1801-BC337-40A1TB Управо 1 45 800 млн 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 250 @ 100ma, 5 В 100 мг
PMEM4020AND,115 NXP USA Inc. PMEM4020 и 115 -
RFQ
 ECAD 9664 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SC-74, SOT-457 PMEM4 600 м SC-74 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 40 950 май 100NA Npn + diod (иолировананн) 400 мВ 200 май, 2а 300 @ 500 май, 5в 150 мг
JANTX2N5664 Microchip Technology Jantx2n5664 18.4870
RFQ
 ECAD 7244 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/455 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO 213AA, DO 66-2 2N5664 2,5 TO-66 (DO 213AA) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 200 5 а 200NA Npn 1v @ 1a, 5a 40 @ 1a, 5в -
2N5416L Microchip Technology 2N5416L 14.9100
RFQ
 ECAD 4240 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 750 м По 5 - DOSTISH 150-2N5416L Ear99 8541.21.0095 1 300 1 а 1MA Pnp 2V @ 5ma, 50 мая 30 @ 50 мА, 10 В -
2SB1530C-E Renesas Electronics America Inc 2SB1530C-E 2.8200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1
PUMH11-QX Nexperia USA Inc. Pumh11-qx 0,0544
RFQ
 ECAD 6722 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 PUM11 200 м 6-tssop СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1727-Pumh11-qxtr Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 1 мка 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 150 мв 500 мк, 10 30 @ 5ma, 5в 230 мг 10 Комов 10 Комов
KSA708CYTA Fairchild Semiconductor KSA708Cyta 1.0000
RFQ
 ECAD 9799 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 800 м ДО 92-3 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 60 700 млн 100NA (ICBO) Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 120 @ 500 май, 2 В 50 мг
PDTA124EQCZ Nexperia USA Inc. PDTA124EQCZ 0,2700
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o PDTA124 360 м DFN1412D-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 5000 50 100 май 100NA Pnp - prervariotelno-cmepts 100 мВ @ 500 мк, 10 мая 60 @ 5ma, 5 В 180 мг 22 Kohms 22 Kohms
KSD1692YS onsemi KSD1692YS 0,8200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 OnSemi - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 KSD1692 1,3 126-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 100 3 а 10 мк (ICBO) Npn - дарлино 1,2- прри 1,5 май, 1,5а 4000 @ 1.5a, 2v -
TIP34A-S Bourns Inc. TIP34A-S -
RFQ
 ECAD 4969 0,00000000 Bourns Inc. - Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 218-3 TIP34 3,5 SOT-93 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 300 60 10 а 700 мк Pnp 4 В @ 2,5A, 10A 20 @ 3A, 4V -
PMBT3946YPN/ZL115 NXP USA Inc. PMBT3946YPN/ZL115 -
RFQ
 ECAD 1389 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 3000
DTD713ZMT2L Rohm Semiconductor DTD713ZMT2L 0,3700
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SOT-723 DTD713 150 м VMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 8000 30 200 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 2,5 май, 50 140 @ 100ma, 2v 260 мг 1 kohms 10 Kohms
BSS64AT116 Rohm Semiconductor BSS64AT116 0,3500
RFQ
 ECAD 401 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS64 200 м SST3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 100 100 май 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 10ma, 100 мА 30 @ 25ma, 1в 140 мг
BC848BW Diotec Semiconductor BC848BW 0,0317
RFQ
 ECAD 3432 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2796-BC848BWTR 8541.21.0000 3000 30 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 100 мг
FJN3301RTA Fairchild Semiconductor FJN3301RTA -
RFQ
 ECAD 8909 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА FJN330 300 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 50 100 май 100NA (ICBO) Npn 300 мВ 500 мк, 10 20 @ 10ma, 5 В 250 мг
JANTXV2N3439P Microchip Technology Jantxv2n3439p 21.7987
RFQ
 ECAD 3781 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/368 МАССА Актифен -55 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 800 м TO-39 (DO 205 g.) - DOSTISH 150 Jantxv2n3439p 1 350 1 а 2 мка Npn 500 мВ @ 4ma, 50 мая 40 @ 20 май, 10 В -
ZX5T1951GTA Diodes Incorporated ZX5T1951GTA 0,6000
RFQ
 ECAD 280 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA ZX5T1951 1,6 SOT-223-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 60 6 а 50NA Pnp 260 мВ @ 500 май, 5а 100 @ 2a, 2v 120 мг
BF820W,115 Nexperia USA Inc. BF820W, 115 0,3700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BF820 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 300 50 май 10NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 30 ма 50 @ 25ma, 20 60 мг
2SC3975 Panasonic Electronic Components 2SC3975 -
RFQ
 ECAD 2056 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ТОП-3F 2SC397 3 Вт TOP-3F-A1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 40 500 10 а 100 мк (ICBO) Npn 1v @ 1,2a, 6a 8 @ 6a, 5v 20 мг
MPQ3467 PBFREE Central Semiconductor Corp MPQ3467 PBFREE -
RFQ
 ECAD 3988 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Трубка Управо - Чereз dыru 14-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) MPQ3467 3W Дол-116 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 25 40 - 200NA (ICBO) 4 PNP (квадрат) - - 125 мг
JANKCC2N3499 Microchip Technology Jankcc2n3499 15.8403
RFQ
 ECAD 2626 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/366 Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) - Rohs3 DOSTISH 150-jankcc2n3499 Ear99 8541.29.0095 1 100 500 май 10 мк (ICBO) Npn 600 мВ @ 30 май, 300 мая 100 @ 150 май, 10 В -
BC857CW-QF Nexperia USA Inc. BC857CW-QF 0,0252
RFQ
 ECAD 4228 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC857 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 1727-BC857CW-QFTR Ear99 8541.21.0095 10000 45 100 май 15NA (ICBO) Pnp 600 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 100 мг
2N6292 NTE Electronics, Inc 2N6292 1.3500
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 40 ДО-220 СКАХАТА Rohs3 2368-2N6292 Ear99 8541.29.0095 1 70 7 а 1MA Npn 3,5 - @ 3a, 7a 30 @ 2a, 4v 4 мг
UMA2NTR Rohm Semiconductor UMA2NTR 0,0992
RFQ
 ECAD 1137 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UMA2 150 м UMT5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 мВ 500 мк, 10 68 @ 5ma, 5 В 250 мг 47komm 47komm
NTE261 NTE Electronics, Inc NTE261 2.6600
RFQ
 ECAD 147 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 2 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE261 Ear99 8541.29.0095 1 100 5 а 500 мк Npn - дарлино 4 В @ 20 май, 5А 1000 @ 3a, 3v -
SMMBTA14LT1G onsemi SMMBTA14LT1G 0,4400
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 SMMBTA14 225 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 300 май 100NA (ICBO) Npn - дарлино 1,5 -прри 100 мк, 100 май 20000 @ 100ma, 5 В 125 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть