SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллексионера (МАКС) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
BF422RL1G onsemi BF422RL1G -
RFQ
 ECAD 2469 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА BF422 830 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 250 50 май - Npn 500 мВ @ 2ma, 20 мая 50 @ 25ma, 20 60 мг
BC556A,112 NXP USA Inc. BC556A, 112 -
RFQ
 ECAD 4479 0,00000000 NXP USA Inc. - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC55 500 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1000 65 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 125 @ 2ma, 5V 100 мг
DDTC144VUA-7 Diodes Incorporated DDTC144VUA-7 0,0691
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Дидж * Lenta и катахка (tr) Актифен DDTC144 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000
BC327-40,116 NXP USA Inc. BC327-40,116 -
RFQ
 ECAD 2326 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC32 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 45 500 май 100NA (ICBO) Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 250 @ 100ma, 1v 80 мг
2ST2121 STMicroelectronics 2st2121 -
RFQ
 ECAD 1210 0,00000000 Stmicroelectronics - Симка Управо 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 2st21 250 Вт По 3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-8739 Ear99 8541.29.0095 100 250 17 а 5 Мка (ICBO) Pnp 3v @ 800ma, 8a 80 @ 1a, 5v 25 мг
NVGS3136PT1G onsemi NVGS3136PT1G 1.0000
RFQ
 ECAD 8683 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Ear99 8541.29.0095 1
MRF10350 MACOM Technology Solutions MRF10350 523,9050
RFQ
 ECAD 5967 0,00000000 Macom Technology Solutions - Поднос Актифен 200 ° C (TJ) ШASCI 355E-01 350 Вт 355E-01, Стиль 1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 1465-1141 Ear99 8541.29.0075 20 9db 65 31. Npn 20 @ 5a, 5v - -
CMPTA29 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMPTA29 TR PBFREE 0,4300
RFQ
 ECAD 32 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 CMPTA29 350 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 100 500 май 500NA Npn - дарлино 1,5 -прри 100 мк, 100 май 10000 @ 100ma, 5 В 125 мг
PN4917_D27Z onsemi PN4917_D27Z -
RFQ
 ECAD 2091 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА PN491 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 30 200 май 25NA Pnp 300 мВ @ 5ma, 50 мая 150 @ 10ma, 1v -
KSP25BU onsemi KSP25BU -
RFQ
 ECAD 2059 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSP25 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 10000 40 500 май 100NA (ICBO) Npn - дарлино 1,5 -прри 100 мк, 100 май 10000 @ 100ma, 5 В -
IMH24T110 Rohm Semiconductor IMH24T110 0,1840
RFQ
 ECAD 6946 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SC-74, SOT-457 IMH24 300 м SMT6 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 20 600 май 500NA (ICBO) 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 150 мв 50 мам, 2,5 мая 820 @ 50ma, 5 В 150 мг 2,2KOM -
SS8550BBU onsemi SS8550BBU -
RFQ
 ECAD 1969 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) SS8550 1 Вт ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 10000 25 В 1,5 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 80 май, 800 мая 85 @ 100ma, 1v 200 мг
BCR 141S H6727 Infineon Technologies BCR 141S H6727 -
RFQ
 ECAD 2141 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR 141 250 м PG-SOT363-PO СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май - 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 мВ 500 мк, 10 50 @ 5ma, 5 В 130 мг 22khh 22khh
KSA940H2 onsemi KSA940H2 -
RFQ
 ECAD 5787 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 KSA940 1,5 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 200 150 1,5 а 10 мк (ICBO) Pnp 1,5 Е @ 50 MMA, 500 MMA 40 @ 500 май, 10 В 4 мг
PN3646 APM PBFREE Central Semiconductor Corp PN3646 APM PBFREE -
RFQ
 ECAD 4626 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и коробка (TB) Управо СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 1514-PN3646APMPBFREETB Ear99 8541.21.0075 2000
MMBT2369ALT3G onsemi MMBT2369ALT3G -
RFQ
 ECAD 1943 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2369 225 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 10000 15 200 май 400NA Npn 500 мВ @ 10ma, 100 мая 20 @ 100ma, 1в -
FJP13007H2TU-F080 onsemi FJP13007H2TU-F080 -
RFQ
 ECAD 1467 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 FJP13007 80 Вт 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 400 8 а - Npn 3v @ 2a, 8a 8 @ 2a, 5v 4 мг
BC848AW-7-F Diodes Incorporated BC848AW-7-F 0,0386
RFQ
 ECAD 9543 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC848 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 100 май 20NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 110 @ 2ma, 5 В 300 мг
D965-T-AP Micro Commercial Co D965-T-AP -
RFQ
 ECAD 8027 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА D965 750 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 1000 22 5 а 100NA (ICBO) Npn 350 мВ @ 100ma, 3a 560 @ 500ma, 2V -
2SC3503E onsemi 2SC3503E 0,2900
RFQ
 ECAD 64 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1
2SD1816T-TL-H onsemi 2SD1816T-TL-H 1.2900
RFQ
 ECAD 58 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 2SD1816 1 Вт TP-FA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 700 100 4 а 1 мка (ICBO) Npn 400 мВ 200 май, 2а 200 @ 500 май, 5 В 180 мг
NE68019-A CEL NE68019-A -
RFQ
 ECAD 6035 0,00000000 СМЕРЕЛЕР - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Пефер SOT-523 NE68019 100 м SOT-523 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH NE68019A Ear99 8541.21.0075 1 9,6db 10 В 35 май Npn 80 @ 5ma, 3V 10 -е 1,9 дБ @ 2 ggц
FJN3309RTA onsemi Fjn3309rta -
RFQ
 ECAD 6873 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА FJN330 300 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 40 100 май 100NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ @ 1MA, 10MA 100 @ 1MA, 5 В 250 мг 4.7 Kohms
2N3637 Microchip Technology 2N3637 13.1670
RFQ
 ECAD 3908 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 2N3637 1 Вт Не 39 СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 175 1 а 10 мк Pnp 600 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 50ma, 10 В -
PMBT3904QAZ Nexperia USA Inc. PMBT3904QAZ 0,3100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o PMBT3904 440 м DFN1010D-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 5000 40 200 май 50na (ICBO) Npn 300 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 10ma, 1в 300 мг
KSD1691YSTSTU onsemi KSD1691YSTSTU -
RFQ
 ECAD 3426 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 KSD1691 1,3 126-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 60 60 5 а 10 мк (ICBO) Npn 300 мВ 200 май, 2а 160 @ 2a, 1v -
TIP34C Central Semiconductor Corp TIP34C -
RFQ
 ECAD 4907 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 218-3 80 Вт 218 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH TIP34CCS Ear99 8541.29.0095 100 100 10 а - Pnp - 100 @ 3A, 4V 3 мг
DSA2002R0L Panasonic Electronic Components DSA2002R0L -
RFQ
 ECAD 9051 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DSA2002 200 м Mini3-g3-bb СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 500 май 100NA (ICBO) Pnp 600 мВ @ 30 май, 300 мая 120 @ 150 май, 10 В 130 мг
UPA801T-A CEL UPA801T-A -
RFQ
 ECAD 9057 0,00000000 СМЕРЕЛЕР - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 UPA801 200 м SOT-363 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1 - 12 100 май 2 npn (дВОХАНЕй) 70 @ 7ma, 3V 4,5 -е 1,2db @ 1 ggц
BCX54-10,115 Nexperia USA Inc. BCX54-10,115 0,4700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а BCX54 1,25 Вт SOT-89 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 45 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 63 @ 150ma, 2v 180 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть