SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)
JANSF2N2222AUA Microchip Technology Jansf2n2222aua 156.7708
RFQ
 ECAD 9939 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/255 Поднос Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA 2N2222 650 м UA СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 50 800 млн 50NA Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В -
NSVDTC123JET1G onsemi NSVDTC123JET1G 0,4100
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-75, SOT-416 NSVDTC123 200 м SC-75, SOT-416 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 250 мВ @ 1MA, 10MA 80 @ 5ma, 10 В 2.2 Ком 47 Kohms
BC53-10PAS-QX Nexperia USA Inc. BC53-10PAS-QX 0,0962
RFQ
 ECAD 9576 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 3-udfn otkrыtaiNavaIn-o 420 м DFN2020D-3 - Rohs3 1727-BC53-10PAS-QXTR Ear99 8541.21.0075 3000 80 1 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 63 @ 150ma, 2v 145 мг
2SC4159D onsemi 2SC4159D 0,2500
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0075 1
2SC2909S-AA onsemi 2SC2909S-AA -
RFQ
 ECAD 5864 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 600 м 3-NP - Rohs Продан 2156-2SC2909S-AA-488 1 160 70 май 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 3ma, 30 ма 140 @ 10ma, 5v 150 мг
2PA1774SM,315 NXP Semiconductors 2PA1774SM, 315 0,0200
RFQ
 ECAD 149 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-101, SOT-883 430 м SOT-883 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-2PA1774SM, 315-954 1 40 100 май 100NA (ICBO) Pnp 200 мВ @ 5ma, 50 мая 270 @ 1MA, 6V 100 мг
2N6247 Microchip Technology 2N6247 65 3100
RFQ
 ECAD 5041 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 125 Вт До 204 года. (DO-3) - DOSTISH 150-2N6247 Ear99 8541.29.0095 1 80 15 а - Pnp - - -
MPSA92BK Diotec Semiconductor MPSA92BK 0,0436
RFQ
 ECAD 7968 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 м Создание 92 СКАХАТА Rohs Neprigodnnый Продан 2796-mpsa92bk 8541.21.0000 5000 300 500 май 250NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 2ma, 20 мая 40 @ 10ma, 10 В 70 мг
2N3850 Microchip Technology 2N3850 273.7050
RFQ
 ECAD 9293 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен - Стало До-210AA, TO-59-4, STAD 40 О 59 - DOSTISH 150-2N3850 Ear99 8541.29.0075 1 80 5 а - Npn 500 мВ 200 май, 2а 50 @ 1a, 1v 20 мг
2SD1145F onsemi 2SD1145F 0,2000
RFQ
 ECAD 26 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1
PUMD6H-QX Nexperia USA Inc. Pumd6h-qx 0,0319
RFQ
 ECAD 9523 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 Pumd6 240 м 6-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1727 Pumd6h-qx Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 100NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 100 мВ @ 500 мк, 10 мая 200 @ 1MA, 5V 230 мгр, 180 мгр 4,7 КОМ -
BF821/DG/B2215 NXP USA Inc. BF821/DG/B2215 0,0600
RFQ
 ECAD 117 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0095 3000
PDTC114EU,135 Nexperia USA Inc. PDTC114EU, 135 0,1900
RFQ
 ECAD 32 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 PDTC114 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 10000 50 100 май 1 мка Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 150 мв 500 мк, 10 30 @ 5ma, 5в 10 Kohms 10 Kohms
RN2305,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2305, LF 0,1800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 RN2305 100 м SC-70 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 мг 2.2 Ком 47 Kohms
BF821,235 NXP USA Inc. BF821,235 -
RFQ
 ECAD 2015 0,00000000 NXP USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м SOT-23 СКАХАТА Ear99 8541.21.0095 3900 300 50 май 10NA (ICBO) Pnp 800 мВ @ 5ma, 30 ма 50 @ 25ma, 20 60 мг
BC847BW Taiwan Semiconductor Corporation BC847BW 0,0357
RFQ
 ECAD 8663 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC847 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BC847BWTR Ear99 8541.21.0075 18 000 45 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 100 мг
NZT6717 Fairchild Semiconductor NZT6717 -
RFQ
 ECAD 4983 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA NZT67 1 Вт SOT-223-4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 2219 80 1,2 а 100NA (ICBO) Npn 350 м. При 10 май, 250 мат 50 @ 250 май, 1в -
2SA1348 onsemi 2SA1348 0,1200
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 1
2N3492 Microchip Technology 2N3492 547.4100
RFQ
 ECAD 4074 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен - Стало TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud 115 Вт 121 - DOSTISH 150-2N3492 Ear99 8541.29.0095 1 100 7,5 а - Pnp - - -
RN1119MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1119MFV, L3F 0,1800
RFQ
 ECAD 6434 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-723 RN1119 150 м Вер СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 100NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 5 120 @ 1MA, 5V 1 kohms
RN2116,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2116, LXHF (Ct 0,3300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-75, SOT-416 RN2116 100 м SSM СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 50 @ 10ma, 5 В 200 мг 4.7 Kohms 10 Kohms
2SC3265-O-TP Micro Commercial Co 2SC3265-O-TP -
RFQ
 ECAD 2727 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3265 200 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1000 30 800 млн 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 20 май, 500 мат 100 @ 100ma, 1в 120 мг
BC808-40W Infineon Technologies BC808-40W 0,0200
RFQ
 ECAD 3276 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м PG-SOT23-3-11 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 6000 25 В 500 май 100NA (ICBO) Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 250 @ 100ma, 1v 200 мг
PBRN123ET-QR Nexperia USA Inc. PBRN123ET-QR 0,0687
RFQ
 ECAD 7534 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PBRN123 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1727-PBRN123ET-QRTR Ear99 8541.21.0095 3000 40 600 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 1,15 В @ 8MA, 800 мая 350 @ 600 май, 5в 2.2 Ком 2.2 Ком
2SAR586JFRGTLL Rohm Semiconductor 2SAR586JFRGTLL 2.1200
RFQ
 ECAD 974 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 2SAR586 40 LPTL СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 80 5 а 1 мка (ICBO) 320 мВ @ 100ma, 2a 120 @ 500ma, 3V
DTA123JU3HZGT106 Rohm Semiconductor DTA123JU3HZGT106 0,3800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 DTA123 200 м UMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 2.2 Ком 47 Kohms
2N5490 Harris Corporation 2N5490 1.0200
RFQ
 ECAD 565 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN - МАССА Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 50 st 220-3 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0075 1 40 7 а 2MA Npn 1В @ 200 май, 2а 20 @ 2a, 4v 800 kgц
JANKCAR2N3636 Microchip Technology Jankcar2n3636 -
RFQ
 ECAD 7447 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/357 Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) - Rohs3 DOSTISH 150-jankcar2n3636 Ear99 8541.29.0095 1 175 1 а 10 мк Pnp 600 мВ @ 5ma, 50 мая 50 @ 50ma, 10 В -
BC856BW-TP Micro Commercial Co BC856BW-TP 0,2000
RFQ
 ECAD 1278 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC856 150 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 65 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 220 @ 2MA, 5V 100 мг
2STC5949 STMicroelectronics 2STC5949 -
RFQ
 ECAD 2553 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 264-3, 264AA 2 -й 220 Вт 264 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-6959-5 Ear99 8541.29.0095 25 250 17 а 5 Мка (ICBO) Npn 3v @ 800ma, 8a 80 @ 1a, 5v 25 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть