SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
PUMD6,115 NXP USA Inc. Pumd6,115 -
RFQ
 ECAD 1368 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен Pumd6 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000
FJP13009TU Fairchild Semiconductor FJP13009TU 0,4700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 100 y 220-3 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 641 400 12 а - Npn 3v @ 3a, 12a 8 @ 5a, 5v 4 мг
BC858CW Yangjie Technology BC858CW 0,0170
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 200 м SOT-323 - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-BC858CWTR Ear99 3000 30 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 100 мг
MMBTH24 Fairchild Semiconductor MMBTH24 -
RFQ
 ECAD 7688 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTH24 225 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 - 30 50 май Npn 30 @ 8ma, 10 В 400 мг -
PHPT60415PY115 NXP USA Inc. Phpt60415py115 -
RFQ
 ECAD 8563 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0075 1
CP647-PMD19K100-CT Central Semiconductor Corp CP647-PMD19K100-CT -
RFQ
 ECAD 7964 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Поднос Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Умират CP647 Умират СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0040 36 100 30 а - PNP - ДАРЛИНГТОН 2,8 В @ 60 май, 15a 800 @ 15a, 3v 4 мг
NHDTA114EUF Nexperia USA Inc. NHDTA114EUF 0,2500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 NHDTA114 235 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 10000 80 100 май 100NA Pnp - prervariotelno-cmepts 100 мВ @ 500 мк, 10 мая 50 @ 10ma, 5 В 150 мг 10 Kohms 10 Kohms
MMDTA141DW Diotec Semiconductor MMDTA141DW 0,0596
RFQ
 ECAD 1376 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер MMDTA14 200 м SOT-363 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2796-MMDTA141DWTR 8541.21.0000 3000 60 100 май - - 250 мг 10 Комов 10 Комов
CJD3055 TR13 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp CJD3055 TR13 TIN/LEAND -
RFQ
 ECAD 7229 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 1,75 Вт Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 1514-CJD3055TR13TIN/LEADTR Ear99 8541.29.0095 2500 60 10 а 50 мк Npn 8 В @ 3,3а, 10А 20 @ 4a, 4v 2 мг
KSD1616A-G-AP Micro Commercial Co KSD1616A-G-AP -
RFQ
 ECAD 4684 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА KSD1616 750 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 353-KSD1616A-G-AP Ear99 8541.21.0075 1 120 1 а 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 50ma, 1a 200 @ 100ma, 2v 160 мг
NTE184 NTE Electronics, Inc NTE184 -
RFQ
 ECAD 1716 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 40 126 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE184 Ear99 8541.29.0095 1 80 4 а 1MA Npn 1,4 - @ 1a, 4a 20 @ 1,5A, 2V 2 мг
NTE101 NTE Electronics, Inc NTE101 10.3200
RFQ
 ECAD 162 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 85 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 150 м По 5 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE101 Ear99 8541.21.0095 1 25 В 300 май 6 мка (ICBO) Npn 200 мВ @ 500 мк, 10 мая 20 @ 10ma, 1V -
JANSR2N3019 Microchip Technology Jansr2n3019 77.3204
RFQ
 ECAD 4108 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/391 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 2N3019 800 м По 5 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 80 1 а 10 мк (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 50 @ 500 май, 10 В -
BDW53C-S Bourns Inc. Bdw53c-s -
RFQ
 ECAD 1077 0,00000000 Bourns Inc. - Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 BDW53 2 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 15 000 100 4 а 500 мк Npn - дарлино 4V @ 40MA, 4A 750 @ 1,5A, 3V -
MMBT596-DV4 Good-Ark Semiconductor MMBT596-DV4 0,2400
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 ХOroShyй poluprovowodonyk - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 200 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 25 В 700 млн 100NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 70 май, 700 мая 110 @ 100ma, 1v 170 мг
2SA1471R onsemi 2SA1471R -
RFQ
 ECAD 6655 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1
TN4033A Fairchild Semiconductor TN4033A 0,0900
RFQ
 ECAD 99 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TN4033 1 Вт 226-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 2000 80 1 а 50na (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 100 @ 100ma, 5 В -
PBSS8110X,135 NXP USA Inc. PBSS8110X, 135 -
RFQ
 ECAD 3741 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен PBSS8 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0075 4000
2SA1502-TB-E onsemi 2SA1502-TB-E 0,0600
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 6000
JANKCA2N5237 Microchip Technology Jankca2n5237 29.4595
RFQ
 ECAD 5468 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/394 Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 1 Вт По 5 - Rohs3 DOSTISH 150-jankca2n5237 Ear99 8541.29.0095 1 120 10 а 10 мк Npn 2,5 - @ 1a, 10a 50 @ 1a, 5в -
BFR94A,215 NXP USA Inc. BFR94A, 215 -
RFQ
 ECAD 9348 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BFR94 300 м SOT-23 (TO-236AB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 3000 - 15 25 май Npn 65 @ 15ma, 10 В 5 Гер 2,1db ~ 3 дБ прри 1 гг ~ 2 ggц
BC857C-13P Micro Commercial Co BC857C-13P 0,0263
RFQ
 ECAD 3613 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 150 м SOT-23 СКАХАТА 353-BC857C-13P Ear99 8541.21.0075 1 45 100 май 1MA Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 100 мг
NTE2333 NTE Electronics, Inc NTE2333 3.9900
RFQ
 ECAD 312 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 100 y ДО-220 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE2333 Ear99 8541.29.0095 1 450 6 а 100 мк Npn 700 мВ @ 600 май, 3а 14 @ 500 май, 5в 14 мг
DEMD48-7 Diodes Incorporated DEMD48-7 -
RFQ
 ECAD 3080 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-563, SOT-666 DEMD48 300 м SOT-563 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 1 мка 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 150 мв 500 мка, 10 мам / 100 м. 80 @ 5ma, 5 v / 100 @ 10ma, 5 В - 47komm, 2,2 км 47komm
JANS2N2484UBC/TR Microchip Technology Jans2n248444ubc/tr 100.6704
RFQ
 ECAD 3882 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/376 Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 360 м UBC - DOSTISH 150-jans2n248444ubc/tr 50 60 50 май 2NA Npn 300 мВ 100 мк, 1 мана 250 @ 1MA, 5V -
NHUMB11X Nexperia USA Inc. Nhumb11x 0,3900
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 Nhumb11 350 м 6-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 80 100 май 100NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 100 мВ @ 500 мк, 10 мая 50 @ 10ma, 5 В 150 мг 10 Комов 10 Комов
2SC3775-4-TB-E onsemi 2SC3775-4-TB-E -
RFQ
 ECAD 8756 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м 3-CP - Rohs Продан 2156-2SC3775-4-TB-E-488 1 14 дБ 12 100 май Npn 100 @ 20 май, 10 В 5 Гер 1,5 дБ @ 900 мг
CZT3055 BK PBFREE Central Semiconductor Corp CZT3055 BK PBFREE -
RFQ
 ECAD 6136 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1514-CZT3055BKPBFREE Ear99 8541.29.0095 1
PEMD30,115 NXP USA Inc. PEMD30,115 -
RFQ
 ECAD 7080 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен PEMD3 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.21.0095 4000
2SC5488A-TL-H onsemi 2SC5488A-TL-H 0,4200
RFQ
 ECAD 6540 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-81 2SC5488 100 м 3-SSFP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 8000 12 дБ 10 В 70 май Npn 90 @ 20 май, 5в 7 гер 1db @ 1 ggц
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть