RFQ
Категория
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-components.com

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Nomerprodookta	ЦEnы (DOLLARR)	Колист	Колист	Млн	В припании	Упако	Степень Продукта	Rraboч -yemperatura	МОНТАНАНГИП	PakeT / KORPUES	Baзowый nomer prodikta	Синла - МАКС	ПАКЕТИВАЕТСЯ	Техниль	Статус Ройс	Вернояж	Доусейн Статуса	Дрогин ИНЕНА	Eccn	Htsus	Станодадж	Прирост	Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks	Ток - коллекционер (IC) (MMAKS)	Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS)	Это	Vce saturation (max) @ ib, ic	DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce	ASTOTA - PRERESHOD	Rerзystor - baзa (r1)	Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)	ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
TN6727A	-	RFQ	3177	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)		1 Вт	226-3	-	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0095	1		40	1,5 а	100NA (ICBO)	Pnp	500 мВ @ 100ma, 1a	50 @ 1a, 1v	-
PBSS4350D, 135	0,4000	RFQ	10	Nexperia USA Inc.	Автомобиль, AEC-Q100	Lenta и катахка (tr)	Актифен	150 ° C (TJ)	Пефер	SC-74, SOT-457	PBSS4350	750 м	6-й стоп	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0075	10000		50	3 а	100NA (ICBO)	Npn	290 мВ @ 200 май, 2а	100 @ 2a, 2v	100 мг
BC846BSHF	-	RFQ	8903	Nexperia USA Inc.	-	МАССА	Управо	175 ° C (TJ)	Пефер	6-tssop, SC-88, SOT-363	BC846	270 м	6-tssop	СКАХАТА	Rohs3	3 (168 чASOW)		1727-BC846BSHF	Управо		1		65	100 май	15NA (ICBO)	2 npn (дВОХАНЕй)	300 мВ @ 5ma, 100 мая	200 @ 2MA, 5V	100 мг
KSC945LTA	0,0200	RFQ	22	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	150 ° C (TJ)	Чereз dыru	ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА		250 м	ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.21.0075	15 000		50	150 май	100NA (ICBO)	Npn	300 мВ @ 10ma, 100 мА	350 @ 1MA, 6V	300 мг
KTC3875-GR-TP	0,0498	RFQ	2724	МИКРОМЕР СО	-	МАССА	Актифен	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3	KTC3875	150 м	SOT-23	СКАХАТА				353-KTC3875-GR-TP	Ear99	8541.21.0095	1		50	150 май	100NA (ICBO)	Npn	250 мВ @ 10ma, 100 мая	120 @ 2MA, 6V	80 мг
2n760a	30.5700	RFQ	9898	ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА	*	МАССА	Актифен							-			DOSTISH	150-2N760A			1
BC857AW-AU_R1_000A1	0,0216	RFQ	5316	Panjit International Inc.	Автомобиль, AEC-Q101	Lenta и катахка (tr)	Актифен	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	SC-70, SOT-323	BC857	250 м	SOT-323	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0075	120 000		45	100 май	15NA (ICBO)	Pnp	650 мВ @ 5ma, 100 мая	110 @ 2ma, 5	200 мг
Fjn3305rta	1.0000	RFQ	2055	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		Чereз dыru	ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА	FJN330	300 м	ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	0000.00.0000	1		50	100 май	100NA (ICBO)	Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen	300 мВ 500 мк, 10	30 @ 5ma, 5в	250 мг	4.7 Kohms	10 Kohms
KSC839CYTA	-	RFQ	9199	OnSemi	-	Lenta и коробка (TB)	Управо	150 ° C (TJ)	Чereз dыru	ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА	KSC839	250 м	ДО 92-3	СКАХАТА		1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0075	2000		30	100 май	100NA (ICBO)	Npn	400 мВ @ 1MA, 10MA	120 @ 2ma, 12	200 мг
BC848CE6433HTMA1	0,0418	RFQ	6106	Infineon Technologies	-	Lenta и катахка (tr)	Прохл	150 ° C (TJ)	Пефер	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3	BC848	330 м	PG-SOT23	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0075	10000		30	100 май	15NA (ICBO)	Npn	600 мВ @ 5ma, 100 мая	420 @ 2MA, 5V	250 мг
KSP8098TF	-	RFQ	9614	OnSemi	-	Lenta и катахка (tr)	Управо	150 ° C (TJ)	Чereз dыru	ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА	KSP80	625 м	ДО 92-3	СКАХАТА		1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0075	2000		60	500 май	100NA	Npn	300 мВ @ 10ma, 100 мА	100 @ 1MA, 5 В	150 мг
DTC123JM3T5G	0,3600	RFQ	13	OnSemi	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен		Пефер	SOT-723	DTC123	260 м	SOT-723	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0095	8000		50	100 май	500NA	Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen	250 мВ @ 1MA, 10MA	80 @ 5ma, 10 В		2.2 Ком	47 Kohms
2SC5507-T2-A	0,1700	RFQ	37	Renesas Electronics America Inc	*	МАССА	Актифен							СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	Продан		Ear99	8541.21.0075	3000
2C5681	9.6300	RFQ	1140	ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА	*	МАССА	Актифен							-			DOSTISH	150-2C5681			1
2301	-	RFQ	2668	Microsemi Corporation	-	МАССА	Управо	200 ° C (TJ)	ШASCI	55bt		5,6 Вт	55bt	СКАХАТА	Rohs	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Управо	0000.00.0000	1	8 дБ	45	300 май		Npn		10 @ 100ma, 5 В	2,3 -е			-
Jansl2n3810u/tr	342.8814	RFQ	9123	ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА	ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/336	Lenta и катахка (tr)	Актифен	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Пефер	6-SMD, neTLIDERSTVA	2N3810	350 м	6-SMD	-	Rohs3		DOSTISH	150-jansl2n3810u/tr	Ear99	8541.21.0095	1		60	50 май	10 мк (ICBO)	2 PNP (DVOйNOй)	250 м. Прри 100 мк, 1 мая	150 @ 1MA, 5V	-
KSC945CGTA	1.0000	RFQ	5307	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	150 ° C (TJ)	Чereз dыru	ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА		250 м	ДО 92-3	СКАХАТА					Ear99	8541.21.0075	1		50	150 май	100NA (ICBO)	Npn	300 мВ @ 10ma, 100 мА	200 @ 1MA, 6V	300 мг
MMBT1015-L-TP	0,0715	RFQ	5627	МИКРОМЕР СО	-	МАССА	Актифен	-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Пефер	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT1015	250 м	SOT-23	СКАХАТА				353-MMBT1015-L-TP	Ear99	8541.21.0095	1		50	150 май	100NA (ICBO)	Pnp	300 мВ @ 10ma, 100 мА	70 @ 2ma, 6V	80 мг
BC33725TF	0,0400	RFQ	9351	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	150 ° C (TJ)	Чereз dыru	ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА		625 м	ДО 92-3	СКАХАТА					Ear99	8541.21.0075	7,251		45	800 млн	100NA	Npn	700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA	160 @ 100ma, 1v	100 мг
2SAR375P5T100R	0,6600	RFQ	9	ROHM Semiconductor	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	150 ° C (TJ)	Пефер	243а	2SAR375	500 м	MPT3	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0075	1000		120	1,5 а	1 мка (ICBO)	Pnp	320 мВ @ 80 май, 800 мая	120 @ 200 май, 5в	280 мг
BC56-10PA-QX	0,4200	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	Автомобиль, AEC-Q101	Lenta и катахка (tr)	Актифен	150 ° C (TJ)	Пефер	3-Powerfn		420 м	3-Huson (2x2)	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0095	3000		80	1 а	100NA (ICBO)	Npn	500 мВ @ 50 май, 500 матов	63 @ 150ma, 2v	180 мг
2SA1020-Y (6MBH1, AF	-	RFQ	3365	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	МАССА	Управо	150 ° C (TJ)	Чereз dыru	226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА	2SA1020	900 м	TO-92MOD	СКАХАТА		1 (neograniчennnый)			Ear99	8541.21.0075	1		50	2 а	1 мка (ICBO)	Pnp	500 мВ @ 50ma, 1a	70 @ 500ma, 2V	100 мг
DTC143ZU3T106	0,2000	RFQ	25	ROHM Semiconductor	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен		Пефер	SC-70, SOT-323	DTC143	200 м	UMT3	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0075	3000			100 май	-	Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen	300 м.	80 @ 10ma, 5в	250 мг	4.7 Kohms	47 Kohms
Pumh10-qx	0,0473	RFQ	3934	Nexperia USA Inc.	Автомобиль, AEC-Q101	Lenta и катахка (tr)	Актифен		Пефер	6-tssop, SC-88, SOT-363	PUM10	200 м	6-tssop	СКАХАТА	Rohs3		DOSTISH	1727-pumh10-Qxtr	Ear99	8541.21.0095	3000		50	100 май	100NA	2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй)	100 мВ @ 250 мк, 5 мая	100 @ 10ma, 5 В	230 мг	2,2KOM	47komm
RN2910FE, LXHF (Ct	0,3800	RFQ	8	Toshiba semiconductor и хraneneee	Автомобиль, AEC-Q101	Lenta и катахка (tr)	Актифен		Пефер	SOT-563, SOT-666	RN2910	100 м	ES6	СКАХАТА		1 (neograniчennnый)			Ear99	8541.21.0095	4000		50	100 май	100NA (ICBO)	2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen	300 м.	120 @ 1MA, 5V	200 мг	4,7 КОМ	-
2SC4617-R	0,0180	RFQ	300	Yangjie Technology	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	SOT-523	2SC4617	150 м	SOT-523	-	ROHS COMPRINT		DOSTISH	4617-2SC4617-RTR	Ear99		3000		50	150 май	500NA (ICBO)	Npn	400 мВ @ 5ma, 50 ма	180 @ 1MA, 6V	180 мг
2SC3150L	-	RFQ	9537	САНО	*	МАССА	Управо							-	Rohs		Продан	2156-2SC3150L-600057			1
BCM857DS115	1.0000	RFQ	7787	NXP USA Inc.	-	МАССА	Актифен	150 ° C (TJ)	Пефер	SC-74, SOT-457	BCM857	380 м	6-й стоп	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0075	1		45	100 май	15NA (ICBO)	2 pnp (дВОНСКА)	400 мВ @ 5ma, 100 мая	200 @ 2MA, 5V	175 мг
RN1901, LXHF (Ct	0,3600	RFQ	2	Toshiba semiconductor и хraneneee	Автомобиль, AEC-Q101	Lenta и катахка (tr)	Актифен		Пефер	6-tssop, SC-88, SOT-363	RN1901	200 м	US6	СКАХАТА		1 (neograniчennnый)			Ear99	8541.21.0095	3000		50	100 май	500NA	2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй)	300 м.	30 @ 10ma, 5 В	250 мг	4,7 КОМ	4,7 КОМ
Umz1n-tp	0,1443	RFQ	9643	МИКРОМЕР СО	-	МАССА	Актифен	150 ° C (TJ)	Пефер	6-tssop, SC-88, SOT-363	Umz1	150 м	SOT-363	СКАХАТА				353-umz1n-tp	Ear99	8541.21.0075	1		50	150 май	100NA (ICBO)	NPN, Pnp	400 мВ @ 5ma, 50 ма	120 @ 1MA, 6V	180 мг.