SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Верный Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)
PBRN123YT,215 Nexperia USA Inc. PBRN123YT, 215 0,3700
RFQ
 ECAD 70 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PBRN123 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 40 600 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 1,15 В @ 8MA, 800 мая 500 @ 300 май, 5в 2.2 Ком 10 Kohms
MPS6724RLRA onsemi MPS6724RLRA -
RFQ
 ECAD 7646 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА MPS672 1 Вт TO-92 (DO 226) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 40 1 а 100NA (ICBO) Npn - дарлино 1,5 - @ 2ma, 1a 4000 @ 1a, 5v 1 гер
BC847B/DG/B4R Nexperia USA Inc. BC847B/DG/B4R -
RFQ
 ECAD 4659 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 200 м TO-236AB - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 934068361215 Ear99 8541.21.0075 10000 45 100 май 15NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 100 мг
BCX56-16,147 Nexperia USA Inc. BCX56-16,147 0,4700
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а BCX56 1,25 Вт SOT-89 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 80 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 100 @ 150 май, 2 В 180 мг
PDTC144TT,215 NXP USA Inc. PDTC144TT, 215 0,0200
RFQ
 ECAD 54 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен PDTC14 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000
BCP53,115 NXP USA Inc. BCP53,115 -
RFQ
 ECAD 5312 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен BCP53 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1000
KSD261GTA onsemi KSD261GTA -
RFQ
 ECAD 6078 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА KSD261 500 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 20 500 май 100NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 50 май, 500 матов 200 @ 100ma, 1v -
BD898A-S Bourns Inc. BD898A-S -
RFQ
 ECAD 6734 0,00000000 Bourns Inc. - Трубка Управо - Чereз dыru 220-3 BD898 2 Вт ДО-220 - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 15 000 60 8 а 500 мк PNP - ДАРЛИНГТОН 2,8 - @ 16ma, 4a 750 @ 4a, 3v -
BCW71T116 Rohm Semiconductor BCW71T116 0,0935
RFQ
 ECAD 5777 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW71 SST3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 45 100 май 100NA (ICBO) Npn 250 мВ @ 500 мк, 10 мая 110 @ 2ma, 5 -
DTA143TU3T106 Rohm Semiconductor DTA143TU3T106 0,2000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 DTA143 200 м UMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 100 @ 1MA, 5 В 250 мг 4.7 Kohms
MMBT3904LP-7 Diodes Incorporated MMBT3904LP-7 0,3800
RFQ
 ECAD 134 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 3-ufdfn MMBT3904 250 м X1-DFN1006-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 40 200 май - Npn 300 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 10ma, 1в 300 мг
JANTX2N1890S Microchip Technology Jantx2n1890s -
RFQ
 ECAD 8691 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/225 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 800 м TO-39 (DO 205 g.) - DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 80 500 май 10NA (ICBO) Npn 5 w @ 15 май, 150 мат 100 @ 150 май, 10 В -
DTC124XKAT146 Rohm Semiconductor DTC124XKAT146 0,2600
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC124 200 м SMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 50 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 68 @ 5ma, 5 В 250 мг 22 Kohms 47 Kohms
BCW69,215 Nexperia USA Inc. BCW69 215 0,3100
RFQ
 ECAD 41 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW69 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 100 май 100NA (ICBO) Pnp 150 мв 2,5 май, 50 мав 120 @ 2MA, 5V 100 мг
2SC2216-AP Micro Commercial Co 2SC2216-AP -
RFQ
 ECAD 8297 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 2SC2216 300 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1000 45 50 май 100NA (ICBO) Npn 200 мв 1,5 май, 15 матов 40 @ 12,5 май, 12,5 300 мг
2N3720 Microchip Technology 2N3720 17.5427
RFQ
 ECAD 3966 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 6 Вт По 5 - DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1 60 10 мк 10 мк Pnp 1,5 Е @ 300 май, 3A 25 @ 1a, 1,5 60 мг
JANTXV2N3735 Microsemi Corporation Jantxv2n3735 -
RFQ
 ECAD 1485 0,00000000 Microsemi Corporation ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/395 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт Не 39 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 40 1,5 а 10 мк (ICBO) Npn 900 мВ @ 100ma, 1a 20 @ 1a, 1,5 -
MMUN2241LT1G onsemi Mmun2241lt1g 0,1900
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Mmun2241 246 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 250 мВ @ 5MA, 10 мА 160 @ 5ma, 10 В 100 км
PMBT2907A,235 Nexperia USA Inc. PMBT2907A, 235 0,1400
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBT2907 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 60 600 май 10NA (ICBO) Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 200 мг
NTE2661 NTE Electronics, Inc NTE2661 12.1800
RFQ
 ECAD 67 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3 Full Pack 200 th To-3pbl СКАХАТА Rohs3 2368-NTE2661 Ear99 8541.29.0095 1 600 20 а 1MA (ICBO) Npn 3V @ 2,75A, 11A 10 @ 2a, 5v 1,7 мг
JANTX2N5012 Microsemi Corporation Jantx2n5012 -
RFQ
 ECAD 6814 0,00000000 Microsemi Corporation ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/727 МАССА Управо -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 1 Вт По 5 - Rohs Neprigodnnый Ear99 8541.29.0095 1 700 200 май 10NA (ICBO) Npn 30 @ 25 мА, 10 В -
BC848CPDW1T1G onsemi BC848CPDW1T1G 0,2500
RFQ
 ECAD 2809 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 BC848 250 м SC-88/SC70-6/SOT-363 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 100 май 15NA (ICBO) NPN, Pnp 600 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 100 мг
2SA09000R Panasonic Electronic Components 2SA09000R -
RFQ
 ECAD 9024 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 2SA090 1,2 Вт 126B-A1 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1000 18 1 а 10 мк Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 130 @ 500ma, 2V 200 мг
VT6X2T2R Rohm Semiconductor Vt6x2t2r 0,5000
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Прохл 150 ° C (TJ) Пефер 6-SMD Vt6x2 150 м VMT6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 8000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 npn (дВОХАНЕй) 300 мВ @ 5ma, 50 мая 120 @ 1MA, 6V 350 мг
KSC3503DSTSTU onsemi KSC3503DSTSTU -
RFQ
 ECAD 8763 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 KSC3503 7 Вт 126-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2880 300 100 май 100NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 2ma, 20 мая 60 @ 10ma, 10 В 150 мг
SD1330-05H Microsemi Corporation SD1330-05H -
RFQ
 ECAD 7644 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо - 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 1
FJP13007H1TU-F080 onsemi FJP13007H1TU-F080 1.4800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 FJP13007 80 Вт 220-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 400 8 а - Npn 3v @ 2a, 8a 8 @ 2a, 5v 4 мг
DTC113ZU3T106 Rohm Semiconductor DTC113ZU3T106 0,2000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 DTC113 200 м UMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май - Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 33 @ 5ma, 5в 250 мг 1 kohms 10 Kohms
ZTX601ASTZ Diodes Incorporated Ztx601astz -
RFQ
 ECAD 9843 0,00000000 Дидж - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru E-line-3, obrahawannele-ledы ZTX601 1 Вт Электронная линия (до 92 года СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 160 1 а 10 мк Npn - дарлино 1,2 - @ 10ma, 1a 2000 @ 500 мА, 10 В 250 мг
KSD288WTU onsemi KSD288WTU -
RFQ
 ECAD 1161 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 KSD288 25 Вт 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 55 3 а 50 мк (ICBO) Npn 1V @ 100ma, 1a 40 @ 500 май, 5в -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть