SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В приземлении Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)
FMMT718TA-50 Diodes Incorporated FMMT718TA-50 0,0852
RFQ
 ECAD 9862 0,00000000 Дидж - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT718 625 м SOT-23-3 СКАХАТА 31-FMMT718TA-50 Ear99 8541.21.0075 3000 20 1,5 а 100NA Pnp 220 мВ 50 мам, 1,5а 300 @ 100ma, 2v 180 мг
PDTC144VU,115 NXP Semiconductors PDTC144VU, 115 0,0200
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-PDTC144VU, 115-954 14 990
JANSF2N2906AUB/TR Microchip Technology Jansf2n2906aub/tr 157.4550
RFQ
 ECAD 2630 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен - 150-jansf2n2906aub/tr 50
NTE175 NTE Electronics, Inc NTE175 5.6600
RFQ
 ECAD 3806 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO 213AA, DO 66-2 35 Вт 126 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE175 Ear99 8541.29.0095 1 300 2 а 5 май Npn 750 мВ @ 125ma, 1a 40 @ 100ma, 10 В 15 мг
BCX55TF Nexperia USA Inc. BCX55TF 0,4000
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а BCX55 500 м SOT-89 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 4000 60 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 63 @ 150ma, 2v -
JANS2N2222AUBC/TR Microchip Technology Jans2n222222aubc/tr 185.6106
RFQ
 ECAD 8852 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/255 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 500 м 3-SMD СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 150-JANS2N2222222AUBC/TR Ear99 8541.21.0095 1 50 800 млн 50NA Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В -
2N5599 Microchip Technology 2N5599 43.0350
RFQ
 ECAD 1496 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO 213AA, DO 66-2 20 Вт TO-66 (DO 213AA) - DOSTISH 150-2N5599 Ear99 8541.29.0095 1 80 2 а - Pnp 850 мВ @ 200 мка, 1 мая - -
2SD826G onsemi 2SD826G 0,2700
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1
EMH2FHAT2R Rohm Semiconductor EMH2FHAT2R 0,0958
RFQ
 ECAD 3681 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SOT-563, SOT-666 Emh2fhat2 150 м Emt6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 8000 50 100 май 500NA 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 мВ 500 мк, 10 68 @ 5ma, 5 В 250 мг 47komm 47komm
BD751C Harris Corporation BD751C 2.2700
RFQ
 ECAD 274 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN - МАССА Актифен 200 ° C (TJ) Чereз dыru № 204 года 250 Вт По 3 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 130 20 а 500 мк Npn 1V @ 500 май, 5а 25 @ 5a, 2v
2SD1766-Q-TP Micro Commercial Co 2SD1766-Q-TP -
RFQ
 ECAD 6146 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 243а 2SD1766 500 м SOT-89 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 353-2SD1766-Q-TPTR 1000 32 1 а 1 мка (ICBO) 800 мВ @ 200 май, 2а 120 @ 500ma, 3V 100 мг
BC327-016G onsemi BC327-016G -
RFQ
 ECAD 6514 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА BC327 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 5000 45 800 млн 100NA Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 1в 260 мг
BC858CWH6327 Infineon Technologies BC858CWH6327 0,0400
RFQ
 ECAD 39 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 250 м PG-SOT323-3-1 СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 7,053 30 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 250 мг
BC847CM,315 NXP Semiconductors BC847CM, 315 -
RFQ
 ECAD 2710 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен - Rohs Продан 2156-BC847CM, 315-954 1
BC338 Fairchild Semiconductor BC338 0,0400
RFQ
 ECAD 8136 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 258 25 В 800 млн 100NA Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 1в 100 мг
2SC3864 onsemi 2SC3864 0,0700
RFQ
 ECAD 1198 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 500
JANSL2N2222AUB/TR Microchip Technology Jansl2n222222aub/tr 181.0950
RFQ
 ECAD 4627 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен - 150-jansl2n222222aub/tr 50
JANSP2N5153 Microchip Technology Jansp2n5153 95,9904
RFQ
 ECAD 6221 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/545 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) - DOSTISH 150-JANSP2N5153 1 80 2 а 50 мк Pnp 1,5 Е @ 500 мА, 5A 70 @ 2,5A, 5 В -
BC807-16HVL Nexperia USA Inc. BC807-16HVL 0,2800
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 175 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 320 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 10000 45 500 май 100NA (ICBO) Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 1в 80 мг
FJX1182YTF Fairchild Semiconductor FJX1182YTF -
RFQ
 ECAD 2010 ГОД 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 FJX118 150 м SC-70 (SOT323) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 3000 30 500 май 100NA (ICBO) Pnp 250 мВ @ 10ma, 100 мая 120 @ 100ma, 1v 200 мг
MMDT3906Q Yangjie Technology MMDT3906Q 0,0420
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-MMDT3906QTR Ear99 3000
ZXTP03200GTA Diodes Incorporated ZXTP03200GTA -
RFQ
 ECAD 4626 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) DOSTISH 31-ZXTP03200GTATR 1000
DCP53-13 Diodes Incorporated DCP53-13 -
RFQ
 ECAD 2314 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA DCP53 1 Вт SOT-223-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2500 80 1 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 40 @ 150 май, 2 В 200 мг
2N3905TFR Fairchild Semiconductor 2n3905tfr 0,0200
RFQ
 ECAD 6136 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0095 4,373 40 200 май - Pnp 400 мВ @ 5ma, 50 ма 50 @ 10ma, 1в -
PMSTA05,115 Nexperia USA Inc. PMSTA05,115 0,2200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 PMSTA05 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 60 500 май 100NA (ICBO) Npn 250 мВ @ 10ma, 100 мая 50 @ 100ma, 1в 100 мг
BCX6916E6327 Infineon Technologies BCX6916E6327 0,1100
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Infineon Technologies Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а 3 Вт PG-SOT89-4-2 СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 20 1 а 100NA (ICBO) 500 мВ @ 100ma, 1a 100 @ 500 май, 1в 100 мг
JANTXV2N2432AUB/TR Microchip Technology Jantxv2n2432aub/tr -
RFQ
 ECAD 3878 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 360 м Ub - DOSTISH 150 Jantxv2n2432aub/tr 100 45 100 май 10NA Npn 150 мв 500 мк, 10 80 @ 1MA, 5V -
KSH41CTF onsemi KSH41CTF -
RFQ
 ECAD 3629 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 KSH41 1,75 Вт D-PAK СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 100 6 а 50 мк Npn 1,5 h @ 600ma, 6a 15 @ 3A, 4V 3 мг
2SA1774EBTLS Rohm Semiconductor 2SA1774EBTLS 0,0683
RFQ
 ECAD 2250 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер SC-89, SOT-490 2SA1774 150 м EMT3F (SOT-416FL) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 150 май 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 5ma, 50 ма 120 @ 1MA, 6V 140 мг
KSD261YTA onsemi KSD261YTA -
RFQ
 ECAD 3821 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА KSD261 500 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 20 500 май 100NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 50 май, 500 матов 120 @ 100ma, 1v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть