SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Верный Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Прирост Napraheneee - raзbiroka liwчastelelelelekelelelelelelelelelelelelelekelekelekelekelekelekelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
DTA114ESA-AP Micro Commercial Co DTA114ESA-AP -
RFQ
 ECAD 8694 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru До-226-3, TO-92-3 COROTCOE-TOLO (SFORMIROWANNENE OTVERENINA) DTA114 300 м До 92-х Годо СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 353-DTA114ESA-APTB Ear99 8541.21.0075 2000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 10 30 @ 5ma, 5в 250 мг 10 Kohms 10 Kohms
DNLS320A-7 Diodes Incorporated DNLS320A-7 -
RFQ
 ECAD 8628 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DNLS320 600 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 20 2 а 100NA (ICBO) Npn 310MV @ 300MA, 3A 220 @ 1a, 2v 220 мг
BFP650 Infineon Technologies BFP650 -
RFQ
 ECAD 3416 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Управо - Пефер SC-82A, SOT-343 BFP650 500 м PG-SOT343-3d СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Q1648254 Ear99 8541.21.0075 1 10,5 дб ~ 21,5 дБ 4,5 В. 150 май Npn 110 @ 80ma, 3V 37 Гер 0,8 деб ~ 1,9 дбри При 1,8 гг ~ 6 герб
MPSH10 Fairchild Semiconductor MPSH10 0,0900
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 350 м СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 5000 - 25 В Npn 60 @ 4ma, 10 В 650 мг -
NJVMJD50T4G onsemi NJVMJD50T4G 0,7300
RFQ
 ECAD 1144 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 NJVMJD50 156 Вт Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 400 1 а 200 мк Npn 1V @ 200 мам, 1a 30 @ 300 май, 10 В 10 мг
ZXTP2009ZQTA Diodes Incorporated ZXTP2009ZQTA 0,9500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 243а Zxtp2009 900 м SOT-89-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1000 40 5,5 а 20NA Pnp 185mv @ 550 май, 5,5а 200 @ 500 май, 2 В 152 мг
JANTX2N6546 Microchip Technology Jantx2n6546 -
RFQ
 ECAD 7845 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/525 МАССА Пркрэно -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 175 Вт До 204AA (TO-3) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 300 15 а - Npn 5V @ 3a, 15a 12 @ 5a, 2v -
BC635,112 NXP USA Inc. BC635,112 -
RFQ
 ECAD 4195 0,00000000 NXP USA Inc. - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC63 830 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1000 45 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 63 @ 150ma, 2v 180 мг
MMUN2130LT1 onsemi Mmun2130lt1 -
RFQ
 ECAD 4518 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Mmun2130 246 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 250 мВ @ 5MA, 10 мА 3 @ 5ma, 10 В 1 kohms 1 kohms
KSP45TA onsemi KSP45TA -
RFQ
 ECAD 8867 0,00000000 OnSemi - Веса Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА KSP45 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 350 300 май 500NA Npn 750 мВ @ 5ma, 50 ма 50 @ 10ma, 10 В -
KST5087MTF onsemi KST5087MTF -
RFQ
 ECAD 2277 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо - Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 KST50 350 м SOT-23-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 50 май 50na (ICBO) Pnp 300 мВ @ 1MA, 10MA 250 @ 100 мк, 5в 40 мг
BC847BMB,315 NXP Semiconductors BC847BMB, 315 -
RFQ
 ECAD 7811 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-101, SOT-883 250 м DFN1006B-3 СКАХАТА 0000.00.0000 1 45 100 май 15NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 100 мг
PN3643_D27Z onsemi PN3643_D27Z -
RFQ
 ECAD 8866 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА PN364 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 30 500 май 50NA Npn 220 мВ @ 15 май, 150 мат 100 @ 150 май, 10 В -
MD8002 Central Semiconductor Corp MD8002 -
RFQ
 ECAD 3317 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо - Чereз dыru До 78-6 МЕТАЛЛИСКАСКА MD800 - 128-6 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1 50 30 май - 2 npn (дВОХАНЕй) - 100 @ 1MA, 10 260 мг
2SA1008-AZ Renesas Electronics America Inc 2SA1008-AZ 1.0500
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1
TIP120TU onsemi TIP120TU -
RFQ
 ECAD 6707 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 TIP120 2 Вт 220-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 60 5 а 500 мк Npn - дарлино 4 В @ 20 май, 5А 1000 @ 3a, 3v -
2N4900 Microchip Technology 2N4900 39.2749
RFQ
 ECAD 5891 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Актифен 2N4900 - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1
FJN4302RTA onsemi Fjn4302rta -
RFQ
 ECAD 6811 0,00000000 OnSemi - Веса Управо Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА FJN430 300 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 50 100 май 100NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 10 30 @ 5ma, 5в 200 мг 10 Kohms 10 Kohms
MPS751RLRPG onsemi MPS751RPG -
RFQ
 ECAD 9568 0,00000000 OnSemi - Веса Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА MPS751 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 60 2 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ 200 май, 2а 75 @ 1a, 2v 75 мг
PIMN31,115 NXP USA Inc. Pimn31,115 -
RFQ
 ECAD 2569 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен Pimn3 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000
PHD13005,127 WeEn Semiconductors PHD13005,127 0,6200
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Weenpoluprovodonnyki - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 PhD13 75 Вт ДО-220AB СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 50 400 4 а 100 мк Npn 1v @ 1a, 4a 10 @ 2a, 5v -
MMBT6589T1G onsemi MMBT6589T1G -
RFQ
 ECAD 9689 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MMBT6589 540 м 6-й стоп СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 1 а 100NA Pnp 650 мВ 200 май, 2а 100 @ 500 май, 2 В 100 мг
2SC5343-Y-AP Micro Commercial Co 2SC5343-Y-AP -
RFQ
 ECAD 9348 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 2SC5343 625 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 1000 50 150 май 100NA (ICBO) Npn 250 мВ @ 10ma, 100 мая 120 @ 2a, 6v 80 мг
KSD288W onsemi KSD288W -
RFQ
 ECAD 1454 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 KSD288 25 Вт 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 200 55 3 а 50 мк (ICBO) Npn 1V @ 100ma, 1a 40 @ 500 май, 5в -
JAN2N5154P Microchip Technology Jan2n5154p 19.2318
RFQ
 ECAD 9856 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/544 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) - DOSTISH 150-якова 25154p Ear99 8541.29.0095 1 80 2 а 50 мк Npn 1,5 Е @ 500 мА, 5A 70 @ 2,5A, 5 В -
JANTXV2N5152U3 Microchip Technology Jantxv2n5152u3 92.7675
RFQ
 ECAD 8032 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/544 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 1 Вт U3 - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 80 1 май 1MA Npn 1,5 Е @ 500 мА, 5A 30 @ 2,5a, 5в -
MJD6039T4 onsemi MJD6039T4 -
RFQ
 ECAD 1804 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 MJD60 1,75 Вт Dpak СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 80 4 а 10 мк Npn - дарлино 2,5 - @ 8ma, 2a 500 @ 2a, 4v -
START499D STMicroelectronics Start499d -
RFQ
 ECAD 4711 0,00000000 Stmicroelectronics - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 243а Start499 1,7 SOT-89 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 13db ~ 14db 4,5 В. 1A Npn 150 @ 160ma, 3v - -
2SA1020-O-AP Micro Commercial Co 2SA1020-O-AP -
RFQ
 ECAD 9933 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА 2SA1020 900 м TO-92MOD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1000 50 2 а 1 мка (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100 мг
2SC3357-A CEL 2SC3357-A -
RFQ
 ECAD 6399 0,00000000 СМЕРЕЛЕР - Полески Управо 150 ° C (TJ) Пефер 243а 1,2 Вт SOT-89 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1 9db 12 100 май Npn 50 @ 20 май, 10 В 6,5 -е 1,8db @ 1 ggц
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть