SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Ток - коллекционер (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
KSD471ACGTA Fairchild Semiconductor KSD471ACGTA 0,0600
RFQ
 ECAD 121 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 800 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 30 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 100ma, 1a 200 @ 100ma, 1v 130 мг
CTLM1034-M832D TR Central Semiconductor Corp CTLM1034-M832D Tr -
RFQ
 ECAD 4385 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-tdfn oftkrыtaiNavaIn-o 1,65 Вт TLM832D СКАХАТА 1514-CTLM1034-M832DTR Ear99 8541.29.0095 1 25 В 1 а 100NA (ICBO) Npn + diod (иолировананн) 450 мВ @ 100ma, 1a 100 @ 500 май, 1в 100 мг
SN75468N-A Texas Instruments SN75468N-A -
RFQ
 ECAD 2192 0,00000000 Тел SN7546X МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SN75468 - 16-pdip - Rohs3 296-SN75468N-A 1 100 500 май - - 1,6 В 500 мк, 350 мая - -
MPQ3904 PBFREE Central Semiconductor Corp MPQ3904 PBFREE 3.7259
RFQ
 ECAD 6378 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Трубка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 14-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) MPQ3904 500 м Дол-116 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 25 40 200 май 50na (ICBO) 4 npn (квадрат) 200 мВ @ 1ma, 10ma 75 @ 10ma, 1v 250 мг
2N6425 Microchip Technology 2N6425 27.0655
RFQ
 ECAD 9347 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен - Чereз dыru DO 213AA, DO 66-2 20 Вт TO-66 (DO 213AA) - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 300 1 а - Pnp - - -
CP307V-2N5308-WN Central Semiconductor Corp CP307V-2N5308-WN -
RFQ
 ECAD 1801 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Умират Умират СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 1514-CP307V-2N5308-WN Управо 0000.00.0000 1 40 300 май 100NA (ICBO) Npn - дарлино 1,4 - @ 200 мк, 200 мая 7000 @ 2ma, 5 В 60 мг
BC846ASQ-7-F Diodes Incorporated BC846ASQ-7-F 0,3900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 BC846 200 м SOT-363 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 65 100 май 15NA 2 npn (дВОХАНЕй) 600 мВ @ 5ma, 100 мая 110 @ 2ma, 5 100 мг
BD441 STMicroelectronics BD441 -
RFQ
 ECAD 8757 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 BD441 36 Вт SOT-32 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-12140 Ear99 8541.29.0095 50 80 4 а 100 мк Npn 800 мВ @ 200 май, 2а 40 @ 500 май, 1в -
2N6308 Microchip Technology 2N6308 53 4394
RFQ
 ECAD 8132 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru TO-204AA, TO-3 2N6308 125 Вт До 204 года. (DO-3) СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 350 8 а 50 мк Npn 5 w @ 2,67a, 8a 12 @ 3A, 5V -
ZX5T955GTC Diodes Incorporated ZX5T955GTC -
RFQ
 ECAD 2141 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA ZX5T955 3 Вт SOT-223-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 4000 140 4 а 20NA (ICBO) Pnp 360 мВ @ 300 май, 3а 100 @ 1a, 5в 120 мг
BC857CWQ Yangjie Technology BC857CWQ 0,0280
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен BC857 - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-BC857CWQTR Ear99 3000
2SC2331-AZ Renesas Electronics America Inc 2SC2331-AZ 1.0200
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0075 1
PDTC123JK115 Philips PDTC123JK115 0,0200
RFQ
 ECAD 216 0,00000000 Филипс * МАССА Актифен PDTC123 СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0095 3000
DTB143ECHZGT116 Rohm Semiconductor Dtb143echzgt116 0,2700
RFQ
 ECAD 255 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DTB143 200 м SST3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 500 май - Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 2,5 май, 50 47 @ 50ma, 5 В 200 мг 4.7 Kohms 4.7 Kohms
D44C6 Harris Corporation D44C6 -
RFQ
 ECAD 6095 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 30 st ДО-220 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 362 45 4 а 10 мк Npn 500 мВ @ 50ma, 1a 40 @ 200 май, 1в 50 мг
DCX122TU-7-F Diodes Incorporated DCX122TU-7-F -
RFQ
 ECAD 5996 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 DCX122 200 м SOT-363 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май - 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 100 @ 1MA, 5 В 200 мг 220 ОМ -
MPSW56RLRPG onsemi MPSW56RRPG -
RFQ
 ECAD 8213 0,00000000 OnSemi - Веса Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА MPSW56 1 Вт TO-92 (DO 226) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 80 500 май 500NA Pnp 500 мВ @ 10ma, 250 50 @ 250 май, 1в 50 мг
2SC4617E3HZGTLQ Rohm Semiconductor 2SC4617E3HZGTLQ 0,3900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-75, SOT-416 2SC4617 150 м Emt3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 150 май 100NA (ICBO) Pnp 400 мВ @ 5ma, 50 ма 120 @ 1MA, 6V 180 мг
PN3563_D26Z onsemi PN3563_D26Z -
RFQ
 ECAD 6640 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА PN356 350 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 14 ДБ ~ 26 ДБ 15 50 май Npn 20 @ 8ma, 10 В 1,5 -е -
ZXTN2010ASTZ Diodes Incorporated Zxtn2010astz 0,9500
RFQ
 ECAD 7809 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru E-Line-3 ZXTN2010 710 м Электронная линия (до 92 года СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 60 4,5 а 100NA Npn 210 мВ @ 200 май, 5а 100 @ 2a, 1v 130 мг
BC846A,215 NXP USA Inc. BC846A, 215 -
RFQ
 ECAD 2728 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен BC84 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000
STN9360 STMicroelectronics STN9360 1.0300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA STN9360 1,6 SOT-223 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 600 500 май 10 мк Pnp 500 мВ @ 10ma, 100 мая 120 @ 20 май, 5в -
KSH2955TF Fairchild Semiconductor KSH2955TF 0,1900
RFQ
 ECAD 83 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 1,75 Вт D-PAK СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-ksh2955tf-600039 1 60 10 а 50 мк Pnp 8 В @ 3,3а, 10А 20 @ 4a, 4v 2 мг
BC489RL1 onsemi BC489RL1 -
RFQ
 ECAD 7197 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА BC489 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 80 500 май 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 100ma, 1a 60 @ 100ma, 2v 200 мг
JAN2N5013 Microsemi Corporation Jan2n5013 -
RFQ
 ECAD 4239 0,00000000 Microsemi Corporation ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/727 МАССА Управо -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 1 Вт По 5 - Rohs Neprigodnnый Ear99 8541.29.0095 1 800 В 200 май 10NA (ICBO) Npn 30 @ 20 май, 10 В -
DTC143TET1G Rochester Electronics, LLC DTC143TET1G -
RFQ
 ECAD 4673 0,00000000 Rochester Electronics, LLC * МАССА Актифен - Rohs Продан 2156-DTC143TET1G-2156 1
DDTC124GKA-7-F Diodes Incorporated DDTC124GKA-7-F -
RFQ
 ECAD 7774 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC124 200 м SC-59-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 56 @ 5ma, 5V 250 мг 22 Kohms
CA3250F Harris Corporation CA3250F 0,9100
RFQ
 ECAD 656 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN - МАССА Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Чereз dыru 18-CDIP (0,300 ", 7,62 ММ) CA3250 750 м 18-Cerdip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0095 1 16 100 май 10 мк 8 NPN 800 мВ @ 5ma, 50 ма 40 @ 50ma, 3v -
TIP111TU Fairchild Semiconductor TIP111TU 1.0000
RFQ
 ECAD 7369 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 2 Вт 220-3 СКАХАТА Ear99 8541.29.0095 1 80 2 а 2MA Npn - дарлино 2,5 - @ 8ma, 2a 1000 @ 1a, 4v -
MMBTA06 Diotec Semiconductor MMBTA06 0,0491
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2796-MMBTA06TR 8541.21.0000 3000 80 500 май 100NA (ICBO) Npn 250 мВ @ 10ma, 100 мая 100 @ 100ma, 1в 100 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть