SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)
BC546C Diotec Semiconductor - dup BC546C 0,0306
RFQ
 ECAD 152 0,00000000 Diotec poluprovodonok - dup - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-BC546CTR 8541.21.0000 4000 65 100 май 15NA Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 300 мг
PEMH20,115 Nexperia USA Inc. PEMH20,115 0,4700
RFQ
 ECAD 7252 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SOT-563, SOT-666 PEMH20 300 м SOT-666 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 1 мка 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 150 мв 500 мк, 10 30 @ 20 май, 5в - 2,2KOM 2,2KOM
SD1419-06H Microsemi Corporation SD1419-06H -
RFQ
 ECAD 7269 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо - 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 1
2N6329 Microchip Technology 2N6329 124 7939
RFQ
 ECAD 8648 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Актифен 2N6329 - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1
BC807-16/6215 NXP USA Inc. BC807-16/6215 0,0200
RFQ
 ECAD 339 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 3000
CP307-2N5308-CT Central Semiconductor Corp CP307-2N5308-CT -
RFQ
 ECAD 1334 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Поднос Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Умират 625 м Умират СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 1514-CP307-2N5308-CT Ear99 8541.21.0095 1 40 300 май 100NA (ICBO) Npn - дарлино 1,4 - @ 200 мк, 200 мая 20000 @ 100ma, 5 В 60 мг
2N5401 Diotec Semiconductor 2N5401 0,0306
RFQ
 ECAD 92 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 2796-2n5401tr 8541.21.0000 4000 150 600 май 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 5ma, 50 ма 60 @ 10ma, 5 В 400 мг
RN2103CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2103CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 1846 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-101, SOT-883 RN2103 50 м CST3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 10000 20 50 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 150 мв 250 мка, 5 100 @ 10ma, 5 В 22 Kohms 22 Kohms
PBSS305NZ,135 Nexperia USA Inc. PBSS305NZ, 135 0,6500
RFQ
 ECAD 31 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA PBSS305 2 Вт SOT-223 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 4000 80 5.1 а 100NA (ICBO) Npn 270 мВ @ 255ma, 5.1a 180 @ 2a, 2v 110 мг
JANTXV2N3499L Microchip Technology Jantxv2n3499l 15.7871
RFQ
 ECAD 3997 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/366 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 2N3499 1 Вт По 5 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 100 500 май 10 мк (ICBO) Npn 1,4 Е @ 30 май, 300 мая 100 @ 150 май, 10 В -
BCX42E6327HTSA1 Infineon Technologies BCX42E6327HTSA1 0,3900
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Прохл 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX42 330 м PG-SOT23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 125 800 млн 10 мк Pnp 900 мВ @ 30 май, 300 мая 40 @ 200 май, 1в 150 мг
NJL0281DG onsemi NJL0281DG 6 9400
RFQ
 ECAD 83 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 264-5 NJL0281 180 Вт 264 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0075 25 260 15 а 10 мк (ICBO) Npn 1V @ 500 май, 5а 75 @ 3A, 5V 30 мг
JANSM2N2221A Microchip Technology Jansm2n2221a 91.0606
RFQ
 ECAD 2766 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/255 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 206aa, 18-3 Металлана Банканка 500 м 18-18 (ДО 206AA) - DOSTISH 150-jansm2n2221a 1 50 800 млн 50NA Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 40 @ 150 май, 10 В -
PDTC123EM,315 NXP Semiconductors PDTC123EM, 315 0,0300
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен PDTC123 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-PDTC123EM, 315-954 15 000
BCP55-16 Diotec Semiconductor BCP55-16 0,1499
RFQ
 ECAD 4372 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA 1,3 SOT-223 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-BCP55-16 8541.21.0000 4000 60 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 100 @ 150 май, 2 В 100 мг
JANTXV2N3468 Microchip Technology Jantxv2n3468 -
RFQ
 ECAD 9722 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/348 МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) - DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 50 1 а 100NA (ICBO) Pnp 1,2 - @ 100ma, 1a 25 @ 500 май, 1в -
BC 850B E6327 Infineon Technologies BC 850B E6327 0,0400
RFQ
 ECAD 36 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 330 м PG-SOT23 СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 6836 45 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 250 мг
JANSR2N3501UB Microchip Technology JANSR2N3501UB 95.2600
RFQ
 ECAD 7274 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/366 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA 500 м Ub - Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 150 300 май 10 мк (ICBO) Npn 400 мВ @ 15 май, 150 мат 100 @ 150 май, 10 В -
2N6582 Microchip Technology 2N6582 110.9100
RFQ
 ECAD 3424 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен - Чereз dыru TO-204AA, TO-3 125 Вт До 204 года. (DO-3) - DOSTISH 150-2N6582 Ear99 8541.29.0095 1 350 10 а - Npn - - -
BCP69-25-TP Micro Commercial Co BCP69-25-TP 0,6600
RFQ
 ECAD 5676 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA BCP69 1 Вт SOT-223 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2500 20 1 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 100ma, 1a 140 @ 10ma, 1,8 В 40 мг
2SB12200RL Panasonic Electronic Components 2SB12200RL -
RFQ
 ECAD 7169 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 2SB1220 150 м Smini3-G1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 150 50 май 1 мка (ICBO) Pnp 1V @ 3ma, 30 мая 130 @ 10ma, 5в 200 мг
2SAR543RTL Rohm Semiconductor 2SAR543RTL 0,6700
RFQ
 ECAD 310 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-96 2SAR543 1 Вт TSMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 3000 50 3 а 1 мка (ICBO) Pnp 400 мВ @ 100ma, 2a 180 @ 100ma, 3v 300 мг
PN2222TFR Fairchild Semiconductor PN222222TFR -
RFQ
 ECAD 6552 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 10000 30 600 май 10NA (ICBO) Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 300 мг
2N3955 Central Semiconductor Corp 2N3955 -
RFQ
 ECAD 4879 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо - 2N3955 PBFREE Управо 0000.00.0000 500
DTC124EEBTL Rohm Semiconductor DTC124EEBTL 0,2600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-89, SOT-490 DTC124 150 м EMT3F (SOT-416FL) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 30 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 56 @ 5ma, 5V 250 мг 22 Kohms 22 Kohms
DRA3115T0L Panasonic Electronic Components DRA3115T0L -
RFQ
 ECAD 1552 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер SOT-723 DRA3115 100 м SSSMINI3-F2-B - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 10000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 250 мВ @ 500 мк, 10 мая 160 @ 5ma, 10 В 100 км
BCR183E6359HTMA1 Infineon Technologies BCR183E6359HTMA1 -
RFQ
 ECAD 5416 0,00000000 Infineon Technologies Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Прохл Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR183 200 м PG-SOT23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP000010801 Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 100NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 30 @ 5ma, 5в 200 мг 10 Kohms 10 Kohms
FJAF4310OTU onsemi FJAF4310OTU 3.0900
RFQ
 ECAD 307 0,00000000 OnSemi - Трубка Прохл 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3 Full Pack FJAF4310 80 Вт To-3pf СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0075 360 140 10 а 10 мк (ICBO) Npn 500 мВ @ 500 мА, 5а 70 @ 3A, 4V 30 мг
D45H8G onsemi D45H8G 0,9300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 D45H8 2 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0075 50 60 10 а 10 мк Pnp 1v @ 400 май, 8a 40 @ 4a, 1v 40 мг
2SB815-7-TB-E onsemi 2SB815-7-TB-E 0,3800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен 125 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SB815 200 м 3-CP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 15 700 млн 100NA (ICBO) Pnp 80 мВ @ 10ma, 100 мая 300 @ 50ma, 2v 250 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть