SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)
NTE2364 NTE Electronics, Inc NTE2364 1.1700
RFQ
 ECAD 951 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 1 Вт DO 92L СКАХАТА Rohs 2368-NTE2364 Ear99 8541.29.0095 1 50 2 а 100NA (ICBO) Pnp 700 мВ @ 50ma, 1a 140 @ 100ma, 2v 150 мг
DTA114EUAHE3-TP Micro Commercial Co DTA114EUAHE3-TP 0,2700
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 МИКРОМЕР СО Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 DTA114 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 6000 50 100 май 100NA Pnp - prervariotelnos -cmelый + diod 300 мВ 500 мк, 10 30 @ 5ma, 5в 250 мг 10 Kohms 10 Kohms
MPSA93-BP Micro Commercial Co MPSA93-BP -
RFQ
 ECAD 1828 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) MPSA93 625 м Создание 92 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 353-MPSA93-BP Ear99 8541.21.0095 1000 200 500 май 250NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 2ma, 20 мая 40 @ 10ma, 10 В 50 мг
TIP49 SL Central Semiconductor Corp TIP49 SL -
RFQ
 ECAD 3057 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 40 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 350 1 а 1MA Npn 1V @ 200 мам, 1a 30 @ 300 май, 10 В 10 мг
JANSR2N3810U/TR Microchip Technology Jansr2n3810u/tr 262.4506
RFQ
 ECAD 1341 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/336 Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA 2N3810 350 м 6-SMD - Rohs3 DOSTISH 150-jansr2n3810u/tr Ear99 8541.21.0095 1 60 50 май 10 мк (ICBO) 2 PNP (DVOйNOй) 250 мВ @ 1MA, 100 мк 150 @ 1MA, 5V -
2N5795A Microchip Technology 2n5795a 71.0700
RFQ
 ECAD 8390 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru До 78-6 МЕТАЛЛИСКАСКА 2N5795 600 м 128-6 - DOSTISH 150-2N5795A Ear99 8541.21.0095 1 60 600 май 10 мк (ICBO) 2 PNP (DVOйNOй) 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 40 @ 150 май, 10 В -
RN2114MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2114MFV, L3F 0,2000
RFQ
 ECAD 7888 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-723 RN2114 150 м Вер СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 5 50 @ 10ma, 5 В 1 kohms 10 Kohms
KTC3198-Y-B0 A1G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-Y-B0 A1G -
RFQ
 ECAD 5430 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - ЛЕЙНТА и КОРОБЕККА (ТУБЕРКУЛЕГ) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 500 м Создание 92 СКАХАТА DOSTISH 1801-KTC3198-Y-B0A1GTB Управо 1 50 150 май 100NA (ICBO) Npn 250 мВ @ 10ma, 100 мая 120 @ 150ma, 6V 80 мг
2SA733(A)-ND-A Renesas Electronics America Inc 2SA733 (a) -nd -A 1.2900
RFQ
 ECAD 81 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 1
DTA015EEBTL Rohm Semiconductor DTA015EEBTL 0,0351
RFQ
 ECAD 1768 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-89, SOT-490 DTA015 150 м EMT3F (SOT-416FL) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 20 май - Pnp - prervariotelno-cmepts 150 мв 500 мк, 5 80 @ 5ma, 10 В 250 мг 100 км 100 км
DMC564010R Panasonic Electronic Components DMC564010R -
RFQ
 ECAD 5649 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер 6-SMD, Плоскильлид DMC56401 150 м Smini6-F3-B СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 250 мВ @ 500 мк, 10 мая 35 @ 5ma, 10 В - 10 Комов 10 Комов
2SB1203S-FTT-TL-E onsemi 2SB1203S-FTT-TL-E 0,3300
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0075 700
2SA1493 Sanken 2SA1493 -
RFQ
 ECAD 3662 0,00000000 САНКЕН - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 3-ESIP 150 Вт MT-200 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 2SA1493 DK Ear99 8541.29.0095 250 200 15 а 100 мк (ICBO) Pnp 3v @ 1a, 10a 50 @ 5a, 4в 20 мг
2N5599 Microchip Technology 2N5599 43.0350
RFQ
 ECAD 1496 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO 213AA, DO 66-2 20 Вт TO-66 (DO 213AA) - DOSTISH 150-2N5599 Ear99 8541.29.0095 1 80 2 а - Pnp 850 мВ @ 200 мка, 1 мая - -
BC338-40-B0 B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC338-40-B0 B1G -
RFQ
 ECAD 6068 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 м Создание 92 СКАХАТА DOSTISH 1801-BC338-40-B0B1G Управо 1 25 В 800 млн 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 250 @ 100ma, 5 В 100 мг
UMH4NTN Rohm Semiconductor Umh4ntn 0,4700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 UMH4 150 м UMT6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA (ICBO) 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 мВ @ 1MA, 10MA 100 @ 1MA, 5 В 250 мг 10 Комов -
TIP41C-S Bourns Inc. TIP41C-S -
RFQ
 ECAD 1941 0,00000000 Bourns Inc. - Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 TIP41 2 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 15 000 100 6 а 700 мк Npn 1,5 h @ 600ma, 6a 15 @ 3A, 4V -
DTC115GKAT146 Rohm Semiconductor DTC115GKAT146 0,0561
RFQ
 ECAD 6691 0,00000000 ROHM Semiconductor DTC115G Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC115 200 м SMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 82 @ 5ma, 5V 250 мг 100 км
BD249C-S Bourns Inc. BD249C-S -
RFQ
 ECAD 3664 0,00000000 Bourns Inc. - Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 218-3 BD249 3 Вт SOT-93 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 300 100 25 а 1MA Npn 4V @ 5a, 25a 5 @ 4V, 25a -
JANTX2N4236L Microchip Technology Jantx2n4236l 40.5517
RFQ
 ECAD 9574 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/580 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) - DOSTISH 150 Jantx2n4236l 1 80 1 а 1MA Pnp 600 мВ @ 100ma, 1a 40 @ 100ma, 1в -
JANS2N3507L Microchip Technology Jans2n3507L 70.3204
RFQ
 ECAD 7348 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/349 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 1 Вт TO-5AA - DOSTISH 150-JANS2N3507L 1 50 3 а 1 мка Npn 1,5 -прри 250 май, 2,5а 35 @ 500 май, 1в -
2N3771 Solid State Inc. 2N3771 1.9500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Solid State Inc. - Коробка Актифен 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 150 Вт По 3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2383-2N3771 Ear99 8541.10.0080 50 40 30 а 10 май Npn 4V @ 6a, 30a 15 @ 15a, 4v 200 kgц
KTC3198-Y Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-Y 0,0583
RFQ
 ECAD 2280 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - ЛЕЙНТА и КОРОБЕККА (ТУБЕРКУЛЕГ) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) KTC3198 500 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-KTC3198-YTB Ear99 8541.21.0095 4000 50 150 май 100NA (ICBO) Npn 250 мВ @ 10ma, 100 мая 70 @ 2ma, 6V 80 мг
2SC4107M-TON Sanyo 2sc4107m-ton 0,2900
RFQ
 ECAD 8444 0,00000000 САНО * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1
DDC122TH-7 Diodes Incorporated DDC122H-7 -
RFQ
 ECAD 2589 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-563, SOT-666 DDC122 150 м SOT-563 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май - 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 100 @ 1MA, 5 В 200 мг 220 ОМ -
2C3250A Microchip Technology 2C3250A 9.2550
RFQ
 ECAD 8464 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Актифен - DOSTISH 150-2C3250A 1
BC560CBU Fairchild Semiconductor BC560CBU -
RFQ
 ECAD 5993 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 1000 45 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 150 мг
2SD2033AT114E Rohm Semiconductor 2SD2033AT114E -
RFQ
 ECAD 7690 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru HRT 2SD2033 1,8 HRT СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 160 1,5 а 1 мка (ICBO) Npn 2 w @ 100ma, 1a 100 @ 100ma, 5 В 80 мг
2SA1209S Sanyo 2SA1209S -
RFQ
 ECAD 8052 0,00000000 САНО * МАССА Управо - Rohs Продан 2156-2SA1209S-600057 1
2N4938 Central Semiconductor Corp 2N4938 -
RFQ
 ECAD 8519 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо - Чereз dыru До 78-6 МЕТАЛЛИСКАСКА 2N493 - 128-6 - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 - - - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть