SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
JANTXV2N2920U Microchip Technology Jantxv2n2920u -
RFQ
 ECAD 6861 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/355 МАССА Пркрэно 200 ° C (TJ) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA 2N2920 350 м 6-SMD - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 60 30 май 10 мк (ICBO) 2 npn (дВОХАНЕй) 300 мВ 100 мк, 1 мана 300 @ 1MA, 5V -
ZTX558W Diodes Incorporated ZTX558W -
RFQ
 ECAD 3522 0,00000000 Дидж - МАССА Управо -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru E-Line-3 1 Вт Электронная линия (до 92 года - 31-ZTX558W Ear99 8541.29.0095 1 400 200 май 100NA Pnp 500 мВ @ 6ma, 50 мая 100 @ 50ma, 10 В 50 мг
DDTC144EUAQ-13-F Diodes Incorporated DDTC144EUAQ-13-F 0,0299
RFQ
 ECAD 7283 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 DDTC144 200 м SOT-323 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 80 @ 5ma, 5в 250 мг 47 Kohms 47 Kohms
NJVBD437TG onsemi NJVBD437TG 0,2600
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1
BFU520WF NXP USA Inc. BFU520WF 0,4900
RFQ
 ECAD 3121 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BFU520 450 м SC-70 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 13 дБ 12 30 май Npn 60 @ 5ma, 8 В 10 -е 1db @ 1,8gц
PBSS5160V,115 NXP USA Inc. PBSS5160V, 115 -
RFQ
 ECAD 9917 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен PBSS5 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.21.0075 4000
BC847BT-7 Diodes Incorporated BC847BT-7 -
RFQ
 ECAD 5354 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-523 BC847 150 м SOT-523 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 100 мг
KSB1116AYBU onsemi KSB1116AYBU -
RFQ
 ECAD 6066 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА KSB11 750 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 60 1 а 100NA (ICBO) Pnp 300 мВ @ 50ma, 1a 135 @ 100ma, 2v 120 мг
JAN2N5015S Microsemi Corporation Jan2n5015s -
RFQ
 ECAD 1100 0,00000000 Microsemi Corporation ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/727 МАССА Управо -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) - Rohs Neprigodnnый Ear99 8541.29.0095 1 1000 200 май 10NA (ICBO) Npn 30 @ 20 май, 10 В -
DSA7003S0L Panasonic Electronic Components DSA7003S0L -
RFQ
 ECAD 5632 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно 150 ° C (TJ) Пефер 243а DSA7003 1 Вт Minip3-f2-b - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1000 50 1 а 100NA (ICBO) Pnp 400 мВ @ 50 май, 500 матов 170 @ 500 май, 10 В 120 мг
KSC2330YBU onsemi KSC2330YBU -
RFQ
 ECAD 8016 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА KSC2330 1 Вт ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 500 300 100 май 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 1MA, 10MA 120 @ 20 май, 10 В 50 мг
2SB1188-P-TP Micro Commercial Co 2SB1188-P-TP -
RFQ
 ECAD 3593 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 243а 2SB1188 500 м SOT-89 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 1000 32 2 а 1 мка (ICBO) Pnp 800 мВ @ 200 май, 2а 82 @ 500ma, 3V 80 мг
STA412A Sanken STA412A 68600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 САНКЕН - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 10-sip STA412 4 Вт 10-sip СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) STA412A DK Ear99 8541.29.0095 800 60 3A 100 мк (ICBO) 4 npn (квадрат) 1V @ 10ma, 1a 300 @ 500 май, 4 В -
PDTC143ZU/ZLX Nexperia USA Inc. PDTC143ZU/ZLX -
RFQ
 ECAD 4933 0,00000000 Nexperia USA Inc. * МАССА Управо PDTC143 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 1
DTA013ZMT2L Rohm Semiconductor DTA013ZMT2L 0,2700
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-723 DTA013 150 м VMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 8000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 150 мв 500 мк, 5 30 @ 5ma, 10 В 250 мг 1 kohms 10 Kohms
2SB1188-Q Yangjie Technology 2SB1188-Q 0,0400
RFQ
 ECAD 100 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 243а 500 м SOT-89 - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-2SB1188-qtr Ear99 1000 32 2 а 1 мка (ICBO) Pnp 800 мВ @ 200 май, 2а 120 @ 500ma, 3V 80 мг
UP03390G0L Panasonic Electronic Components UP03390G0L 0,3900
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-665 UP0339 125 м SSMINI5-F3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 8000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 80 @ 5ma, 10 В 150 мг, 80 мгр 47KOHMS, 10KOMM 47komm
2SD0874GRL Panasonic Electronic Components 2SD0874GRL -
RFQ
 ECAD 9331 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 243а 2SD0874 1 Вт Minip3-f2 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1000 50 1 а 100NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 50 май, 500 матов 120 @ 500 май, 10 В 200 мг
FJN4313RTA onsemi Fjn4313rta -
RFQ
 ECAD 5922 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА FJN431 300 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 50 100 май 100NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 10 68 @ 5ma, 5 В 200 мг 2.2 Ком 47 Kohms
ICA32V06X1SA1 Infineon Technologies ICA32V06X1SA1 -
RFQ
 ECAD 5737 0,00000000 Infineon Technologies * МАССА Управо СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP000960546 Управо 0000.00.0000 1
PZTA28 onsemi Pzta28 0,5700
RFQ
 ECAD 47 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA Pzta28 1 Вт SOT-223-4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 4000 80 800 млн 500NA Npn - дарлино 1,5 -прри 100 мк, 100 май 10000 @ 100ma, 5 В 125 мг
BDW83B Central Semiconductor Corp BDW83B -
RFQ
 ECAD 4331 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо - Чereз dыru 218-3 130 Вт 218 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 80 15 а - Npn - 750 @ 6a, 3v -
BC817-40W-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. BC817-40W-AU_R2_000A1 0,2100
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Panjit International Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC817 300 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-BC817-40W-AU_R2_000A1DKR Ear99 8541.21.0095 12 000 45 500 май 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 250 @ 100ma, 1v 100 мг
FJA4313OTU onsemi FJA4313OTU 4.0900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 FJA4313 130 Вт 12 вечера СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0075 30 250 17 а 500NA (ICBO) Npn 3v @ 800ma, 8a 35 @ 7a, 5v 30 мг
2N5960 Microchip Technology 2N5960 519.0900
RFQ
 ECAD 8222 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Стало TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud 175 Вт 121 - DOSTISH 150-2N5960 Ear99 8541.29.0095 1 100 20 а - Pnp - - -
CZTA42 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CZTA42 TR PBFREE 1.5900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA CZTA42 2 Вт SOT-223 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 300 500 май 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 2ma, 20 мая 40 @ 30ma, 10 В 50 мг
PEMH18,115 NXP Semiconductors PEMH18,115 -
RFQ
 ECAD 1354 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-PEMH 18,115-954 1
DTA124EU3T106 Rohm Semiconductor DTA124EU3T106 0,2000
RFQ
 ECAD 1936 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 DTA124 200 м UMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 100 май - Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 10 56 @ 5ma, 5V 250 мг 22 Kohms 22 Kohms
2N1016B Microsemi Corporation 2n1016b -
RFQ
 ECAD 2360 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 2N1016 150 Вт О 82 СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 100 7,5 а 1MA Npn 2,5 - @ 1a, 5a 20 @ 2a, 4v -
DTA114TEBTL Rohm Semiconductor DTA114TEBTL 0,0488
RFQ
 ECAD 6236 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-75, SOT-416 DTA114 150 м Emt3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ @ 1MA, 10MA 100 @ 1MA, 5 В 250 мг 10 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть