SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Napraheneee - raзbiroka liwчastelelelelekelelelelelelelelelelelelelekelekelekelekelekelekelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)
MCH3106-TL-E onsemi MCH3106-TL-E -
RFQ
 ECAD 6451 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо - Пефер SC-70, SOT-323 MCH31 900 м 3-MCPH СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 12 3 а 100NA (ICBO) Pnp 165 мв 30 мам, 1,5а 200 @ 500 май, 2 В 280 мг
MUN5132DW1T1G onsemi MUN5132DW1T1G 0,0405
RFQ
 ECAD 3129 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 MUN5132 250 м SC-88/SC70-6/SOT-363 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 250 мВ @ 1MA, 10MA 15 @ 5ma, 10 В - 4,7 КОМ 4,7 КОМ
PDTC124XU,115 NXP USA Inc. PDTC124XU, 115 0,0200
RFQ
 ECAD 1735 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен PDTC12 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000
2N6211P Microchip Technology 2n6211p 49 9350
RFQ
 ECAD 2875 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -55 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO 213AA, DO 66-2 3 Вт TO-66 (DO 213AA) - DOSTISH 150-2N6211P Ear99 8541.29.0095 1 225 2 а 5 май Pnp 1,4 Е @ 125MA, 1A 30 @ 1a, 5v -
2SA950-Y-AP Micro Commercial Co 2SA950-Y-AP -
RFQ
 ECAD 1321 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 2SA950 600 м Создание 92 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 353-2SA950-Y-APTB Ear99 8541.21.0075 2000 30 800 млн 100NA (ICBO) Pnp 700 мВ @ 20 май, 500 мат 160 @ 100ma, 1v 120 мг
IMX5T108 Rohm Semiconductor IMX5T108 0,1434
RFQ
 ECAD 8919 0,00000000 ROHM Semiconductor * Lenta и катахка (tr) В аспекте Imx5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000
NTE397 NTE Electronics, Inc NTE397 3.5200
RFQ
 ECAD 43 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 10 st Не 39 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE397 Ear99 8541.29.0095 1 300 1 а 50 мк (ICBO) Pnp - 30 @ 50 мА, 10 В -
2DC4617S-7 Diodes Incorporated 2DC4617S-7 -
RFQ
 ECAD 2929 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-523 2DC4617 150 м SOT-523 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 150 май 100NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 5ma, 50 ма 270 @ 1MA, 6V 180 мг
2SC2688-AZ Renesas Electronics America Inc 2SC2688-AZ 0,3500
RFQ
 ECAD 69 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 854
DDTB113ZU-7-F Diodes Incorporated DDTB113ZU-7-F -
RFQ
 ECAD 1623 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-70, SOT-323 DDTB113 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 500 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 2,5 май, 50 56 @ 50ma, 5 В 200 мг 1 kohms 10 Kohms
FZT651QTA Diodes Incorporated FZT651QTA 0,7600
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA FZT651 3 Вт SOT-223-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 60 3 а 100NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 300 май, 3а 100 @ 500 май, 2 В 175 мг
BC847C Diotec Semiconductor BC847C 0,0182
RFQ
 ECAD 1809 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0000 3000 45 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 300 мг
NSBC114EPDP6T5G onsemi NSBC114EPDP6T5G 0,4000
RFQ
 ECAD 8179 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-963 NSBC114 339 м SOT-963 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 35 @ 5ma, 10 В - 10 Комов 10 Комов
PDTC114EU/DG/B3115 NXP USA Inc. PDTC114EU/DG/B3115 0,0200
RFQ
 ECAD 254 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 3000
NTE123A-100 NTE Electronics, Inc NTE123A-100 128.0000
RFQ
 ECAD 6518 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 206aa, 18-3 Металлана Банканка 1,2 Вт 18 СКАХАТА Rohs 2368-NTE123A-100 Ear99 8541.21.0095 1 40 800 млн 10NA Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 300 мг
NTE328 NTE Electronics, Inc NTE328 11,5000
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 200 th По 3 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE328 Ear99 8541.29.0095 1 120 25 а 50 мк Npn 1,8 В @ 2,5A, 25A 50 @ 500 май, 2 В 40 мг
TIP125TU Fairchild Semiconductor TIP125TU -
RFQ
 ECAD 1237 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 2 Вт 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 60 5 а 2MA PNP - ДАРЛИНГТОН 4 В @ 20 май, 5А 1000 @ 3a, 3v -
BC856BW-HF Comchip Technology BC856BW-HF 0,0517
RFQ
 ECAD 9250 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC856 150 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 641-BC856BW-HFTR Ear99 8541.21.0075 3000 65 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 220 @ 2MA, 5V 100 мг
TTD1409B,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TTD1409B, S4X 1,6000
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- TTD1409 2 Вт DO-220SIS СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 50 400 6 а 20 мк (ICBO) Npn - дарлино 2 w @ 40 май, 4a 600 @ 2a, 2v -
JANS2N2221UB Microchip Technology Jans2n2221UB 64,9404
RFQ
 ECAD 7716 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/469 МАССА Актифен - Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA Ub - DOSTISH 150-JANS2N2221UB 1 30 - Npn - 100 @ 150 май, 10 В 250 мг
JAN2N6989U/TR Microchip Technology Jan2n6989u/tr 57.8151
RFQ
 ECAD 4857 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/559 Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA 2N6989 1 Вт 6-SMD - Rohs3 DOSTISH 150-якова 26989U/tr Ear99 8541.29.0095 1 50 800 май 10NA (ICBO) 4 PNP (квадрат) 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В -
2N2904A Solid State Inc. 2n2904a 0,5000
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 Solid State Inc. - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 600 м Не 39 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-2n2904a Ear99 8541.10.0080 20 40 600 май 50NA Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 40 @ 150 май, 10 В 200 мг
TIP42CTU Fairchild Semiconductor TIP42CTU -
RFQ
 ECAD 4855 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 2 Вт 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 100 6 а 700 мк Pnp 1,5 h @ 600ma, 6a 30 @ 300 май, 4 В 3 мг
PBSS5240Y,115 NXP USA Inc. PBSS5240Y, 115 0,0700
RFQ
 ECAD 37 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен PBSS5 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000
2N2905AL Microchip Technology 2N2905AL -
RFQ
 ECAD 3131 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Пркрэно -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 800 м По 5 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 60 600 май 1 мка Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В -
BC807-40R13 Diotec Semiconductor BC807-40R13 0,0238
RFQ
 ECAD 6958 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 310 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-BC807-40R13TR 8541.21.0000 10000 45 800 млн 100NA (ICBO) Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 250 @ 100ma, 1v 100 мг
DXTP58100CFDB-7 Diodes Incorporated DXTP58100CFDB-7 0,4200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 3-udfn otkrыtaiNavaIn-o DXTP58100 690 м U-DFN2020-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 100 2 а 100NA Pnp 185mv @ 200ma, 2a 160 @ 500 май, 2 В 135 мг
ADTC114EUAQ-7 Diodes Incorporated ADTC114EUAQ-7 0,2100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 ADTC114 330 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май - Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen - 30 @ 5ma, 5в 250 мг 10 Kohms 10 Kohms
KSP42ATA onsemi KSP42ATA -
RFQ
 ECAD 8659 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо - Rohs3 DOSTISH Управо 1
2N3735L Microchip Technology 2N3735L 9.4563
RFQ
 ECAD 7233 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 2N3735 1 Вт По 5 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 40 1,5 а 10 мк (ICBO) Npn 900 мВ @ 100ma, 1a 20 @ 1a, 1,5 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть