SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Епако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)
BC337-25-B0 B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC337-25-B0 B1G -
RFQ
 ECAD 8513 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 м Создание 92 СКАХАТА DOSTISH 1801-BC337-25-B0B1G Управо 1 45 800 млн 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 250 @ 100ma, 5 В 100 мг
NSBC114EPDXV6T5G onsemi NSBC114EPDXV6T5G -
RFQ
 ECAD 1337 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-563, SOT-666 NSBC114 500 м SOT-563 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 35 @ 5ma, 10 В - 10 Комов 10 Комов
BC817-QR Nexperia USA Inc. BC817-QR 0,0230
RFQ
 ECAD 1391 0,00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q101, BC817-Q Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 500 май 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 1в 100 мг
MPS750 Central Semiconductor Corp MPS750 -
RFQ
 ECAD 8262 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2500 40 2 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ 200 май, 2а 75 @ 1a, 2v 75 мг
FZT651QTA Diodes Incorporated FZT651QTA 0,7600
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA FZT651 3 Вт SOT-223-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 60 3 а 100NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 300 май, 3а 100 @ 500 май, 2 В 175 мг
NTE328 NTE Electronics, Inc NTE328 11,5000
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 200 th По 3 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE328 Ear99 8541.29.0095 1 120 25 а 50 мк Npn 1,8 В @ 2,5A, 25A 50 @ 500 май, 2 В 40 мг
MPSA62 onsemi MPSA62 0,0300
RFQ
 ECAD 2555 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 8 390
2SC3950E onsemi 2SC3950E 0,4000
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0075 1
JANS2N2221UB Microchip Technology Jans2n2221UB 64,9404
RFQ
 ECAD 7716 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/469 МАССА Актифен - Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA Ub - DOSTISH 150-JANS2N2221UB 1 30 - Npn - 100 @ 150 май, 10 В 250 мг
DDTB113ZU-7-F Diodes Incorporated DDTB113ZU-7-F -
RFQ
 ECAD 1623 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-70, SOT-323 DDTB113 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 500 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 2,5 май, 50 56 @ 50ma, 5 В 200 мг 1 kohms 10 Kohms
BC817W,135 Nexperia USA Inc. BC817W, 135 0,2000
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC817 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 45 500 май 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 1в 100 мг
PDTC114EU/DG/B3115 NXP USA Inc. PDTC114EU/DG/B3115 0,0200
RFQ
 ECAD 254 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 3000
2DC4617S-7 Diodes Incorporated 2DC4617S-7 -
RFQ
 ECAD 2929 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-523 2DC4617 150 м SOT-523 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 150 май 100NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 5ma, 50 ма 270 @ 1MA, 6V 180 мг
2SC2688-AZ Renesas Electronics America Inc 2SC2688-AZ 0,3500
RFQ
 ECAD 69 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 854
BC856BW-HF Comchip Technology BC856BW-HF 0,0517
RFQ
 ECAD 9250 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC856 150 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 641-BC856BW-HFTR Ear99 8541.21.0075 3000 65 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 220 @ 2MA, 5V 100 мг
TTD1409B,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TTD1409B, S4X 1,6000
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- TTD1409 2 Вт DO-220SIS СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 50 400 6 а 20 мк (ICBO) Npn - дарлино 2 w @ 40 май, 4a 600 @ 2a, 2v -
DTC115TUAT106 Rohm Semiconductor DTC115TUAT106 0,0463
RFQ
 ECAD 1472 0,00000000 ROHM Semiconductor DTC115T Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 DTC115 200 м UMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 100 мк, 1 мана 100 @ 1MA, 5 В 250 мг 100 км
BC847C Diotec Semiconductor BC847C 0,0182
RFQ
 ECAD 1809 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0000 3000 45 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 300 мг
KS3302BU Fairchild Semiconductor KS3302BU 0,0200
RFQ
 ECAD 2277 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо - Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) ДО 92-3 - Ear99 8542.39.0001 10000 40 200 май - Npn 150 мВ @ 10ma, 100 мая - -
JANSD2N3440UA Microchip Technology Jansd2n3440ua -
RFQ
 ECAD 2588 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/368 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA 800 м UA - Rohs3 DOSTISH 150-JANSD2N3440UA Ear99 8541.21.0095 1 250 1 а 2 мка Npn 500 мВ @ 4ma, 50 мая 40 @ 20 май, 10 В -
BC338-16 B1 Taiwan Semiconductor Corporation BC338-16 B1 -
RFQ
 ECAD 3511 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 м Создание 92 - DOSTISH 1801-BC338-16B1 Управо 1 25 В 800 млн 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 250 @ 100ma, 5 В 100 мг
PQMD2147 NXP Semiconductors PQMD2147 0,0300
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен PQMD2 СКАХАТА Продан Продан 2156-PQMD2147-954 1
NSBC114EPDP6T5G onsemi NSBC114EPDP6T5G 0,4000
RFQ
 ECAD 8179 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-963 NSBC114 339 м SOT-963 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 35 @ 5ma, 10 В - 10 Комов 10 Комов
NTE397 NTE Electronics, Inc NTE397 3.5200
RFQ
 ECAD 43 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 10 st Не 39 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE397 Ear99 8541.29.0095 1 300 1 а 50 мк (ICBO) Pnp - 30 @ 50 мА, 10 В -
NTE123A-100 NTE Electronics, Inc NTE123A-100 128.0000
RFQ
 ECAD 6518 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 206aa, 18-3 Металлана Банканка 1,2 Вт 18 СКАХАТА Rohs 2368-NTE123A-100 Ear99 8541.21.0095 1 40 800 млн 10NA Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 300 мг
PDTC124XU,115 NXP USA Inc. PDTC124XU, 115 0,0200
RFQ
 ECAD 1735 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен PDTC12 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000
2SB1203S-N-TL-E onsemi 2SB1203S-N-TL-E 0,4100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Ear99 8541.29.0075 1
MUN5132DW1T1G onsemi MUN5132DW1T1G 0,0405
RFQ
 ECAD 3129 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 MUN5132 250 м SC-88/SC70-6/SOT-363 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 250 мВ @ 1MA, 10MA 15 @ 5ma, 10 В - 4,7 КОМ 4,7 КОМ
2SCR553PHZGT100 Rohm Semiconductor 2SCR553PHZGT100 0,6400
RFQ
 ECAD 620 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а 500 м SOT-89 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1000 50 2 а 1 мка (ICBO) Npn 350 мВ @ 35 май, 700 маточков 180 @ 50ma, 2v 360 мг
RN1106,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1106, LXHF (Ct 0,3300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-75, SOT-416 RN1106 100 м SSM СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 4.7 Kohms 47 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть